HiSilicon Kirin 960

HiSilicon Kirin 960
Benchmarks & caractéristiques

Dernière mise à jour:
Le HiSilicon Kirin 960 représentait à son époque une avancée notable. Ce processeur était fabriqué selon le procédé alors avancé de 16 nm. Cela assurait un bon équilibre entre puissance de calcul et consommation d'énergie. À l'intérieur, la puce reposait sur une architecture hybride. Elle combinait de puissants cœurs Cortex-A73 avec des cœurs Cortex-A53 à faible consommation d'énergie.

Cette combinaison a permis une performance globale considérable pour les tâches quotidiennes. En particulier, les cœurs Cortex-A73 ont permis une augmentation significative de la vitesse de traitement. Les applications fonctionnaient plus facilement et le multitâche était plus confortable.

Nous avons pu observer à quel point cela fonctionnait bien pour l'époque. L'unité graphique intégrée ARM Mali-G71 MP8 était responsable des performances visuelles. Elle offrait une base solide pour les jeux mobiles et la lecture de vidéos haute résolution. Avec 4 Mo de cache de niveau 3, le processeur pouvait mettre en cache les données de manière efficace.

Une bande passante mémoire maximale de 13 Go/s supportait en outre l'accès rapide aux données. Le HiSilicon Kirin 960 s'est avéré être un SoC fiable. Il a maîtrisé les exigences de son époque avec brio et a offert une configuration globale équilibrée.
  • Cœurs de CPU avancés
  • Performances graphiques fortes
  • Fabrication efficace
  • Configuration globale équilibrée

Aperçu des performances
Performances moyennes sur plusieurs benchmarks

Performances monocœur
Position 129 / 176
Dans le segment Smartphone / Tablet
Performances multicœurs
Position 116 / 177
Dans le segment Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Performances monocœur

Samsung Exynos 8890
8C / 8T · 2.60 GHz
410
MediaTek Helio G80
8C / 8T · 2.00 GHz
406
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2.40 GHz
403
Qualcomm Snapdragon 670
8C / 8T · 2.00 GHz
375
Qualcomm Snapdragon 821
4C / 4T · 2.40 GHz
370
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Performances multicœurs

MediaTek Dimensity 720
8C / 8T · 2.00 GHz
1,441
Qualcomm Snapdragon 712
8C / 8T · 2.30 GHz
1,410
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2.40 GHz
1,393
UNISOC T700
UNISOC T700 100 %
8C / 8T · 1.80 GHz
1,392
Qualcomm Snapdragon 710
8C / 8T · 2.20 GHz
1,376
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Performances monocœur

Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C / 8T · 2.40 GHz
385
Qualcomm Snapdragon 835
8C / 8T · 2.45 GHz
384
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2.40 GHz
381
Samsung Exynos W1000
5C / 5T · 1.60 GHz
373
MediaTek Helio G70
8C / 8T · 2.00 GHz
368
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Performances multicœurs

Qualcomm Snapdragon 680 4G
8C / 8T · 2.40 GHz
1,550
Qualcomm Snapdragon 710
8C / 8T · 2.20 GHz
1,526
HiSilicon Kirin 960
8C / 8T · 2.40 GHz
1,521
MediaTek Helio P90
8C / 8T · 2.20 GHz
1,512
MediaTek Helio P95
8C / 8T · 2.20 GHz
1,498
<br />
iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)


iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)

MediaTek Dimensity 930
PowerVR IMG AXM-8-256
250
Apple A9
Apple A9 102 %
Apple A9
250
HiSilicon Kirin 960
ARM Mali-G71 MP8
245
MediaTek Dimensity 700
ARM Mali-G57 MP2
243
MediaTek Dimensity 810
ARM Mali-G57 MP2
243

Autres benchmarks

En un coup d'œil

DésignationValeur
FamilleHiSilicon Kirin (29)
Groupe de processeursHiSilicon Kirin 960 (2)
ArchitectureCortex-A73 / Cortex-A53
La technologie16 nm
SegmentSmartphone / Tablet
Socket
Génération5
Prédécesseur
Successeur

Cœurs de processeur et fréquence de base

DésignationValeur
CPU Cores / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Architecture de basehybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 4x Cortex-A73
2.40 GHz
Core Cluster 2: 4x Cortex-A53
1.80 GHz
L2-Cache
L3-Cache4.00 MB
OverclockingNon

Graphiques internes

DésignationValeur
Nom du GPUARM Mali-G71 MP8
Fréquence GPU0.90 GHz
CUs / Shader8 / 256
Raytracing
Max. affiche2
Max. GPU Mémoire2 Go
La technologie16 nm
Date de sortieQ2/2016

Mémoire & PCIe

Type de mémoireBande passante mémoire
LPDDR4-1600
12.8 Go/s
DésignationValeur
Max. Mémoire6 Go
Canaux de mémoire2
ECC
PCIe
PCIe Bande passante

Gestion thermale

DésignationValeur
TDP5 W
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Détails techniques

DésignationValeur
Conception de puceChiplet
AES-NI
Systèmes d'exploitationAndroid
Jeu d'instructionsArmv8-A (64 bit)
Extensions ISA
Date de sortieQ4/2016
Prix de sortie
DocumentsFiche technique

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