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HiSilicon Kirin 990 4G

HiSilicon Kirin 990 4G
Benchmark e specifiche

Ultimo aggiornamento:
L'HiSilicon Kirin 990 4G offriva una base avanzata ai suoi tempi. Questo notevole processore proviene da HiSilicon. Ha beneficiato in modo significativo di un moderno processo di fabbricazione a 7 nm. Questo design avanzato ha permesso un'ottima efficienza energetica. Allo stesso tempo, offriva una notevole densità di potenza.

Potenti core Cortex-A76 funzionano nel cuore di questo chip. Questi sono completati da efficienti core Cortex-A55. Quella combinazione di architettura bilanciata ha assicurato prestazioni di calcolo affidabili. Le applicazioni quotidiane e il multitasking impegnativo funzionavano molto bene.

L'unità grafica ARM Mali-G76 MP16 integrata è responsabile delle attività visive. Supportava applicazioni grafiche impegnative e anche alcuni giochi del suo tempo. La cache di livello 3 da 2 MB disponibile ha contribuito a una reattiva prestazione complessiva. Possiamo affermare che l'HiSilicon Kirin 990 4G era un pacchetto estremamente ben congegnato.

Ha fornito una base solida per smartphone e tablet moderni. Questo chip ha dimostrato in modo impressionante le possibilità tecnologiche nel settore mobile della sua epoca.
  • Processo di fabbricazione a 7 nm
  • Architettura Cortex-A76 / Cortex-A55
  • Unità grafica ARM Mali-G76 MP16 integrata
  • Cache di livello 3 da 2 MB

Panoramica delle prestazioni
Prestazioni medie in diversi benchmark

Prestazioni single-core
Posizione 62 / 176
Nel segmento Smartphone / Tablet
Prestazioni multi-core
Posizione 43 / 177
Nel segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Prestazioni single-core

Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
1.025
Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C / 8T · 2,40 GHz
1.025
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
996
Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C / 8T · 2,96 GHz
994
Samsung Exynos 1380
8C / 8T · 2,40 GHz
984
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Prestazioni multi-core

Google Tensor G2
8C / 8T · 2,85 GHz
3.342
Samsung Exynos 2100
8C / 8T · 2,90 GHz
3.339
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
3.244
MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
3.177
MediaTek Dimensity 1200
8C / 8T · 3,00 GHz
3.165
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Prestazioni single-core

MediaTek Dimensity 920
8C / 8T · 2,50 GHz
768
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C / 8T · 3,15 GHz
760
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
757
MediaTek Dimensity 1050
8C / 8T · 2,50 GHz
747
Samsung Exynos 9820
8C / 8T · 2,70 GHz
742
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Prestazioni multi-core

MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
2.861
Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
2.856
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
2.855
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2,60 GHz
2.853
Qualcomm Snapdragon 778G
8C / 8T · 2,40 GHz
2.842
iGPU - Prestazioni FP32 (GFLOPS a precisione singola)

iGPU - Prestazioni FP32 (GFLOPS a precisione singola)

Apple A14 Bionic
Apple A14
749
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1
Qualcomm Adreno 730
745
HiSilicon Kirin 990 4G
ARM Mali-G76 MP16
737
Google Tensor G2
ARM Mali-G710 MP7
700
Apple A13 Bionic
Apple A13
691

Altri benchmark

A prima vista

VoceValore
FamigliaHiSilicon Kirin (29)
Gruppo CPUHiSilicon Kirin 990 (3)
Architettura Cortex-A76 / Cortex-A55
Tecnologia 7 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Presa
Generazione8
Predecessore
Successore

CPU Cores e frequenza di base

VoceValore
CPU Cores / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Architettura principalehybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,86 GHz
Core Cluster 2: 2x Cortex-A76
2,09 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
1,86 GHz
L2-Cache
L3-Cache2,00 MB
OverclockingNo

Grafica interna

VoceValore
nome GPUARM Mali-G76 MP16
Frequenza GPU 0,60 GHz
CUs / Shader16 / 256
Raytracing
Max. visualizzazioni2
Max. GPU Memoria4 GB
Tecnologia 7 nm
Data di lancio Q3/2018

Prestazioni dell'IA NPU

VoceValore
Hardware AIHUAWEI HiAI 2.0
Specifiche AIDa Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny
NPU + CPU + iGPU

Memoria & PCIe

Tipo di memoria Banda di memoria
LPDDR4X-2133
--
VoceValore
Max. Memoria8 GB
Canali di memoria 4
ECC
PCIe
PCIe Larghezza di banda

Gestione termica

VoceValore
TDP6 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Dettagli tecnici

VoceValore
Design a chipChiplet
AES-NI
Sistemi operativiAndroid
Set di istruzioniArmv8-A (64 bit)
Estensioni ISA
Data di lancio Q3/2019
Prezzo di rilascio
Documenti
HiSilicon Kirin 990 4G
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