HiSilicon Kirin 990 4Gは、当時高度な基盤を提供しました。この優れたプロセッサはHiSilicon製です。最新の7nm製造プロセスから多大な恩恵を受けました。この高度な設計により、非常に優れたエネルギー効率が実現しました。同時に、かなりの電力密度を提供しました。このチップの中核では、強力なCortex-A76コアが動作しています。これらは、効率的なCortex-A55コアによって補完されています。そのバランスの取れたアーキテクチャの組み合わせにより、信頼性の高いコンピューティングパフォーマンスが保証されました。日常的なアプリケーションや要求の厳しいマルチタスクも非常にスムーズに実行されました。統合されたARM Mali-G76 MP16グラフィックスユニットは、視覚的なタスクを担当します。要求の厳しいグラフィックアプリケーションや、当時のゲームの一部もサポートしていました。利用可能な2 MBのレベル3キャッシュは、応答性の高い全体的なパフォーマンスに貢献しました。HiSilicon Kirin 990 4Gは、非常に優れたパッケージであったと言えます。最新のスマートフォンとタブレットの強固な基盤を提供しました。このチップは、当時のモバイルセクターにおける技術的可能性を印象的に示しました。
  • 7nm製造プロセス
  • Cortex-A76 / Cortex-A55アーキテクチャ
  • 統合されたARM Mali-G76 MP16グラフィックスユニット
  • 2 MBレベル3キャッシュ

パフォーマンス概要 (Pafōmansu Gaiyō)
複数のベンチマークにおける平均パフォーマンス

シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)
順位 (Jun’i) 62 / 176
セグメント内で (Segumento-nai de) Smartphone / Tablet
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)
順位 (Jun’i) 43 / 177
セグメント内で (Segumento-nai de) Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)

Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2.50 GHz
1,025
Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C / 8T · 2.40 GHz
1,025
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2.86 GHz
996
Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C / 8T · 2.96 GHz
994
Samsung Exynos 1380
8C / 8T · 2.40 GHz
984
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)

Google Tensor G2
8C / 8T · 2.85 GHz
3,342
Samsung Exynos 2100
8C / 8T · 2.90 GHz
3,339
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2.86 GHz
3,244
MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3.00 GHz
3,177
MediaTek Dimensity 1200
8C / 8T · 3.00 GHz
3,165
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)

MediaTek Dimensity 920
8C / 8T · 2.50 GHz
768
Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C / 8T · 3.15 GHz
760
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2.86 GHz
757
MediaTek Dimensity 1050
8C / 8T · 2.50 GHz
747
Samsung Exynos 9820
8C / 8T · 2.70 GHz
742
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)

MediaTek Dimensity 8050
8C / 8T · 3.00 GHz
2,861
Qualcomm Snapdragon 778G+
8C / 8T · 2.50 GHz
2,856
HiSilicon Kirin 990 4G
8C / 8T · 2.86 GHz
2,855
MediaTek Dimensity 1100
8C / 8T · 2.60 GHz
2,853
Qualcomm Snapdragon 778G
8C / 8T · 2.40 GHz
2,842
iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

Apple A14 Bionic
Apple A14
749
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1
Qualcomm Adreno 730
745
HiSilicon Kirin 990 4G
ARM Mali-G76 MP16
737
Google Tensor G2
ARM Mali-G710 MP7
700
Apple A13 Bionic
Apple A13
691

他のベンチマーク (Hoka no Benchimāku)

一目でわかる

項目
家族HiSilicon Kirin (29)
CPUグループHiSilicon Kirin 990 (3)
アーキテクチャCortex-A76 / Cortex-A55
技術7 nm
セグメントSmartphone / Tablet
ソケット
世代8
前任者
後継

CPU コアとクロック周波数

項目
CPU コア / Threads8 / 8
ハイパースレッディング / SMT
コアアーキテクチャhybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2.86 GHz
Core Cluster 2: 2x Cortex-A76
2.09 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
1.86 GHz
L2-Cache
L3-Cache2.00 MB
オーバークロック可能いいえ

内部グラフィック

項目
グラフィックARM Mali-G76 MP16
グラフィック クロック周波数0.60 GHz
CUs / Shader16 / 256
Raytracing
最大画面サイズ2
最大メモリ容量4 GB
技術7 nm
リリース日Q3/2018

NPU AI パフォーマンス

項目
AIハードウェアHUAWEI HiAI 2.0
AIの仕様Da Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny
NPU + CPU + iGPU

RAM & PCIe

メモリ種別メモリ帯域幅
LPDDR4X-2133
--
項目
最大メモリ容量8 GB
メモリ チャンネル4
ECC
PCIe
PCIe 帯域幅

熱管理

項目
TDP6 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

技術データ

項目
チップ設計チップレット
AES-NI
オペレーティングシステムAndroid
指図書Armv8-A (64 bit)
ISA拡張機能
リリース日Q3/2019
発売価格
ドキュメント
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