HiSilicon Kirin 655 | Qualcomm Snapdragon 410 | |
CPU VergleichIn diesem CPU-Vergleich stellen wir den HiSilicon Kirin 655 und den Qualcomm Snapdragon 410 gegenüber und prüfen anhand von Benchmarks, welcher Prozessor schneller ist.
Wir vergleichen den HiSilicon Kirin 655 8-Kern Prozessor der im Q2/2016 erschienen ist mit dem Qualcomm Snapdragon 410, welcher 4 CPU-Kerne besitzt und im 2014 vorgestellt wurde. |
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HiSilicon Kirin (29) | Familie | Qualcomm Snapdragon (104) |
HiSilicon Kirin 650 (4) | CPU Gruppe | Qualcomm Snapdragon 410 (4) |
4 | Generation | 2 |
Cortex-A53 / Cortex-A53 | Architektur | Cortex-A53 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Vorgänger | -- |
-- | Nachfolger | -- |
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CPU Kerne und TaktfrequenzDer HiSilicon Kirin 655 ist ein 8-Kern Prozessor mit einer Taktfrequenz von 2,12 GHz. Der Prozessor kann zeitgleich 8 Threads berechnen. Der Qualcomm Snapdragon 410 taktet mit 1,20 GHz, besitzt 4 CPU-Kerne und kann parallel 4 Threads berechnen. |
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HiSilicon Kirin 655 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 410 |
8 | Kerne | 4 |
8 | Threads | 4 |
hybrid (big.LITTLE) | Kernarchitektur | normal |
Nein | Hyperthreading | Nein |
Nein | Übertaktbar ? | Nein |
2,12 GHz 4x Cortex-A53 |
A-Kern | 1,20 GHz 4x Cortex-A53 |
1,70 GHz 4x Cortex-A53 |
B-Kern | -- |
AI-Leistung der NPUDie Leistungswerte der KI-Einheit des Prozessors. Es wird hier die isolierte NPU Leistung angegeben, die gesamte KI-Leistung (NPU+CPU+iGPU) kann höher sein. Prozessoren mit Unterstützung von künstlicher Intelligenz (KI) und maschinellem Lernen (ML) können viele Berechnungen insbesondere der Audio-, Bild- und Videoverarbeitung sehr viel schneller verarbeiten als klassische Prozessoren. |
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HiSilicon Kirin 655 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 410 |
-- | KI-Hardware | Qualcomm AI engine |
-- | KI-Spezifikationen | QDSP6 |
-- | NPU + CPU + iGPU | -- |
Interne Grafik (iGPU)Eine in den Prozessor integrierte Grafik (iGPU) ermöglicht nicht nur die Bildausgabe ohne auf eine dedizierte Grafiklösung angewiesen zu sein, sondern kann auch die Videowiedergabe effizient beschleunigen. |
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ARM Mali-T830 MP2 | GPU | Qualcomm Adreno 306 |
0,90 GHz | Grafik-Taktfrequenz | 0,40 GHz |
-- | GPU (Turbo) | 0,40 GHz |
Midgard 4 | GPU Generation | 3 |
28nm | Technologie | 28 nm |
2 | Max. Bildschirme | 0 |
2 | Ausführungseinheiten | -- |
32 | Shader | 24 |
Nein | Hardware Raytracing | Nein |
Nein | Frame Generation | Nein |
-- | Max. GPU Speicher | -- |
11 | DirectX Version | 11 |
Codec-Unterstützung in HardwareEin in Hardware beschleunigter Foto- oder Videocodec kann die Arbeitsgeschwindigkeit eines Prozessors stark beschleunigen und die Akkulaufzeit von Notebooks oder Smartphones bei der Wiedergabe von Videos verlängern. |
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ARM Mali-T830 MP2 | GPU | Qualcomm Adreno 306 |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Dekodieren |
Dekodieren | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h264 | Dekodieren / Enkodieren |
Nein | Codec VP9 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP8 | Nein |
Nein | Codec AV1 | Nein |
Nein | Codec AVC | Nein |
Nein | Codec VC-1 | Dekodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec JPEG | Dekodieren / Enkodieren |
Arbeitsspeicher & PCIeBis zu GB Arbeitsspeicher in maximal 2 Speicherkanälen werden vom HiSilicon Kirin 655 unterstützt, während der Qualcomm Snapdragon 410 maximal 4 GB Arbeitsspeicher mit einer maximalen Speicherbandbreite von 8,5 GB/s ermöglicht. |
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HiSilicon Kirin 655 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 410 |
LPDDR3-933 | Arbeitsspeicher | LPDDR3-1066, LPDDR2-1066 |
Max. Speicher | 4 GB | |
2 (Dual Channel) | Speicherkanäle | 2 (Dual Channel) |
-- | Max. Bandbreite | 8,5 GB/s |
Nein | ECC | Nein |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
-- | PCIe Version | -- |
-- | PCIe Leitungen | -- |
-- | PCIe Bandbreite | -- |
LeistungsaufnahmeDer HiSilicon Kirin 655 besitzt eine TDP von --. Die TDP des Qualcomm Snapdragon 410 liegt bei --. Systemintegratoren orientieren sich bei der Dimensionierung der Kühllösung an der TDP des Prozessors. |
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HiSilicon Kirin 655 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 410 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Technische DatenDer HiSilicon Kirin 655 besitzt 0,00 MB Cache und wird in 16 nm hergestellt. Der Cache des Qualcomm Snapdragon 410 liegt bei 0,00 MB. Der Prozessor wird in 28 nm gefertigt. |
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HiSilicon Kirin 655 | Eigenschaft | Qualcomm Snapdragon 410 |
16 nm | Technologie | 28 nm |
Chiplet | Chip-Design | Chiplet |
Armv8-A (64 bit) | Befehlssatz (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | ISA Erweiterungen | -- |
-- | Sockel | -- |
Keine | Virtualisierung | Keine |
Nein | AES-NI | Nein |
Android | Betriebssysteme | Android |
Q2/2016 | Erscheinungsdatum | 2014 |
-- | Erscheinungspreis | -- |
weitere Daten anzeigen | weitere Daten anzeigen | |
HiSilicon Kirin 655
ARM Mali-T830 MP2 @ 0,90 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 410
Qualcomm Adreno 306 @ 0,40 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2,12 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 410
4C 4T @ 1,20 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2,12 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 410
4C 4T @ 1,20 GHz |
Geräte mit diesem Prozessor |
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HiSilicon Kirin 655 | Qualcomm Snapdragon 410 |
Unbekannt | Unbekannt |