Qualcomm Snapdragon 435 | HiSilicon Kirin 650 | |
CPU VergleichIn diesem CPU-Vergleich stellen wir den Qualcomm Snapdragon 435 und den HiSilicon Kirin 650 gegenüber und prüfen anhand von Benchmarks, welcher Prozessor schneller ist.
Wir vergleichen den Qualcomm Snapdragon 435 8-Kern Prozessor der im Q4/2016 erschienen ist mit dem HiSilicon Kirin 650, welcher 8 CPU-Kerne besitzt und im Q2/2016 vorgestellt wurde. |
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Qualcomm Snapdragon (103) | Familie | HiSilicon Kirin (29) |
Qualcomm Snapdragon 430 (2) | CPU Gruppe | HiSilicon Kirin 650 (4) |
3 | Generation | 4 |
Cortex-A53 | Architektur | Cortex-A53 / Cortex-A53 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Vorgänger | -- |
-- | Nachfolger | -- |
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CPU Kerne und TaktfrequenzDer Qualcomm Snapdragon 435 ist ein 8-Kern Prozessor mit einer Taktfrequenz von 1,40 GHz. Der Prozessor kann zeitgleich 8 Threads berechnen. Der HiSilicon Kirin 650 taktet mit 2,00 GHz, besitzt 8 CPU-Kerne und kann parallel 8 Threads berechnen. |
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Qualcomm Snapdragon 435 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 650 |
8 | Kerne | 8 |
8 | Threads | 8 |
normal | Kernarchitektur | hybrid (big.LITTLE) |
Nein | Hyperthreading | Nein |
Nein | Übertaktbar ? | Nein |
1,40 GHz 8x Cortex-A53 |
A-Kern | 2,00 GHz 4x Cortex-A53 |
-- | B-Kern | 1,70 GHz 4x Cortex-A53 |
AI-Leistung der NPUDie Leistungswerte der KI-Einheit des Prozessors. Es wird hier die isolierte NPU Leistung angegeben, die gesamte KI-Leistung (NPU+CPU+iGPU) kann höher sein. Prozessoren mit Unterstützung von künstlicher Intelligenz (KI) und maschinellem Lernen (ML) können viele Berechnungen insbesondere der Audio-, Bild- und Videoverarbeitung sehr viel schneller verarbeiten als klassische Prozessoren. |
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Qualcomm Snapdragon 435 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 650 |
Qualcomm AI engine | KI-Hardware | -- |
Hexagon 536 | KI-Spezifikationen | -- |
-- | NPU + CPU + iGPU | -- |
Interne Grafik (iGPU)Eine in den Prozessor integrierte Grafik (iGPU) ermöglicht nicht nur die Bildausgabe ohne auf eine dedizierte Grafiklösung angewiesen zu sein, sondern kann auch die Videowiedergabe effizient beschleunigen. |
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Qualcomm Adreno 505 | GPU | ARM Mali-T830 MP2 |
0,45 GHz | Grafik-Taktfrequenz | 0,90 GHz |
0,45 GHz | GPU (Turbo) | -- |
5 | GPU Generation | Midgard 4 |
28 nm | Technologie | 28nm |
0 | Max. Bildschirme | 2 |
-- | Ausführungseinheiten | 2 |
48 | Shader | 32 |
Nein | Hardware Raytracing | Nein |
Nein | Frame Generation | Nein |
-- | Max. GPU Speicher | -- |
11 | DirectX Version | 11 |
Codec-Unterstützung in HardwareEin in Hardware beschleunigter Foto- oder Videocodec kann die Arbeitsgeschwindigkeit eines Prozessors stark beschleunigen und die Akkulaufzeit von Notebooks oder Smartphones bei der Wiedergabe von Videos verlängern. |
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Qualcomm Adreno 505 | GPU | ARM Mali-T830 MP2 |
Dekodieren | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Dekodieren / Enkodieren |
Nein | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Dekodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h264 | Dekodieren / Enkodieren |
Nein | Codec VP9 | Nein |
Nein | Codec VP8 | Dekodieren / Enkodieren |
Nein | Codec AV1 | Nein |
Nein | Codec AVC | Nein |
Dekodieren | Codec VC-1 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec JPEG | Dekodieren / Enkodieren |
Arbeitsspeicher & PCIeBis zu 6 GB Arbeitsspeicher in maximal 2 Speicherkanälen werden vom Qualcomm Snapdragon 435 unterstützt, während der HiSilicon Kirin 650 maximal GB Arbeitsspeicher mit einer maximalen Speicherbandbreite von -- ermöglicht. |
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Qualcomm Snapdragon 435 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 650 |
LPDDR3-1600 | Arbeitsspeicher | LPDDR3-933 |
6 GB | Max. Speicher | |
2 (Dual Channel) | Speicherkanäle | 2 (Dual Channel) |
12,8 GB/s | Max. Bandbreite | -- |
Nein | ECC | Nein |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
-- | PCIe Version | -- |
-- | PCIe Leitungen | -- |
-- | PCIe Bandbreite | -- |
LeistungsaufnahmeDer Qualcomm Snapdragon 435 besitzt eine TDP von --. Die TDP des HiSilicon Kirin 650 liegt bei --. Systemintegratoren orientieren sich bei der Dimensionierung der Kühllösung an der TDP des Prozessors. |
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Qualcomm Snapdragon 435 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 650 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Technische DatenDer Qualcomm Snapdragon 435 besitzt 0,00 MB Cache und wird in 28 nm hergestellt. Der Cache des HiSilicon Kirin 650 liegt bei 0,00 MB. Der Prozessor wird in 16 nm gefertigt. |
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Qualcomm Snapdragon 435 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 650 |
28 nm | Technologie | 16 nm |
Chiplet | Chip-Design | Chiplet |
Armv8-A (64 bit) | Befehlssatz (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | ISA Erweiterungen | -- |
-- | Sockel | -- |
Keine | Virtualisierung | Keine |
Nein | AES-NI | Nein |
Android | Betriebssysteme | Android |
Q4/2016 | Erscheinungsdatum | Q2/2016 |
-- | Erscheinungspreis | -- |
weitere Daten anzeigen | weitere Daten anzeigen | |
Qualcomm Snapdragon 435
8C 8T @ 1,40 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
Qualcomm Snapdragon 435
8C 8T @ 1,40 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
Qualcomm Snapdragon 435
Qualcomm Adreno 505 @ 0,45 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0,90 GHz |
Qualcomm Snapdragon 435
8C 8T @ 1,40 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
Geräte mit diesem Prozessor |
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Qualcomm Snapdragon 435 | HiSilicon Kirin 650 |
Unbekannt | Unbekannt |