Qualcomm Snapdragon 660 (非LTE) は、かつて多くのスマートフォンを駆動していた汎用性の高いプロセッサでした。その中核は、高度なKryo 260アーキテクチャでした。これは、バランスの取れたパフォーマンスを提供するように設計されました。14ナノメートルのプロセスで製造されたこのチップは、優れたエネルギー効率を実現しました。これは、デバイスのバッテリー寿命にとって特に重要でした。統合されたQualcomm Adreno 512 GPUは、グラフィックタスクを担当していました。これにより、動画のスムーズなストリーミングや、多くの一般的なアプリケーションの再生が可能になりました。軽いゲームでも、通常は問題なく動作しました。最大15 GB/sのメモリ帯域幅により、高速なデータアクセスが保証されました。このQualcommのプロセッサは、日常的なタスクのための強固な基盤を提供しました。動作時の信頼性と安定性で知られていました。多くのユーザーは、さまざまなデバイスでのバランスの取れた全体的なパフォーマンスを高く評価していました。要求の低いアプリケーションには、依然として良い選択肢となる可能性があることがわかります。
  • Kryo 260アーキテクチャ
  • 14 nm製造プロセス
  • 統合されたAdreno 512 GPU
  • 高い信頼性

パフォーマンス概要 (Pafōmansu Gaiyō)
複数のベンチマークにおける平均パフォーマンス

シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)
順位 (Jun’i) 137 / 176
セグメント内で (Segumento-nai de) Smartphone / Tablet
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)
順位 (Jun’i) 124 / 177
セグメント内で (Segumento-nai de) Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)

UNISOC T606
UNISOC T606 104 %
8C / 8T · 1.60 GHz
365
MediaTek Helio X30
10C / 10T · 2.60 GHz
359
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
8C / 8T · 2.20 GHz
350
MediaTek MT8173
4C / 4T · 1.80 GHz
348
HiSilicon Kirin 710
8C / 8T · 2.20 GHz
348
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)

UNISOC T606
UNISOC T606 103 %
8C / 8T · 1.60 GHz
1,332
MediaTek Helio G85
8C / 8T · 2.00 GHz
1,322
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
8C / 8T · 2.20 GHz
1,288
Qualcomm Snapdragon 670
8C / 8T · 2.00 GHz
1,284
MediaTek Helio P65
8C / 8T · 2.00 GHz
1,261
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)

Qualcomm Snapdragon 820
4C / 4T · 2.15 GHz
344
Qualcomm Snapdragon 821
4C / 4T · 2.40 GHz
341
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
8C / 8T · 2.20 GHz
338
Qualcomm Snapdragon 820 Lite
4C / 4T · 1.80 GHz
335
Qualcomm Snapdragon 670
8C / 8T · 2.00 GHz
333
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)

MediaTek Kompanio 520 (MT8186)
8C / 8T · 2.05 GHz
1,447
Qualcomm Snapdragon 712
8C / 8T · 2.30 GHz
1,447
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
8C / 8T · 2.20 GHz
1,439
MediaTek Helio P70
8C / 8T · 2.10 GHz
1,424
Apple A10 Fusion
4C / 4T · 2.34 GHz
1,422
iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

Qualcomm Snapdragon 660
Qualcomm Adreno 512
154
Qualcomm Snapdragon 808
Qualcomm Adreno 418
154
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
Qualcomm Adreno 512
154
Samsung Exynos 5433
ARM Mali-T760 MP6
143
Apple A8
Apple A8 89 %
Apple A8
136
AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8 Benchmark

HiSilicon Kirin 710A
8C / 8T · 2.00 GHz
164,187 pts
MediaTek Helio P65
8C / 8T · 2.00 GHz
158,825 pts
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
8C / 8T · 2.20 GHz
158,369 pts
MediaTek Kompanio 500
8C / 8T · 2.00 GHz
157,963 pts
Qualcomm Snapdragon 636
8C / 8T · 1.80 GHz
149,536 pts

他のベンチマーク (Hoka no Benchimāku)

一目でわかる

項目
家族Qualcomm Snapdragon (105)
CPUグループQualcomm Snapdragon 660 (2)
アーキテクチャKryo 260
技術14 nm
セグメントSmartphone / Tablet
ソケット
世代5
前任者
後継

CPU コアとクロック周波数

項目
CPU コア / Threads8 / 8
ハイパースレッディング / SMT
コアアーキテクチャhybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 4x Kryo 260 Gold
2.20 GHz
Core Cluster 2: 4x Kryo 260 Silver
1.84 GHz
L2-Cache
L3-Cache
オーバークロック可能いいえ

内部グラフィック

項目
グラフィックQualcomm Adreno 512
グラフィック クロック周波数0.60 - 0.60 GHz
CUs / Shader / 128
Raytracing
最大画面サイズ0
最大メモリ容量
技術14 nm
リリース日Q4/2015

NPU AI パフォーマンス

項目
AIハードウェアQualcomm AI engine
AIの仕様Hexagon 680
NPU + CPU + iGPU

RAM & PCIe

メモリ種別メモリ帯域幅
LPDDR4-3733
14.9 GB/s
項目
最大メモリ容量8 GB
メモリ チャンネル2
ECC
PCIe
PCIe 帯域幅

熱管理

項目
TDP
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

技術データ

項目
チップ設計チップレット
AES-NI
オペレーティングシステムAndroid
指図書Armv8-A (64 bit)
ISA拡張機能
リリース日Q2/2017
発売価格
ドキュメントテクニカルデータシート
Qualcomm Snapdragon 660 non LTE
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