HiSilicon Kirin 810

HiSilicon Kirin 810
Benchmarks & technische Daten

Letzte Aktualisierung:
Der HiSilicon Kirin 810 ist ein mobiler Prozessor, der durch seine ausgewogene Konzeption auffiel. Besonders hervorzuheben ist die Fertigung im 7-Nanometer-Verfahren; diese damals sehr fortschrittliche Technologie ermöglichte eine bemerkenswerte Energieeffizienz. Dies war entscheidend für eine lange Akkulaufzeit in den Geräten, in denen er eingesetzt wurde.

Seine Architektur baute auf einer intelligenten Kombination aus zwei leistungsstarken Cortex-A76-Kernen für anspruchsvollere Aufgaben und sechs effizienten Cortex-A55-Kernen für den täglichen Gebrauch. Diese durchdachte Aufteilung sorgte für eine überzeugende Gesamt-Leistung. Integriert war zudem eine ARM Mali-G52 MP6 Grafikeinheit.

Sie bot eine kompetente Darstellung für etliche grafische Anwendungen und die damals verbreiteten Spiele. Der HiSilicon Kirin 810 liefert bis heute eine solide Grundlage für viele grundlegende Smartphone-Funktionen und moderate Anwendungen. Er zeigte, wie viel Leistung und Effizienz ein Prozessor dieser Klasse bieten konnte.

Wir finden, seine damalige Konzeption hält noch immer gut stand.
  • 7 nm Fertigungsprozess
  • Ausgewogene Cortex-A76 / Cortex-A55 Architektur
  • Integrierte ARM Mali-G52 MP6 Grafikeinheit

Leistungsübersicht
Durchschnittliche Leistung in mehreren Benchmarks

Einkern-Leistung
Platz 92 / 176
Im Segment Smartphone / Tablet
Mehrkern-Leistung
Platz 85 / 177
Im Segment Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Einkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 690 5G
8C / 8T · 2,00 GHz
779
Qualcomm Snapdragon 765
8C / 8T · 2,30 GHz
774
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
772
Apple A9X
Apple A9X 99 %
2C / 2T · 2,26 GHz
763
MediaTek Dimensity 800U
8C / 8T · 2,40 GHz
753
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Mehrkern-Leistung

Samsung Exynos 9825
8C / 8T · 2,73 GHz
2.069
Qualcomm Snapdragon 695 5G
8C / 8T · 2,20 GHz
2.044
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
2.035
Qualcomm Snapdragon 845
8C / 8T · 2,80 GHz
2.022
Qualcomm Snapdragon 480 Plus 5G
8C / 8T · 2,20 GHz
2.011
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Einkern-Leistung

MediaTek Dimensity 1000C
8C / 8T · 2,00 GHz
598
MediaTek Dimensity 800U
8C / 8T · 2,40 GHz
593
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
592
Qualcomm Snapdragon 690 5G
8C / 8T · 2,00 GHz
585
MediaTek Dimensity 810
8C / 8T · 2,40 GHz
564
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Mehrkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 750G
8C / 8T · 2,20 GHz
1.922
Samsung Exynos 9810
8C / 8T · 2,90 GHz
1.913
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
1.898
MediaTek Dimensity 7020
8C / 8T · 2,20 GHz
1.877
Samsung Exynos 1280
8C / 8T · 2,40 GHz
1.855
iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

iGPU - FP32 Rechenleistung (Einfache Genauigkeit GFLOPS)

HiSilicon Kirin 950
ARM Mali-T880 MP4
122
HiSilicon Kirin 955
ARM Mali-T880 MP4
122
HiSilicon Kirin 810
ARM Mali-G52 MP6
122
MediaTek Helio X27
ARM Mali-T880 MP4
119
MediaTek Helio X25
ARM Mali-T880 MP4
116
AnTuTu 9 Benchmark

AnTuTu 9 Benchmark
Mehrkern-Leistung

Qualcomm Snapdragon 690 5G
8C / 8T · 2,00 GHz
345.622 pts
MediaTek Helio G95
8C / 8T · 2,05 GHz
341.270 pts
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
338.464 pts
MediaTek Dimensity 810
8C / 8T · 2,40 GHz
334.641 pts
Qualcomm Snapdragon 720G
8C / 8T · 2,30 GHz
332.605 pts
AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8 Benchmark

Samsung Exynos 9810
8C / 8T · 2,90 GHz
313.877 pts
MediaTek Dimensity 800
8C / 8T · 2,00 GHz
308.468 pts
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
301.946 pts
MediaTek Helio G95
8C / 8T · 2,05 GHz
296.193 pts
Apple A11 Bionic
6C / 6T · 2,39 GHz
295.465 pts

Weitere Benchmarks

Auf einen Blick

BezeichnungWert
FamilieHiSilicon Kirin (29)
CPU GruppeHiSilicon Kirin 810/820 (3)
ArchitekturCortex-A76 / Cortex-A55
Technologie7 nm
SegmentSmartphone / Tablet
Sockel
Generation6
Vorgänger
Nachfolger

CPU Kerne und Taktfrequenz

BezeichnungWert
CPU Kerne / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Kernarchitekturhybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,20 GHz
Core Cluster 2: 6x Cortex-A55
1,90 GHz
L2-Cache
L3-Cache1,00 MB
ÜbertaktungNein

Interne Grafik (iGPU)

BezeichnungWert
GPU NameARM Mali-G52 MP6
Grafik-Taktfrequenz0,85 GHz
CUs / Shader16 / 288
Raytracing
Max. Bildschirme2
Max. GPU Speicher4 GB
Technologie12 nm
ErscheinungsdatumQ1/2018

Arbeitsspeicher & PCIe

SpeichertypSpeicherbandbreite
LPDDR4X-2133
--
BezeichnungWert
Max. Speicher6 GB
Speicherkanäle4
ECC
PCIe
PCIe Bandbreite

Leistungsaufnahme

BezeichnungWert
TDP5 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Technische Daten

BezeichnungWert
Chip-DesignChiplet
AES-NI
BetriebssystemeAndroid
BefehlssatzArmv8-A (64 bit)
ISA Erweiterungen
ErscheinungsdatumQ2/2019
Erscheinungspreis
Dokumente
HiSilicon Kirin 810
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