HiSilicon Kirin 9000

HiSilicon Kirin 9000
Benchmarks & technische Daten

Letzte Aktualisierung:
Der HiSilicon Kirin 9000 war bei seiner Vorstellung ein echtes Kraftpaket. Er wurde in einem hochmodernen 5 nm Verfahren gefertigt. Diese damals wegweisende Produktionstechnik ermöglichte eine hervorragende Energieeffizienz. Auch heute noch sorgt dies für eine solide Leistung bei gleichzeitig niedrigem Verbrauch.

Für die grafische Verarbeitung ist die integrierte ARM Mali-G78 MP24 GPU verantwortlich. Diese Grafikkarte bot bei Veröffentlichung eine außergewöhnlich starke Grafikleistung für Mobilgeräte. Wir stellten fest, dass selbst grafisch intensive Anwendungen reibungslos liefen. Im Herzen des HiSilicon Kirin 9000 arbeitet eine leistungsstarke Kombination aus Cortex-A77 und Cortex-A55 Kernen.

Diese Architektur sorgte für eine schnelle und zuverlässige Rechenkraft. Sie ermöglichte eine sehr flüssige Bedienung im täglichen Gebrauch. Der Prozessor zeigte seine Fähigkeiten in vielfältigen Einsatzbereichen. Er war darauf ausgelegt, anspruchsvolle Aufgaben mühelos zu bewältigen. Dies machte ihn zu einer exzellenten Wahl für damalige High-End-Smartphones.

  • 5 nm Fertigungsprozess
  • Starke integrierte Grafik (ARM Mali-G78 MP24)
  • Effiziente Cortex-A77 / Cortex-A55 Architektur

Leistungsübersicht
Durchschnittliche Leistung in mehreren Benchmarks

Einkern-Leistung
Platz ? / ?
Im Segment Smartphone / Tablet
Mehrkern-Leistung
Platz ? / ?
Im Segment Smartphone / Tablet
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Einkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 888
8C / 8T · 2,84 GHz
1.088
Google Tensor G2
8C / 8T · 2,85 GHz
1.068
HiSilicon Kirin 9000
8C / 8T · 3,13 GHz
1.063
Samsung Exynos 1580
8C / 8T · 2,91 GHz
1.046
Google Tensor
8C / 8T · 2,80 GHz
1.043
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Mehrkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 7+ Gen 2
8C / 8T · 2,91 GHz
4.029
Qualcomm Snapdragon 8+ Gen 1
8C / 8T · 3,20 GHz
3.924
HiSilicon Kirin 9000
8C / 8T · 3,13 GHz
3.767
MediaTek Dimensity 8100
8C / 8T · 2,85 GHz
3.765
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1
8C / 8T · 3,00 GHz
3.722
iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

MediaTek Dimensity 9300
ARM Immortalis-G720 MC12
2.400
MediaTek Dimensity 9300+
ARM Immortalis-G720 MC12
2.400
HiSilicon Kirin 9000
ARM Mali-G78 MP24
2.332
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 3
Qualcomm Adreno 750
2.287
Apple A18
Apple A18 92 %
Apple A18 (5 GPU Cores)
2.150
AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8 Benchmark

Qualcomm Snapdragon 888+
8C / 8T · 3,00 GHz
708.964 pts
Samsung Exynos 1080
8C / 8T · 2,80 GHz
688.300 pts
HiSilicon Kirin 9000
8C / 8T · 3,13 GHz
683.679 pts
Qualcomm Snapdragon 870
8C / 8T · 3,20 GHz
651.364 pts
MediaTek Dimensity 1300
8C / 8T · 3,00 GHz
647.817 pts

Weitere Benchmarks

Auf einen Blick

BezeichnungWert
FamilieHiSilicon Kirin (29)
CPU GruppeHiSilicon Kirin 9000 (2)
ArchitekturCortex-A77 / Cortex-A55
Technologie5 nm
SegmentSmartphone / Tablet
Sockel
Generation9
Vorgänger
Nachfolger

CPU Kerne und Taktfrequenz

BezeichnungWert
CPU Kerne / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Kernarchitekturhybrid (Prime / big.LITTLE)
Core Cluster 1: 1x Cortex-A77
3,13 GHz
Core Cluster 2: 3x Cortex-A77
2,54 GHz
Core Cluster 3: 4x Cortex-A55
2,05 GHz
L2-Cache
L3-Cache
ÜbertaktungNein

Interne Grafik (iGPU)

BezeichnungWert
GPU NameARM Mali-G78 MP24
Grafik-Taktfrequenz0,76 GHz
CUs / Shader24 / 384
Raytracing
Max. Bildschirme1
Max. GPU Speicher
Technologie5 nm
ErscheinungsdatumQ4/2020

Arbeitsspeicher & PCIe

SpeichertypSpeicherbandbreite
LPDDR5-2750
LPDDR4X-2133
--
--
BezeichnungWert
Max. Speicher
Speicherkanäle4
ECC
PCIe
PCIe Bandbreite

Leistungsaufnahme

BezeichnungWert
TDP
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Technische Daten

BezeichnungWert
Chip-DesignChiplet
AES-NI
BetriebssystemeAndroid
BefehlssatzArmv8-A (64 bit)
ISA Erweiterungen
ErscheinungsdatumQ4/2020
Erscheinungspreis
Dokumente
HiSilicon Kirin 9000
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