HiSilicon Kirin 810

HiSilicon Kirin 810
Benchmarks y especificaciones

Última actualización:
El HiSilicon Kirin 810 es un procesador móvil que destacó por su diseño equilibrado. Particularmente notable es su fabricación utilizando el proceso de 7 nanómetros; esta tecnología entonces muy avanzada permitió una notable eficiencia energética. Esto fue crucial para una larga duración de la batería en los dispositivos en los que se utilizó.

Su arquitectura se basó en una combinación inteligente de dos potentes núcleos Cortex-A76 para tareas más exigentes y seis eficientes núcleos Cortex-A55 para el uso diario. Esta división bien pensada aseguró un rendimiento general convincente. También se integró una unidad gráfica ARM Mali-G52 MP6.

Ofreció una representación competente para numerosas aplicaciones gráficas y los juegos comunes de la época. Hasta el día de hoy, el HiSilicon Kirin 810 proporciona una base sólida para muchas funciones básicas de teléfonos inteligentes y aplicaciones moderadas. Demostró cuánta potencia y eficiencia podía ofrecer un procesador de esta clase.

Creemos que su diseño original aún se mantiene bien.
  • Proceso de fabricación de 7 nm
  • Arquitectura equilibrada Cortex-A76 / Cortex-A55
  • Unidad gráfica ARM Mali-G52 MP6 integrada

Resumen del rendimiento
Rendimiento promedio en varios benchmarks

Rendimiento de un solo núcleo
Puesto 92 / 176
En el segmento Smartphone / Tablet
Rendimiento multinúcleo
Puesto 85 / 177
En el segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Qualcomm Snapdragon 690 5G
8C / 8T · 2,00 GHz
779
Qualcomm Snapdragon 765
8C / 8T · 2,30 GHz
774
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
772
Apple A9X
Apple A9X 99 %
2C / 2T · 2,26 GHz
763
MediaTek Dimensity 800U
8C / 8T · 2,40 GHz
753
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

Samsung Exynos 9825
8C / 8T · 2,73 GHz
2.069
Qualcomm Snapdragon 695 5G
8C / 8T · 2,20 GHz
2.044
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
2.035
Qualcomm Snapdragon 845
8C / 8T · 2,80 GHz
2.022
Qualcomm Snapdragon 480 Plus 5G
8C / 8T · 2,20 GHz
2.011
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

MediaTek Dimensity 1000C
8C / 8T · 2,00 GHz
598
MediaTek Dimensity 800U
8C / 8T · 2,40 GHz
593
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
592
Qualcomm Snapdragon 690 5G
8C / 8T · 2,00 GHz
585
MediaTek Dimensity 810
8C / 8T · 2,40 GHz
564
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

Qualcomm Snapdragon 750G
8C / 8T · 2,20 GHz
1.922
Samsung Exynos 9810
8C / 8T · 2,90 GHz
1.913
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
1.898
MediaTek Dimensity 7020
8C / 8T · 2,20 GHz
1.877
Samsung Exynos 1280
8C / 8T · 2,40 GHz
1.855
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

HiSilicon Kirin 950
ARM Mali-T880 MP4
122
HiSilicon Kirin 955
ARM Mali-T880 MP4
122
HiSilicon Kirin 810
ARM Mali-G52 MP6
122
MediaTek Helio X27
ARM Mali-T880 MP4
119
MediaTek Helio X25
ARM Mali-T880 MP4
116
AnTuTu 9 Benchmark

AnTuTu 9 Benchmark
Rendimiento multinúcleo

Qualcomm Snapdragon 690 5G
8C / 8T · 2,00 GHz
345.622 pts
MediaTek Helio G95
8C / 8T · 2,05 GHz
341.270 pts
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
338.464 pts
MediaTek Dimensity 810
8C / 8T · 2,40 GHz
334.641 pts
Qualcomm Snapdragon 720G
8C / 8T · 2,30 GHz
332.605 pts
AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8 Benchmark

Samsung Exynos 9810
8C / 8T · 2,90 GHz
313.877 pts
MediaTek Dimensity 800
8C / 8T · 2,00 GHz
308.468 pts
HiSilicon Kirin 810
8C / 8T · 2,20 GHz
301.946 pts
MediaTek Helio G95
8C / 8T · 2,05 GHz
296.193 pts
Apple A11 Bionic
6C / 6T · 2,39 GHz
295.465 pts

Más benchmarks

De un vistazo

ParámetroValor
FamiliaHiSilicon Kirin (29)
Grupo de CPUHiSilicon Kirin 810/820 (3)
Arquitectura Cortex-A76 / Cortex-A55
Tecnologia7 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Enchufe
Generacion6
Predecesor
Sucesor

CPU Núcleos y frecuencia de base

ParámetroValor
CPU Nùcleos / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Arquitectura centralhybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A76
2,20 GHz
Core Cluster 2: 6x Cortex-A55
1,90 GHz
L2-Cache
L3-Cache1,00 MB
OverclockingNo

Grafica interna

ParámetroValor
nombre GPU ARM Mali-G52 MP6
Frecuencia GPU0,85 GHz
CUs / Shader16 / 288
Raytracing
Max. visualizaciones2
Max. GPU Memoria4 GB
Tecnologia12 nm
Fecha de lanzamientoQ1/2018

Memoria & PCIe

tipos de memoriaAncho de banda de memoria
LPDDR4X-2133
--
ParámetroValor
Max. Memoria6 GB
Canales de memoria4
ECC
PCIe
PCIe Banda ancha

Gestión térmica

ParámetroValor
TDP5 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Detalles tecnicos

ParámetroValor
Diseño de chipsChiplet
AES-NI
Sistemas operativosAndroid
Conjunto de instruccionesArmv8-A (64 bit)
Extensiones ISA
Fecha de lanzamientoQ2/2019
Precio de lanzamiento
Documentos
HiSilicon Kirin 810
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