姓: | HiSilicon Kirin 960 |
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家族: | HiSilicon Kirin (29) |
CPUグループ: | HiSilicon Kirin 960 (2) |
アーキテクチャ: | Cortex-A73 / Cortex-A53 |
技術: | 16 nm |
セグメント: | Smartphone / Tablet |
世代: | 5 |
前任者: | -- |
後継: | -- |
CPU コア / Threads: | 8 / 8 |
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コアアーキテクチャ: | hybrid (big.LITTLE) |
A-Core: | 4x Cortex-A73 |
B-Core: | 4x Cortex-A53 |
ハイパースレッディング / SMT: | いいえ |
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オーバークロック可能: | いいえ |
A-Core クロック周波数: | 2.40 GHz |
B-Core クロック周波数: | 1.80 GHz |
グラフィック: | ARM Mali-G71 MP8 |
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グラフィック クロック周波数: | 0.90 GHz |
GPU (ターボ): | ターボなし |
ユニット: | 8 |
Shader: | 256 |
Hardware Raytracing: | いいえ |
リリース日: | Q2/2016 |
最大画面サイズ: | 2 |
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Generation: | Bifrost 1 |
Direct X: | 11 |
技術: | 16 nm |
最大メモリ容量: | 2 GB |
Frame Generation: | いいえ |
h265 / HEVC (8 bit): | 復号化/符号化 |
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h265 / HEVC (10 bit): | 復号化 |
h264: | 復号化/符号化 |
VP8: | 復号化/符号化 |
VP9: | いいえ |
AV1: | いいえ |
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AVC: | 復号化/符号化 |
VC-1: | いいえ |
JPEG: | 復号化/符号化 |
RAM & PCIeHiSilicon Kirin 960 は、最大 6 GB のメモリをサポートします。 メインボードに応じて、プロセッサは最大 2 (Dual Channel) のメモリ チャネルを使用できます。 これにより、メイン メモリの最大帯域幅は 12.8 GB/s になります。 |
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メモリ種別: | メモリ帯域幅: |
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LPDDR4-1600 | 12.8 GB/s |
最大メモリ容量: | 6 GB |
メモリ チャンネル: | 2 (Dual Channel) |
ECC: | いいえ |
PCIe: | |
PCIe 帯域幅: | -- |
熱管理HiSilicon Kirin 960 の TDP は 5 W です。 TDP に基づいて、システム メーカーは冷却ソリューションをプロセッサーに適合させることができ、またそうしなければなりません。 |
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TDP (PL1 / PBP): | 5 W |
TDP (PL2): | -- |
TDP up: | -- |
TDP down: | -- |
Tjunction max.: | -- |
技術: | 16 nm |
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チップ設計: | チップレット |
ソケット: | -- |
L2-Cache: | -- |
L3-Cache: | 4.00 MB |
AES-NI: | いいえ |
オペレーティングシステム: | Android |
仮想化: | なし |
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指図書 (ISA): | Armv8-A (64 bit) |
ISA拡張機能: | -- |
リリース日: | Q4/2016 |
発売価格: | -- |
部品番号: | -- |
ドキュメント: | テクニカルデータシート |
Apple A8
2C 2T @ 1.50 GHz |
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Samsung Exynos 8890
8C 8T @ 2.60 GHz |
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MediaTek Helio G80
8C 8T @ 2.00 GHz |
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HiSilicon Kirin 960
8C 8T @ 2.40 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 670
8C 8T @ 2.00 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 821
4C 4T @ 2.40 GHz |
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Samsung Exynos 9610
8C 8T @ 2.30 GHz |
Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C 8T @ 2.40 GHz |
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MediaTek Dimensity 720
8C 8T @ 2.00 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 712
8C 8T @ 2.30 GHz |
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HiSilicon Kirin 960
8C 8T @ 2.40 GHz |
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UNISOC T700
8C 8T @ 1.80 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 710
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Samsung Exynos 8895
8C 8T @ 2.30 GHz |
Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C 8T @ 2.40 GHz |
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UNISOC T618
8C 8T @ 2.00 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 835
8C 8T @ 2.45 GHz |
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HiSilicon Kirin 960
8C 8T @ 2.40 GHz |
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Samsung Exynos W1000
5C 5T @ 1.60 GHz |
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MediaTek Helio G70
8C 8T @ 2.00 GHz |
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Samsung Exynos 8895
8C 8T @ 2.30 GHz |
Qualcomm Snapdragon 678
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C 8T @ 2.40 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 710
8C 8T @ 2.20 GHz |
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HiSilicon Kirin 960
8C 8T @ 2.40 GHz |
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MediaTek Helio P90
8C 8T @ 2.20 GHz |
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MediaTek Helio P95
8C 8T @ 2.20 GHz |
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HiSilicon Kirin 970
8C 8T @ 2.40 GHz |
Samsung Exynos 880
ARM Mali-G76 MP5 @ 0.72 GHz |
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MediaTek Dimensity 930
PowerVR IMG AXM-8-256 @ 1.00 GHz |
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Apple A9
Apple A9 @ 0.65 GHz |
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HiSilicon Kirin 960
ARM Mali-G71 MP8 @ 0.90 GHz |
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HiSilicon Kirin 960S
ARM Mali-G71 MP8 @ 0.90 GHz |
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MediaTek MT8188J
ARM Mali-G57 MP2 @ 0.95 GHz |
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MediaTek Helio G96
ARM Mali-G57 MP2 @ 0.95 GHz |