HiSilicon Kirin 810 | Qualcomm Snapdragon 780G | |
CPU VergleichHiSilicon Kirin 810 oder Qualcomm Snapdragon 780G - welcher Prozessor ist schneller ? In diesem Vergleich betrachten wir die Unterschiede und analysieren welche dieser beiden CPUs besser ist. Dabei vergleichen wir die technischen Daten und Benchmark-Ergebnisse.
Der HiSilicon Kirin 810 besitzt 8 Kerne mit 8 Threads und taktet mit maximal 2,20 GHz. Es werden bis zu 6 GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen unterstützt. Erschienen ist der HiSilicon Kirin 810 im Q2/2019. Der Qualcomm Snapdragon 780G besitzt 8 Kerne mit 8 Threads und taktet mit maximal 2,40 GHz. Die CPU unterstützt bis zu 16 GB Arbeitsspeicher in 2 Speicherkanälen. Erschienen ist der Qualcomm Snapdragon 780G im Q2/2021. |
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HiSilicon Kirin (29) | Familie | Qualcomm Snapdragon (103) |
HiSilicon Kirin 810/820 (3) | CPU Gruppe | Qualcomm Snapdragon 780 (2) |
6 | Generation | 4 |
Cortex-A76 / Cortex-A55 | Architektur | Kryo 670 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Vorgänger | -- |
-- | Nachfolger | Qualcomm Snapdragon 782G |
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CPU Kerne und TaktfrequenzDer HiSilicon Kirin 810 besitzt 8 CPU-Kerne und kann 8 Threads parallel berechnen. Die Taktfrequenz des HiSilicon Kirin 810 liegt bei 2,20 GHz während der Qualcomm Snapdragon 780G 8 CPU-Kerne besitzt und 8 Threads gleichzeitig berechnen kann. Die Taktfrequenz des Qualcomm Snapdragon 780G liegt bei 2,40 GHz. |
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HiSilicon Kirin 810 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 780G |
8 | Kerne | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (big.LITTLE) | Kernarchitektur | hybrid (Prime / big.LITTLE) |
Nein | Hyperthreading | Nein |
Nein | Übertaktbar ? | Nein |
2,20 GHz 2x Cortex-A76 |
A-Kern | 2,40 GHz 1x Kryo 670 Prime |
1,90 GHz 6x Cortex-A55 |
B-Kern | 2,20 GHz 3x Kryo 670 Gold |
-- | C-Kern | 1,90 GHz 4x Kryo 670 Silver |
Interne Grafik (iGPU)Der HiSilicon Kirin 810 oder Qualcomm Snapdragon 780G verfügt über eine integrierte Grafik, kurz iGPU genannt. Die iGPU nutzt den Arbeitsspeicher des Systems als Grafikspeicher und sitzt auf dem Die des Prozessors. |
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ARM Mali-G52 MP6 | GPU | Qualcomm Adreno 642 |
0,85 GHz | Grafik-Taktfrequenz | -- |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Bifrost 2 | GPU Generation | 5 |
12 nm | Technologie | 5 nm |
2 | Max. Bildschirme | 1 |
16 | Ausführungseinheiten | 4 |
288 | Shader | 384 |
Nein | Hardware Raytracing | Nein |
Nein | Frame Generation | Nein |
4 GB | Max. GPU Speicher | 4 GB |
12 | DirectX Version | 12.0 |
Codec-Unterstützung in HardwareEin in Hardware beschleunigter Foto- oder Videocodec kann die Arbeitsgeschwindigkeit eines Prozessors stark beschleunigen und die Akkulaufzeit von Notebooks oder Smartphones bei der Wiedergabe von Videos verlängern. |
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ARM Mali-G52 MP6 | GPU | Qualcomm Adreno 642 |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h264 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP9 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP8 | Dekodieren / Enkodieren |
Nein | Codec AV1 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec AVC | Dekodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VC-1 | Dekodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec JPEG | Dekodieren / Enkodieren |
Arbeitsspeicher & PCIeDer HiSilicon Kirin 810 kann bis zu 6 GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen nutzen. Die maximale Speicherbandbreite liegt bei --. Bis zu 16 GB Arbeitsspeicher unterstützt der Qualcomm Snapdragon 780G in 2 Speicherkanälen und erreicht eine Speicherbandbreite von bis zu 34,1 GB/s. |
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HiSilicon Kirin 810 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 780G |
LPDDR4X-2133 | Arbeitsspeicher | LPDDR4X-4266 |
6 GB | Max. Speicher | 16 GB |
4 (Quad Channel) | Speicherkanäle | 2 (Dual Channel) |
-- | Max. Bandbreite | 34,1 GB/s |
Nein | ECC | Nein |
-- | L2 Cache | -- |
1,00 MB | L3 Cache | 2,00 MB |
-- | PCIe Version | -- |
-- | PCIe Leitungen | -- |
-- | PCIe Bandbreite | -- |
LeistungsaufnahmeDie Thermal Design Power (kurz TDP) des HiSilicon Kirin 810 liegt bei 5 W, während der Qualcomm Snapdragon 780G eine TDP von 5 W besitzt. Die TDP gibt die notwendige Kühllösung vor, die benötigt wird um den Prozessor ausreichend zu kühlen. |
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HiSilicon Kirin 810 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 780G |
5 W | TDP (PL1 / PBP) | 5 W |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Technische DatenDer HiSilicon Kirin 810 wird in 7 nm gefertigt und verfügt über 1,00 MB Cache. Der Qualcomm Snapdragon 780G wird in 5 nm gefertigt und verfügt über einen 2,00 MB großen Cache. |
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HiSilicon Kirin 810 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 780G |
7 nm | Technologie | 5 nm |
Chiplet | Chip-Design | Chiplet |
Armv8-A (64 bit) | Befehlssatz (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | ISA Erweiterungen | -- |
-- | Sockel | -- |
Keine | Virtualisierung | Keine |
Nein | AES-NI | Nein |
Android | Betriebssysteme | Android |
Q2/2019 | Erscheinungsdatum | Q2/2021 |
-- | Erscheinungspreis | -- |
weitere Daten anzeigen | weitere Daten anzeigen | |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
ARM Mali-G52 MP6 @ 0,85 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
Qualcomm Adreno 642 @ 0,00 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2,20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 780G
8C 8T @ 2,40 GHz |
Geräte mit diesem Prozessor |
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HiSilicon Kirin 810 | Qualcomm Snapdragon 780G |
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Unbekannt |