Qualcomm Snapdragon 215 vs HiSilicon Kirin 910

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Comparaison avec des benchmarks


Qualcomm Snapdragon 215 CPU1 vs CPU2 HiSilicon Kirin 910
Qualcomm Snapdragon 215 HiSilicon Kirin 910

Comparaison CPU

Qualcomm Snapdragon 215 ou HiSilicon Kirin 910 - quel processeur est le plus rapide ? Dans cette comparaison, nous examinons les différences et analysons lequel de ces deux processeurs est le meilleur. Nous comparons les données techniques et les résultats de référence.

Le Qualcomm Snapdragon 215 a 4 cœurs avec 4 threads et horloges avec une fréquence maximale de 1.30 GHz. Jusqu'à 3 Go de mémoire est pris en charge dans 1 canaux de mémoire. Le Qualcomm Snapdragon 215 a été publié en Q3/2019.

Le HiSilicon Kirin 910 a 4 cœurs avec 4 threads et horloges avec une fréquence maximale de 1.60 GHz. Le processeur prend en charge jusqu'à Go de mémoire dans 1 canaux de mémoire. Le HiSilicon Kirin 910 a été publié en Q1/2014.
Qualcomm Snapdragon (104) Famille HiSilicon Kirin (29)
Qualcomm Snapdragon QM215 (1) Groupe de processeurs HiSilicon Kirin 910 (2)
3 Génération 1
Cortex-A53 Architecture Cortex-A9
Mobile Segment Mobile
-- Prédécesseur --
-- Successeur --

Cœurs de processeur et fréquence de base

Le Qualcomm Snapdragon 215 a 4 cœurs de processeur et peut calculer 4 threads en parallèle. La fréquence d'horloge du Qualcomm Snapdragon 215 est 1.30 GHz tandis que le HiSilicon Kirin 910 a 4 cœurs de processeur et 4 threads peuvent calculer simultanément. La fréquence d'horloge de HiSilicon Kirin 910 est à 1.60 GHz.

Qualcomm Snapdragon 215 Caractéristique HiSilicon Kirin 910
4 Cores 4
4 Threads 4
normal Architecture de base normal
Non Hyperthreading Non
Non Overclocking ? Non
1.30 GHz La fréquence 1.60 GHz
-- Turbo La fréquence (1 Core) --
-- Turbo La fréquence (Tout Cores) --

Performances de l'IA NPU

Les valeurs de performances de l'unité AI du processeur. Les performances du NPU isolé sont indiquées ici, les performances globales de l'IA (NPU+CPU+iGPU) peuvent être plus élevées. Les processeurs prenant en charge l'intelligence artificielle (IA) et l'apprentissage automatique (ML) peuvent traiter de nombreux calculs, notamment le traitement audio, d'image et vidéo, beaucoup plus rapidement que les processeurs classiques.

Qualcomm Snapdragon 215 Caractéristique HiSilicon Kirin 910
Qualcomm AI engine Matériel AI --
Hexagon Spécifications de l'IA --
-- NPU + CPU + iGPU --

Graphiques internes

Le Qualcomm Snapdragon 215 ou HiSilicon Kirin 910 a des graphiques intégrés, appelés iGPU en abrégé. L'iGPU utilise la mémoire principale du système comme mémoire graphique et repose sur la matrice du processeur.

Qualcomm Adreno 308 GPU ARM Mali-450 MP4
0.50 GHz Fréquence GPU 0.53 GHz
0.50 GHz GPU (Turbo) 0.53 GHz
3 GPU Generation Utgard
28 nm La technologie 28nm
0 Max. affiche 1
-- Unités d'exécution 4
24 Shader 64
Non Hardware Raytracing Non
Non Frame Generation Non
-- Max. GPU Mémoire --
11 DirectX Version 0

Prise en charge du codec matériel

Un codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos.

Qualcomm Adreno 308 GPU ARM Mali-450 MP4
Décoder Codec h265 / HEVC (8 bit) Non
Non Codec h265 / HEVC (10 bit) Non
Décoder / Encoder Codec h264 Non
Non Codec VP9 Non
Non Codec VP8 Non
Non Codec AV1 Non
Non Codec AVC Non
Décoder Codec VC-1 Non
Décoder / Encoder Codec JPEG Non

Mémoire & PCIe

Le Qualcomm Snapdragon 215 peut utiliser jusqu'à 3 Go de mémoire dans 1 canaux de mémoire. La bande passante mémoire maximale est de 4.3 Go/s. Le HiSilicon Kirin 910 prend en charge jusqu'à Go de mémoire dans 1 canaux de mémoire et atteint une bande passante mémoire allant jusqu'à --.

Qualcomm Snapdragon 215 Caractéristique HiSilicon Kirin 910
LPDDR3-1066 Mémoire LPDDR3
3 Go Max. Mémoire
1 (Single Channel) Canaux de mémoire 1 (Single Channel)
4.3 Go/s Max. Bande passante --
Non ECC Non
-- L2 Cache --
-- L3 Cache --
-- Version PCIe --
-- PCIe lanes --
-- PCIe Bande passante --

Gestion thermale

La puissance thermique nominale (TDP en abrégé) du Qualcomm Snapdragon 215 est de --, tandis que le HiSilicon Kirin 910 a un TDP de --. Le TDP spécifie la solution de refroidissement nécessaire pour refroidir suffisamment le processeur.

Qualcomm Snapdragon 215 Caractéristique HiSilicon Kirin 910
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

Détails techniques

Le Qualcomm Snapdragon 215 est fabriqué en 28 nm et a 0.00 cache de Mo. Le HiSilicon Kirin 910 est fabriqué en 28 nm et dispose d'un cache 0.00 Mo.

Qualcomm Snapdragon 215 Caractéristique HiSilicon Kirin 910
28 nm La technologie 28 nm
Chiplet Conception de puce Chiplet
Armv8-A (64 bit) Jeu d'instructions (ISA) Armv7-A (32 bit)
-- Extensions ISA --
-- Socket --
Aucun La virtualisation Aucun
Non AES-NI Non
Android Systèmes d'exploitation Android
Q3/2019 Date de sortie Q1/2014
-- Prix de sortie --
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iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)

Les performances de calcul théoriques de l'unité graphique interne du processeur avec une précision simple (32 bits) dans GFLOPS. GFLOPS indique combien de milliards d'opérations en virgule flottante l'iGPU peut effectuer par seconde.
Qualcomm Snapdragon 215 Qualcomm Snapdragon 215
Qualcomm Adreno 308 @ 0.50 GHz
24 (75%)
HiSilicon Kirin 910 HiSilicon Kirin 910
ARM Mali-450 MP4 @ 0.53 GHz
32 (100%)

Périphériques utilisant ce processeur

Qualcomm Snapdragon 215 HiSilicon Kirin 910
Inconnu Inconnu

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