HiSilicon Kirin 960

HiSilicon Kirin 960
Benchmarks y especificaciones

Última actualización:
El HiSilicon Kirin 960 representó un avance notable en su momento. Este procesador se fabricó utilizando el entonces avanzado proceso de 16 nm. Esto aseguró un buen equilibrio entre potencia de cálculo y consumo de energía. Internamente, el chip se basaba en una arquitectura híbrida. Combinaba potentes núcleos Cortex-A73 con núcleos Cortex-A53 de bajo consumo.

Esta combinación permitió un rendimiento general considerable para las tareas cotidianas. En particular, los núcleos Cortex-A73 ofrecieron un aumento significativo en la velocidad de procesamiento. Las aplicaciones se ejecutaban de forma más fluida y la multitarea era más cómoda. Pudimos observar lo bien que funcionaba esto para la época.

La unidad gráfica integrada ARM Mali-G71 MP8 era responsable del rendimiento visual. Ofrecía una base sólida para los juegos móviles y la reproducción de vídeos de alta resolución. Con 4 MB de caché de nivel 3, el procesador podía almacenar datos en caché de forma eficiente. Un ancho de banda de memoria máximo de 13 GB/s también permitía un acceso rápido a los datos.

El HiSilicon Kirin 960 demostró ser un SoC fiable. Cumplió con los requisitos de su época con gran éxito y ofreció una configuración general equilibrada.
  • Núcleos de CPU avanzados
  • Gran rendimiento gráfico
  • Fabricación eficiente
  • Configuración general equilibrada

Resumen del rendimiento
Rendimiento promedio en varios benchmarks

Rendimiento de un solo núcleo
Puesto 129 / 176
En el segmento Smartphone / Tablet
Rendimiento multinúcleo
Puesto 116 / 177
En el segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Samsung Exynos 8890
8C / 8T · 2,60 GHz
410
MediaTek Helio G80
8C / 8T · 2,00 GHz
406
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2,40 GHz
403
Qualcomm Snapdragon 670
8C / 8T · 2,00 GHz
375
Qualcomm Snapdragon 821
4C / 4T · 2,40 GHz
370
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

MediaTek Dimensity 720
8C / 8T · 2,00 GHz
1.441
Qualcomm Snapdragon 712
8C / 8T · 2,30 GHz
1.410
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2,40 GHz
1.393
UNISOC T700
UNISOC T700 100 %
8C / 8T · 1,80 GHz
1.392
Qualcomm Snapdragon 710
8C / 8T · 2,20 GHz
1.376
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C / 8T · 2,40 GHz
385
Qualcomm Snapdragon 835
8C / 8T · 2,45 GHz
384
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2,40 GHz
381
Samsung Exynos W1000
5C / 5T · 1,60 GHz
373
MediaTek Helio G70
8C / 8T · 2,00 GHz
368
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C / 8T · 2,40 GHz
1.550
Qualcomm Snapdragon 710
8C / 8T · 2,20 GHz
1.526
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2,40 GHz
1.521
MediaTek Helio P90
8C / 8T · 2,20 GHz
1.512
MediaTek Helio P95
8C / 8T · 2,20 GHz
1.498
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

MediaTek Dimensity 930
PowerVR IMG AXM-8-256
250
Apple A9
Apple A9 102 %
Apple A9
250
HiSilicon Kirin 960
ARM Mali-G71 MP8
245
MediaTek Dimensity 700
ARM Mali-G57 MP2
243
MediaTek Dimensity 810
ARM Mali-G57 MP2
243

Más benchmarks

De un vistazo

ParámetroValor
FamiliaHiSilicon Kirin (29)
Grupo de CPUHiSilicon Kirin 960 (2)
Arquitectura Cortex-A73 / Cortex-A53
Tecnologia16 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Enchufe
Generacion5
Predecesor
Sucesor

CPU Núcleos y frecuencia de base

ParámetroValor
CPU Nùcleos / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Arquitectura centralhybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 4x Cortex-A73
2,40 GHz
Core Cluster 2: 4x Cortex-A53
1,80 GHz
L2-Cache
L3-Cache4,00 MB
OverclockingNo

Grafica interna

ParámetroValor
nombre GPU ARM Mali-G71 MP8
Frecuencia GPU0,90 GHz
CUs / Shader8 / 256
Raytracing
Max. visualizaciones2
Max. GPU Memoria2 GB
Tecnologia16 nm
Fecha de lanzamientoQ2/2016

Memoria & PCIe

tipos de memoriaAncho de banda de memoria
LPDDR4-1600
12,8 GB/s
ParámetroValor
Max. Memoria6 GB
Canales de memoria2
ECC
PCIe
PCIe Banda ancha

Gestión térmica

ParámetroValor
TDP5 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Detalles tecnicos

ParámetroValor
Diseño de chipsChiplet
AES-NI
Sistemas operativosAndroid
Conjunto de instruccionesArmv8-A (64 bit)
Extensiones ISA
Fecha de lanzamientoQ4/2016
Precio de lanzamiento
DocumentosFicha técnica
HiSilicon Kirin 960
HiSilicon Kirin 960
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