姓: | HiSilicon Kirin 990 4G |
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家族: | HiSilicon Kirin (29) |
CPUグループ: | HiSilicon Kirin 990 (3) |
アーキテクチャ: | Cortex-A76 / Cortex-A55 |
技術: | 7 nm |
セグメント: | Smartphone / Tablet |
世代: | 8 |
前任者: | -- |
後継: | -- |
CPU コア / Threads: | 8 / 8 |
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コアアーキテクチャ: | hybrid (Prime / big.LITTLE) |
A-Core: | 2x Cortex-A76 |
B-Core: | 2x Cortex-A76 |
C-Core: | 4x Cortex-A55 |
ハイパースレッディング / SMT: | いいえ |
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オーバークロック可能: | いいえ |
A-Core クロック周波数: | 2.86 GHz |
B-Core クロック周波数: | 2.09 GHz |
C-Core クロック周波数: | 1.86 GHz |
AIハードウェア: | HUAWEI HiAI 2.0 |
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AIの仕様: | Da Vinci Architecture. 1x Ascend Lite + 1x Ascend Tiny |
NPU + CPU + iGPU: | -- |
グラフィック: | ARM Mali-G76 MP16 |
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グラフィック クロック周波数: | 0.60 GHz |
GPU (ターボ): | ターボなし |
ユニット: | 16 |
Shader: | 256 |
Hardware Raytracing: | いいえ |
リリース日: | Q3/2018 |
最大画面サイズ: | 2 |
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Generation: | Bifrost 3 |
Direct X: | 12 |
技術: | 7 nm |
最大メモリ容量: | 4 GB |
Frame Generation: | いいえ |
h265 / HEVC (8 bit): | 復号化/符号化 |
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h265 / HEVC (10 bit): | 復号化/符号化 |
h264: | 復号化/符号化 |
VP8: | 復号化/符号化 |
VP9: | 復号化/符号化 |
AV1: | いいえ |
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AVC: | 復号化/符号化 |
VC-1: | 復号化/符号化 |
JPEG: | 復号化/符号化 |
RAM & PCIeプロセッサは、4 (Quad Channel) メモリ チャネルで最大 8 GB メモリ を使用できます。 最大メモリ帯域幅は -- です。 メモリの種類とメモリの量は、システムの速度に大きく影響します。 |
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メモリ種別: | メモリ帯域幅: |
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LPDDR4X-2133 | -- |
最大メモリ容量: | 8 GB |
メモリ チャンネル: | 4 (Quad Channel) |
ECC: | いいえ |
PCIe: | |
PCIe 帯域幅: | -- |
熱管理プロセッサの熱設計電力 (略して TDP) は 6 W です。 TDP は、プロセッサを十分に冷却するために必要な冷却ソリューションを指定します。 TDP は通常、CPU の実際の消費電力の大まかな目安を示します。 |
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TDP (PL1 / PBP): | 6 W |
TDP (PL2): | -- |
TDP up: | -- |
TDP down: | -- |
Tjunction max.: | -- |
技術: | 7 nm |
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チップ設計: | チップレット |
ソケット: | -- |
L2-Cache: | -- |
L3-Cache: | 2.00 MB |
AES-NI: | いいえ |
オペレーティングシステム: | Android |
仮想化: | なし |
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指図書 (ISA): | Armv8-A (64 bit) |
ISA拡張機能: | -- |
リリース日: | Q3/2019 |
発売価格: | -- |
部品番号: | -- |
ドキュメント: | -- |
Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2.40 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 778G+
8C 8T @ 2.50 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 7c+ Gen 3
8C 8T @ 2.40 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 4G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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HiSilicon Kirin 990E 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 855 Plus
8C 8T @ 2.96 GHz |
MediaTek Dimensity 8200
8C 8T @ 3.10 GHz |
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Google Tensor G2
8C 8T @ 2.85 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 4G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 865
8C 8T @ 2.84 GHz |
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HiSilicon Kirin 990E 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
MediaTek Dimensity 920
8C 8T @ 2.50 GHz |
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Samsung Exynos 1330
8C 8T @ 2.40 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C 8T @ 3.15 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 4G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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HiSilicon Kirin 990E 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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MediaTek Dimensity 1050
8C 8T @ 2.50 GHz |
Qualcomm Snapdragon 7s Gen 2
8C 8T @ 0.70 GHz |
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MediaTek Dimensity 8050
8C 8T @ 3.00 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 778G+
8C 8T @ 2.50 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 4G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 8cx Gen. 2
8C 8T @ 3.15 GHz |
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HiSilicon Kirin 990E 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 5G
8C 8T @ 2.86 GHz |
Apple A10X Fusion
Apple A10X @ 1.00 GHz |
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Apple A14 Bionic
Apple A14 @ 1.46 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1
Qualcomm Adreno 730 @ 0.82 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 4G
ARM Mali-G76 MP16 @ 0.60 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
Qualcomm Adreno 630 @ 0.70 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 850
Qualcomm Adreno 630 @ 0.70 GHz |
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HiSilicon Kirin 990 5G
ARM Mali-G76 MP16 @ 0.60 GHz |