HiSilicon Kirin 655 vs Qualcomm Snapdragon 410

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Comparaison avec des benchmarks


HiSilicon Kirin 655 CPU1 vs CPU2 Qualcomm Snapdragon 410
HiSilicon Kirin 655 Qualcomm Snapdragon 410

Comparaison CPU

Dans cette comparaison de CPU, nous comparons le HiSilicon Kirin 655 et le Qualcomm Snapdragon 410 et utilisons des benchmarks pour vérifier quel processeur est le plus rapide.

Nous comparons le HiSilicon Kirin 655 8 processeur principal publié dans Q2/2016 avec le Qualcomm Snapdragon 410 qui a 4 cœurs de processeur et a été introduit dans 2014.
HiSilicon Kirin (29) Famille Qualcomm Snapdragon (104)
HiSilicon Kirin 650 (4) Groupe de processeurs Qualcomm Snapdragon 410 (4)
4 Génération 2
Cortex-A53 / Cortex-A53 Architecture Cortex-A53
Mobile Segment Mobile
-- Prédécesseur --
-- Successeur --

Cœurs de processeur et fréquence de base

Le HiSilicon Kirin 655 est un processeur central 8 avec une fréquence d'horloge de 2.12 GHz. Le processeur peut calculer 8 threads en même temps. Les horloges Qualcomm Snapdragon 410 avec 1.20 GHz, ont 4 cœurs de processeur et peuvent calculer 4 threads en parallèle.
HiSilicon Kirin 655 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 410
8 Cores 4
8 Threads 4
hybrid (big.LITTLE) Architecture de base normal
Non Hyperthreading Non
Non Overclocking ? Non
2.12 GHz
4x Cortex-A53		 A-Core 1.20 GHz
4x Cortex-A53
1.70 GHz
4x Cortex-A53		 B-Core --

Performances de l'IA NPU

Les valeurs de performances de l'unité AI du processeur. Les performances du NPU isolé sont indiquées ici, les performances globales de l'IA (NPU+CPU+iGPU) peuvent être plus élevées. Les processeurs prenant en charge l'intelligence artificielle (IA) et l'apprentissage automatique (ML) peuvent traiter de nombreux calculs, notamment le traitement audio, d'image et vidéo, beaucoup plus rapidement que les processeurs classiques.
HiSilicon Kirin 655 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 410
-- Matériel AI Qualcomm AI engine
-- Spécifications de l'IA QDSP6
-- NPU + CPU + iGPU --

Graphiques internes

Les graphiques (iGPU) intégrés au processeur permettent non seulement la sortie d'image sans avoir à s'appuyer sur une solution graphique dédiée, mais peuvent également accélérer efficacement la lecture vidéo.
ARM Mali-T830 MP2 GPU Qualcomm Adreno 306
0.90 GHz Fréquence GPU 0.40 GHz
-- GPU (Turbo) 0.40 GHz
Midgard 4 GPU Generation 3
28nm La technologie 28 nm
2 Max. affiche 0
2 Unités d'exécution --
32 Shader 24
Non Hardware Raytracing Non
Non Frame Generation Non
-- Max. GPU Mémoire --
11 DirectX Version 11

Prise en charge du codec matériel

Un codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos.
ARM Mali-T830 MP2 GPU Qualcomm Adreno 306
Décoder / Encoder Codec h265 / HEVC (8 bit) Décoder
Décoder Codec h265 / HEVC (10 bit) Non
Décoder / Encoder Codec h264 Décoder / Encoder
Non Codec VP9 Non
Décoder / Encoder Codec VP8 Non
Non Codec AV1 Non
Non Codec AVC Non
Non Codec VC-1 Décoder
Décoder / Encoder Codec JPEG Décoder / Encoder

Mémoire & PCIe

Jusqu'à Go de mémoire dans un maximum de 2 canaux de mémoire est pris en charge par le HiSilicon Kirin 655, tandis que le Qualcomm Snapdragon 410 prend en charge un maximum de 4 Go de mémoire avec une bande passante mémoire maximale de 8.5 Go/s activée.
HiSilicon Kirin 655 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 410
LPDDR3-933 Mémoire LPDDR3-1066, LPDDR2-1066
Max. Mémoire 4 Go
2 (Dual Channel) Canaux de mémoire 2 (Dual Channel)
-- Max. Bande passante 8.5 Go/s
Non ECC Non
-- L2 Cache --
-- L3 Cache --
-- Version PCIe --
-- PCIe lanes --
-- PCIe Bande passante --

Gestion thermale

Le HiSilicon Kirin 655 a un TDP de --. Le TDP de Qualcomm Snapdragon 410 est --. Les intégrateurs système utilisent le TDP du processeur comme guide lors du dimensionnement de la solution de refroidissement.
HiSilicon Kirin 655 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 410
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

Détails techniques

Le HiSilicon Kirin 655 a 0.00 Mo de cache et est fabriqué en 16 nm. Le cache de Qualcomm Snapdragon 410 est à 0.00 Mo. Le processeur est fabriqué en 28 nm.
HiSilicon Kirin 655 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 410
16 nm La technologie 28 nm
Chiplet Conception de puce Chiplet
Armv8-A (64 bit) Jeu d'instructions (ISA) Armv8-A (64 bit)
-- Extensions ISA --
-- Socket --
Aucun La virtualisation Aucun
Non AES-NI Non
Android Systèmes d'exploitation Android
Q2/2016 Date de sortie 2014
-- Prix de sortie --
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iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)

Les performances de calcul théoriques de l'unité graphique interne du processeur avec une précision simple (32 bits) dans GFLOPS. GFLOPS indique combien de milliards d'opérations en virgule flottante l'iGPU peut effectuer par seconde.
HiSilicon Kirin 655 HiSilicon Kirin 655
ARM Mali-T830 MP2 @ 0.90 GHz
61 (100%)
Qualcomm Snapdragon 410 Qualcomm Snapdragon 410
Qualcomm Adreno 306 @ 0.40 GHz
19 (31%)

Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5 est un benchmark multi-plateformes qui utilise beaucoup la mémoire système. Une mémoire rapide va beaucoup pousser le résultat. Le test monocœur utilise un seul cœur de processeur, la quantité de cœurs ou la capacité d’hyperthreading ne comptent pas.
HiSilicon Kirin 655 HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz
168 (100%)
Qualcomm Snapdragon 410 Qualcomm Snapdragon 410
4C 4T @ 1.20 GHz
0 (0%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5 est un benchmark multi-plateformes qui utilise beaucoup la mémoire système. Une mémoire rapide va beaucoup pousser le résultat. Le test multicœur concerne tous les cœurs de processeur et procure un avantage considérable de l'hyperthreading.
HiSilicon Kirin 655 HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz
794 (100%)
Qualcomm Snapdragon 410 Qualcomm Snapdragon 410
4C 4T @ 1.20 GHz
0 (0%)

Périphériques utilisant ce processeur
HiSilicon Kirin 655 Qualcomm Snapdragon 410
Inconnu Inconnu

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