HiSilicon Kirin 990E 5G

HiSilicon Kirin 990E 5G
Benchmarks & technische Daten

Letzte Aktualisierung:
Der HiSilicon Kirin 990E 5G war ein mobiler Prozessor, der seinerzeit im fortschrittlichen 7-Nanometer-Verfahren gefertigt wurde. Das sorgte für hohe Energieeffizienz und solide Leistung in vielen Mobilgeräten. Man sieht, dass diese Bauweise auch heute noch Vorteile bietet. Sie konnte zudem eine gute Akkulaufzeit unterstützen.

Seine interne Architektur setzte auf eine Kombination leistungsstarker Cortex-A76 und effizienter Cortex-A55 Kerne. Diese Mischung ermöglichte eine ausgewogene Nutzung im Alltag. Das galt für Multitasking und andere Anwendungen gleichermaßen. Für visuelle Aufgaben und anspruchsvolle Spiele war die integrierte ARM Mali-G76 MP14 Grafikeinheit zuständig.

Sie lieferte eine beachtliche Grafikleistung für mobile Anwendungen ihrer Zeit. Das wurde von vielen Nutzern sehr geschätzt. Ein zentrales Merkmal dieses Chips war die direkte Integration von 5G-Konnektivität. Dies bot den Nutzern frühzeitig Zugang zu den damals neuesten und schnellsten Mobilfunknetzen.

Der Kirin 990E 5G legte damit eine wichtige Grundlage. Er trug zu zukunftsfähigen und gut ausgestatteten Mobilgeräten bei.
  • 7-Nanometer-Fertigung
  • Integrierte 5G-Konnektivität
  • Leistungsstarke ARM Mali-G76 MP14 Grafik
  • Effiziente Cortex-A76/A55 Architektur

Leistungsübersicht
Durchschnittliche Leistung in mehreren Benchmarks

Einkern-Leistung
Platz 62 / 176
Im Segment Smartphone / Tablet
Mehrkern-Leistung
Platz 43 / 177
Im Segment Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Einkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
1.025
Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C / 8T · 2,40 GHz
1.025
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
996
Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C / 8T · 2,96 GHz
994
Samsung Exynos 1380
8C / 8T · 2,40 GHz
984
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Mehrkern-Leistung

Google Tensor G2
8C / 8T · 2,85 GHz
3.342
Samsung Exynos 2100
8C / 8T · 2,90 GHz
3.339
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
3.244
MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
3.177
MediaTek Dimensity 1200
8C / 8T · 3,00 GHz
3.165
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Einkern-Leistung

MediaTek Dimensity 920
8C / 8T · 2,50 GHz
768
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C / 8T · 3,15 GHz
760
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
757
MediaTek Dimensity 1050
8C / 8T · 2,50 GHz
747
Samsung Exynos 9820
8C / 8T · 2,70 GHz
742
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Mehrkern-Leistung

MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
2.861
Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
2.856
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
2.855
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2,60 GHz
2.853
Qualcomm Snapdragon 778G
8C / 8T · 2,40 GHz
2.842
iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

HiSilicon Kirin 820 5G
ARM Mali-G57 MP6
653
HiSilicon Kirin 820E 5G
ARM Mali-G57 MP6
653
HiSilicon Kirin 990E 5G
ARM Mali-G76 MP14
645
MediaTek Dimensity 1000L
ARM Mali-G77 MP7
622
Qualcomm Snapdragon 768G
Qualcomm Adreno 620
620

Weitere Benchmarks

Auf einen Blick

BezeichnungWert
FamilieHiSilicon Kirin (29)
CPU GruppeHiSilicon Kirin 990 (3)
ArchitekturCortex-A76 / Cortex-A55
Technologie7 nm
SegmentSmartphone / Tablet
Sockel
Generation8
Vorgänger
Nachfolger

CPU Kerne und Taktfrequenz

BezeichnungWert
CPU Kerne / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Kernarchitekturhybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,86 GHz
Core Cluster 2: 2x Cortex-A76
2,36 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
1,95 GHz
L2-Cache
L3-Cache2,00 MB
ÜbertaktungNein

Interne Grafik (iGPU)

BezeichnungWert
GPU NameARM Mali-G76 MP14
Grafik-Taktfrequenz0,60 - 0,60 GHz
CUs / Shader14 / 224
Raytracing
Max. Bildschirme2
Max. GPU Speicher4 GB
Technologie7 nm
ErscheinungsdatumQ3/2018

AI-Leistung der NPU

BezeichnungWert
KI-HardwareHUAWEI HiAI 2.0
KI-SpezifikationenDa Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny
NPU + CPU + iGPU

Arbeitsspeicher & PCIe

SpeichertypSpeicherbandbreite
LPDDR4X-4266
--
BezeichnungWert
Max. Speicher8 GB
Speicherkanäle4
ECC
PCIe
PCIe Bandbreite

Leistungsaufnahme

BezeichnungWert
TDP6 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Technische Daten

BezeichnungWert
Chip-DesignChiplet
AES-NI
BetriebssystemeAndroid
BefehlssatzArmv8-A (64 bit)
ISA Erweiterungen
ErscheinungsdatumQ3/2019
Erscheinungspreis
Dokumente
HiSilicon Kirin 990E 5G
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