HiSilicon Kirin 990 4G

HiSilicon Kirin 990 4G
Benchmarks & technische Daten

Letzte Aktualisierung:
Der HiSilicon Kirin 990 4G bot seinerzeit eine fortschrittliche Basis. Dieser bemerkenswerte Prozessor stammt aus dem Hause HiSilicon. Er profitierte maßgeblich von einem modernen 7-nm-Fertigungsprozess. Diese fortschrittliche Bauweise ermöglichte eine sehr gute Energieeffizienz. Zugleich bot sie eine beachtliche Leistungsdichte.

Im Herzen dieses Chips arbeiten leistungsstarke Cortex-A76-Kerne. Diese werden durch effiziente Cortex-A55-Kerne ergänzt. Jene ausgewogene Architektur-Kombination sorgte für zuverlässige Rechenleistung. Alltägliche Anwendungen und auch anspruchsvolles Multitasking liefen damit sehr flüssig.

Für visuelle Aufgaben ist die integrierte ARM Mali-G76 MP16 Grafikeinheit zuständig. Sie unterstützte anspruchsvolle Grafikanwendungen und selbst einige Spiele ihrer Zeit. Die vorhandenen 2 MB Level 3 Cache trugen zu einer reaktionsschnellen Gesamtleistung bei. Wir können festhalten, der HiSilicon Kirin 990 4G war ein äußerst durchdachtes Paket.

Er lieferte eine solide Grundlage für moderne Smartphones und Tablets. Dieser Chip demonstrierte eindrucksvoll die technologischen Möglichkeiten im mobilen Sektor seiner Ära.
  • 7-nm-Fertigungsprozess
  • Cortex-A76 / Cortex-A55 Architektur
  • Integrierte ARM Mali-G76 MP16 Grafikeinheit
  • 2 MB Level 3 Cache

Leistungsübersicht
Durchschnittliche Leistung in mehreren Benchmarks

Einkern-Leistung
Platz 62 / 176
Im Segment Smartphone / Tablet
Mehrkern-Leistung
Platz 43 / 177
Im Segment Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Einkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
1.025
Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C / 8T · 2,40 GHz
1.025
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
996
Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C / 8T · 2,96 GHz
994
Samsung Exynos 1380
8C / 8T · 2,40 GHz
984
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Mehrkern-Leistung

Google Tensor G2
8C / 8T · 2,85 GHz
3.342
Samsung Exynos 2100
8C / 8T · 2,90 GHz
3.339
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
3.244
MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
3.177
MediaTek Dimensity 1200
8C / 8T · 3,00 GHz
3.165
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Einkern-Leistung

MediaTek Dimensity 920
8C / 8T · 2,50 GHz
768
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C / 8T · 3,15 GHz
760
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
757
MediaTek Dimensity 1050
8C / 8T · 2,50 GHz
747
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2,60 GHz
742
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Mehrkern-Leistung

MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
2.861
Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
2.856
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
2.855
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2,60 GHz
2.853
Qualcomm Snapdragon 778G
8C / 8T · 2,40 GHz
2.842
iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

Apple A14 Bionic
Apple A14
749
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1
Qualcomm Adreno 730
745
HiSilicon Kirin 990 4G
ARM Mali-G76 MP16
737
Google Tensor G2
ARM Mali-G710 MP7
700
Apple A13 Bionic
Apple A13
691

Weitere Benchmarks

Auf einen Blick

BezeichnungWert
FamilieHiSilicon Kirin (29)
CPU GruppeHiSilicon Kirin 990 (3)
ArchitekturCortex-A76 / Cortex-A55
Technologie7 nm
SegmentSmartphone / Tablet
Sockel
Generation8
Vorgänger
Nachfolger

CPU Kerne und Taktfrequenz

BezeichnungWert
CPU Kerne / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Kernarchitekturhybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,86 GHz
Core Cluster 2: 2x Cortex-A76
2,09 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
1,86 GHz
L2-Cache
L3-Cache2,00 MB
ÜbertaktungNein

Interne Grafik (iGPU)

BezeichnungWert
GPU NameARM Mali-G76 MP16
Grafik-Taktfrequenz0,60 GHz
CUs / Shader16 / 256
Raytracing
Max. Bildschirme2
Max. GPU Speicher4 GB
Technologie7 nm
ErscheinungsdatumQ3/2018

AI-Leistung der NPU

BezeichnungWert
KI-HardwareHUAWEI HiAI 2.0
KI-SpezifikationenDa Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny
NPU + CPU + iGPU

Arbeitsspeicher & PCIe

SpeichertypSpeicherbandbreite
LPDDR4X-2133
--
BezeichnungWert
Max. Speicher8 GB
Speicherkanäle4
ECC
PCIe
PCIe Bandbreite

Leistungsaufnahme

BezeichnungWert
TDP6 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Technische Daten

BezeichnungWert
Chip-DesignChiplet
AES-NI
BetriebssystemeAndroid
BefehlssatzArmv8-A (64 bit)
ISA Erweiterungen
ErscheinungsdatumQ3/2019
Erscheinungspreis
Dokumente
HiSilicon Kirin 990 4G
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