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Qualcomm Snapdragon 215 | HiSilicon Kirin 910 | |
CPU VergleichQualcomm Snapdragon 215 oder HiSilicon Kirin 910 - welcher Prozessor ist schneller ? In diesem Vergleich betrachten wir die Unterschiede und analysieren welche dieser beiden CPUs besser ist. Dabei vergleichen wir die technischen Daten und Benchmark-Ergebnisse.
Der Qualcomm Snapdragon 215 besitzt 4 Kerne mit 4 Threads und taktet mit maximal 1,30 GHz. Es werden bis zu 3 GB Arbeitsspeicher in 1 Speicherkanälen unterstützt. Erschienen ist der Qualcomm Snapdragon 215 im Q3/2019. Der HiSilicon Kirin 910 besitzt 4 Kerne mit 4 Threads und taktet mit maximal 1,60 GHz. Die CPU unterstützt bis zu GB Arbeitsspeicher in 1 Speicherkanälen. Erschienen ist der HiSilicon Kirin 910 im Q1/2014. |
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Qualcomm Snapdragon (104) | Familie | HiSilicon Kirin (29) |
Qualcomm Snapdragon QM215 (1) | CPU Gruppe | HiSilicon Kirin 910 (2) |
3 | Generation | 1 |
Cortex-A53 | Architektur | Cortex-A9 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Vorgänger | -- |
-- | Nachfolger | -- |
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CPU Kerne und TaktfrequenzDer Qualcomm Snapdragon 215 besitzt 4 CPU-Kerne und kann 4 Threads parallel berechnen. Die Taktfrequenz des Qualcomm Snapdragon 215 liegt bei 1,30 GHz während der HiSilicon Kirin 910 4 CPU-Kerne besitzt und 4 Threads gleichzeitig berechnen kann. Die Taktfrequenz des HiSilicon Kirin 910 liegt bei 1,60 GHz. |
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Qualcomm Snapdragon 215 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 910 |
4 | Kerne | 4 |
4 | Threads | 4 |
normal | Kernarchitektur | normal |
Nein | Hyperthreading | Nein |
Nein | Übertaktbar ? | Nein |
1,30 GHz | Taktfrequenz | 1,60 GHz |
-- | Turbo Taktfrequenz (1 Kern) | -- |
-- | Turbo Taktfrequenz (Alle Kerne) | -- |
AI-Leistung der NPUDie Leistungswerte der KI-Einheit des Prozessors. Es wird hier die isolierte NPU Leistung angegeben, die gesamte KI-Leistung (NPU+CPU+iGPU) kann höher sein. Prozessoren mit Unterstützung von künstlicher Intelligenz (KI) und maschinellem Lernen (ML) können viele Berechnungen insbesondere der Audio-, Bild- und Videoverarbeitung sehr viel schneller verarbeiten als klassische Prozessoren. |
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Qualcomm Snapdragon 215 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 910 |
Qualcomm AI engine | KI-Hardware | -- |
Hexagon | KI-Spezifikationen | -- |
-- | NPU + CPU + iGPU | -- |
Interne Grafik (iGPU)Der Qualcomm Snapdragon 215 oder HiSilicon Kirin 910 verfügt über eine integrierte Grafik, kurz iGPU genannt. Die iGPU nutzt den Arbeitsspeicher des Systems als Grafikspeicher und sitzt auf dem Die des Prozessors. |
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Qualcomm Adreno 308 | GPU | ARM Mali-450 MP4 |
0,50 GHz | Grafik-Taktfrequenz | 0,53 GHz |
0,50 GHz | GPU (Turbo) | 0,53 GHz |
3 | GPU Generation | Utgard |
28 nm | Technologie | 28nm |
0 | Max. Bildschirme | 1 |
-- | Ausführungseinheiten | 4 |
24 | Shader | 64 |
Nein | Hardware Raytracing | Nein |
Nein | Frame Generation | Nein |
-- | Max. GPU Speicher | -- |
11 | DirectX Version | 0 |
Codec-Unterstützung in HardwareEin in Hardware beschleunigter Foto- oder Videocodec kann die Arbeitsgeschwindigkeit eines Prozessors stark beschleunigen und die Akkulaufzeit von Notebooks oder Smartphones bei der Wiedergabe von Videos verlängern. |
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Qualcomm Adreno 308 | GPU | ARM Mali-450 MP4 |
Dekodieren | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Nein |
Nein | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h264 | Nein |
Nein | Codec VP9 | Nein |
Nein | Codec VP8 | Nein |
Nein | Codec AV1 | Nein |
Nein | Codec AVC | Nein |
Dekodieren | Codec VC-1 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec JPEG | Nein |
Arbeitsspeicher & PCIeDer Qualcomm Snapdragon 215 kann bis zu 3 GB Arbeitsspeicher in 1 Speicherkanälen nutzen. Die maximale Speicherbandbreite liegt bei 4,3 GB/s. Bis zu GB Arbeitsspeicher unterstützt der HiSilicon Kirin 910 in 1 Speicherkanälen und erreicht eine Speicherbandbreite von bis zu --. |
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Qualcomm Snapdragon 215 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 910 |
LPDDR3-1066 | Arbeitsspeicher | LPDDR3 |
3 GB | Max. Speicher | |
1 (Single Channel) | Speicherkanäle | 1 (Single Channel) |
4,3 GB/s | Max. Bandbreite | -- |
Nein | ECC | Nein |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
-- | PCIe Version | -- |
-- | PCIe Leitungen | -- |
-- | PCIe Bandbreite | -- |
LeistungsaufnahmeDie Thermal Design Power (kurz TDP) des Qualcomm Snapdragon 215 liegt bei --, während der HiSilicon Kirin 910 eine TDP von -- besitzt. Die TDP gibt die notwendige Kühllösung vor, die benötigt wird um den Prozessor ausreichend zu kühlen. |
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Qualcomm Snapdragon 215 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 910 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Technische DatenDer Qualcomm Snapdragon 215 wird in 28 nm gefertigt und verfügt über 0,00 MB Cache. Der HiSilicon Kirin 910 wird in 28 nm gefertigt und verfügt über einen 0,00 MB großen Cache. |
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Qualcomm Snapdragon 215 | Eigenschaft | HiSilicon Kirin 910 |
28 nm | Technologie | 28 nm |
Chiplet | Chip-Design | Chiplet |
Armv8-A (64 bit) | Befehlssatz (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | ISA Erweiterungen | -- |
-- | Sockel | -- |
Keine | Virtualisierung | Keine |
Nein | AES-NI | Nein |
Android | Betriebssysteme | Android |
Q3/2019 | Erscheinungsdatum | Q1/2014 |
-- | Erscheinungspreis | -- |
weitere Daten anzeigen | weitere Daten anzeigen | |
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Qualcomm Snapdragon 215
Qualcomm Adreno 308 @ 0,50 GHz |
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HiSilicon Kirin 910
ARM Mali-450 MP4 @ 0,53 GHz |
Geräte mit diesem Prozessor |
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Qualcomm Snapdragon 215 | HiSilicon Kirin 910 |
Unbekannt | Unbekannt |