HiSilicon Kirin 990 4G

HiSilicon Kirin 990 4G
Benchmarks y especificaciones

Última actualización:
El HiSilicon Kirin 990 4G ofrecía una base avanzada en su momento. Este notable procesador proviene de HiSilicon. Se benefició significativamente de un moderno proceso de fabricación de 7 nm. Este diseño avanzado permitió una muy buena eficiencia energética. Al mismo tiempo, ofrecía una densidad de potencia considerable.

Potentes núcleos Cortex-A76 funcionan en el corazón de este chip. Estos se complementan con eficientes núcleos Cortex-A55. Esa equilibrada combinación de arquitectura aseguró un rendimiento informático confiable. Las aplicaciones cotidianas y la multitarea exigente funcionaron sin problemas.

La unidad gráfica ARM Mali-G76 MP16 integrada es responsable de las tareas visuales. Admitía aplicaciones gráficas exigentes e incluso algunos juegos de su tiempo. La memoria caché de nivel 3 de 2 MB disponible contribuyó a un rendimiento general receptivo. Podemos afirmar que el HiSilicon Kirin 990 4G fue un paquete extremadamente bien pensado.

Proporcionó una base sólida para teléfonos inteligentes y tabletas modernos. Este chip demostró de manera impresionante las posibilidades tecnológicas en el sector móvil de su época.
  • Proceso de fabricación de 7 nm
  • Arquitectura Cortex-A76 / Cortex-A55
  • Unidad gráfica ARM Mali-G76 MP16 integrada
  • Caché de nivel 3 de 2 MB

Resumen del rendimiento
Rendimiento promedio en varios benchmarks

Rendimiento de un solo núcleo
Puesto 62 / 176
En el segmento Smartphone / Tablet
Rendimiento multinúcleo
Puesto 43 / 177
En el segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
1.025
Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C / 8T · 2,40 GHz
1.025
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
996
Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C / 8T · 2,96 GHz
994
Samsung Exynos 1380
8C / 8T · 2,40 GHz
984
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

Google Tensor G2
8C / 8T · 2,85 GHz
3.342
Samsung Exynos 2100
8C / 8T · 2,90 GHz
3.339
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
3.244
MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
3.177
MediaTek Dimensity 1200
8C / 8T · 3,00 GHz
3.165
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

MediaTek Dimensity 920
8C / 8T · 2,50 GHz
768
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C / 8T · 3,15 GHz
760
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
757
MediaTek Dimensity 1050
8C / 8T · 2,50 GHz
747
Samsung Exynos 9820
8C / 8T · 2,70 GHz
742
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3,00 GHz
2.861
Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2,50 GHz
2.856
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2,86 GHz
2.855
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2,60 GHz
2.853
Qualcomm Snapdragon 778G
8C / 8T · 2,40 GHz
2.842
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

Apple A14 Bionic
Apple A14
749
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1
Qualcomm Adreno 730
745
HiSilicon Kirin 990 4G
ARM Mali-G76 MP16
737
Google Tensor G2
ARM Mali-G710 MP7
700
Apple A13 Bionic
Apple A13
691

Más benchmarks

De un vistazo

ParámetroValor
FamiliaHiSilicon Kirin (29)
Grupo de CPUHiSilicon Kirin 990 (3)
Arquitectura Cortex-A76 / Cortex-A55
Tecnologia7 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Enchufe
Generacion8
Predecesor
Sucesor

CPU Núcleos y frecuencia de base

ParámetroValor
CPU Nùcleos / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Arquitectura centralhybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,86 GHz
Core Cluster 2: 2x Cortex-A76
2,09 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
1,86 GHz
L2-Cache
L3-Cache2,00 MB
OverclockingNo

Grafica interna

ParámetroValor
nombre GPU ARM Mali-G76 MP16
Frecuencia GPU0,60 GHz
CUs / Shader16 / 256
Raytracing
Max. visualizaciones2
Max. GPU Memoria4 GB
Tecnologia7 nm
Fecha de lanzamientoQ3/2018

Rendimiento de la IA de la NPU

ParámetroValor
Hardware de IAHUAWEI HiAI 2.0
especificaciones de IADa Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny
NPU + CPU + iGPU

Memoria & PCIe

tipos de memoriaAncho de banda de memoria
LPDDR4X-2133
--
ParámetroValor
Max. Memoria8 GB
Canales de memoria4
ECC
PCIe
PCIe Banda ancha

Gestión térmica

ParámetroValor
TDP6 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Detalles tecnicos

ParámetroValor
Diseño de chipsChiplet
AES-NI
Sistemas operativosAndroid
Conjunto de instruccionesArmv8-A (64 bit)
Extensiones ISA
Fecha de lanzamientoQ3/2019
Precio de lanzamiento
Documentos
HiSilicon Kirin 990 4G
HiSilicon Kirin 990 4G
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