HiSilicon Kirin 990E 5G

HiSilicon Kirin 990E 5G
Benchmarks y especificaciones

Última actualización:
El HiSilicon Kirin 990E 5G fue un procesador móvil fabricado en su momento con un avanzado proceso de 7 nanómetros. Esto garantizaba una alta eficiencia energética y un sólido rendimiento en muchos dispositivos móviles. Es evidente que este diseño sigue ofreciendo ventajas hoy en día. También permitía una buena duración de la batería.

Su arquitectura interna se basaba en una combinación de potentes núcleos Cortex-A76 y eficientes Cortex-A55. Esta combinación permitía un uso equilibrado en el día a día. Esto se aplicaba tanto a la multitarea como a otras aplicaciones. Las tareas visuales y los juegos exigentes corrían a cargo de la unidad gráfica ARM Mali-G76 MP14 integrada.

Ofrecía un rendimiento gráfico considerable para las aplicaciones móviles de su época. Esto fue muy apreciado por muchos usuarios. Una característica clave de este chip era la integración directa de la conectividad 5G. Esto proporcionó a los usuarios un acceso temprano a las redes móviles más recientes y rápidas de la época.

El Kirin 990E 5G sentó así una base importante. Contribuyó a la creación de dispositivos móviles preparados para el futuro y bien equipados.
  • Fabricación de 7 nanómetros
  • Conectividad 5G integrada
  • Potente gráfica ARM Mali-G76 MP14
  • Arquitectura eficiente Cortex-A76/A55

Resumen del rendimiento
Rendimiento promedio en varios benchmarks

Rendimiento de un solo núcleo
Puesto 62 / 176
En el segmento Smartphone / Tablet
Rendimiento multinúcleo
Puesto 43 / 177
En el segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
1.025
Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C / 8T · 2,40 GHz
1.025
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
996
Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C / 8T · 2,96 GHz
994
Samsung Exynos 1380
8C / 8T · 2,40 GHz
984
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

Google Tensor G2
8C / 8T · 2,85 GHz
3.342
Samsung Exynos 2100
8C / 8T · 2,90 GHz
3.339
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
3.244
MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
3.177
MediaTek Dimensity 1200
8C / 8T · 3,00 GHz
3.165
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

MediaTek Dimensity 920
8C / 8T · 2,50 GHz
768
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C / 8T · 3,15 GHz
760
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
757
MediaTek Dimensity 1050
8C / 8T · 2,50 GHz
747
Samsung Exynos 9820
8C / 8T · 2,70 GHz
742
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
2.861
Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
2.856
HiSilicon Kirin 990E 5G
8C / 8T · 2,86 GHz
2.855
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2,60 GHz
2.853
Qualcomm Snapdragon 778G
8C / 8T · 2,40 GHz
2.842
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

HiSilicon Kirin 820 5G
ARM Mali-G57 MP6
653
HiSilicon Kirin 820E 5G
ARM Mali-G57 MP6
653
HiSilicon Kirin 990E 5G
ARM Mali-G76 MP14
645
MediaTek Dimensity 1000L
ARM Mali-G77 MP7
622
Qualcomm Snapdragon 768G
Qualcomm Adreno 620
620

Más benchmarks

De un vistazo

ParámetroValor
FamiliaHiSilicon Kirin (29)
Grupo de CPUHiSilicon Kirin 990 (3)
Arquitectura Cortex-A76 / Cortex-A55
Tecnologia7 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Enchufe
Generacion8
Predecesor
Sucesor

CPU Núcleos y frecuencia de base

ParámetroValor
CPU Nùcleos / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Arquitectura centralhybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,86 GHz
Core Cluster 2: 2x Cortex-A76
2,36 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
1,95 GHz
L2-Cache
L3-Cache2,00 MB
OverclockingNo

Grafica interna

ParámetroValor
nombre GPU ARM Mali-G76 MP14
Frecuencia GPU0,60 - 0,60 GHz
CUs / Shader14 / 224
Raytracing
Max. visualizaciones2
Max. GPU Memoria4 GB
Tecnologia7 nm
Fecha de lanzamientoQ3/2018

Rendimiento de la IA de la NPU

ParámetroValor
Hardware de IAHUAWEI HiAI 2.0
especificaciones de IADa Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny
NPU + CPU + iGPU

Memoria & PCIe

tipos de memoriaAncho de banda de memoria
LPDDR4X-4266
--
ParámetroValor
Max. Memoria8 GB
Canales de memoria4
ECC
PCIe
PCIe Banda ancha

Gestión térmica

ParámetroValor
TDP6 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Detalles tecnicos

ParámetroValor
Diseño de chipsChiplet
AES-NI
Sistemas operativosAndroid
Conjunto de instruccionesArmv8-A (64 bit)
Extensiones ISA
Fecha de lanzamientoQ3/2019
Precio de lanzamiento
Documentos
HiSilicon Kirin 990E 5G
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