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Samsung Exynos 5433
ベンチマークと仕様
最終更新:
Samsung Exynos 5433
まとめ
Samsung Exynos 5433は、導入当時において重要な一歩を踏み出しました。 20nmプロセスで製造され、これは技術的な進歩でした。 これにより、モバイルデバイス向けの優れたエネルギー効率を備えた高トランジスタ密度が可能になりました。 プロセッサはBig.LITTLEアーキテクチャを使用します。 ここでは、強力なARM Cortex-A57コアが使用されています。 これらは計算負荷の高いタスクを目的としており、当時は十分な電力を供給していました。 これらは、効率的なARM Cortex-A53コアによって補完されます。 この組み合わせは、パフォーマンスと省電力の優れたバランスを提供しました。 必要に応じて高いパフォーマンスを保証し、アイドル時には優れた効率を発揮しました。 統合グラフィックスユニットであるARM Mali-T760 MP6もハイライトでした。 複雑なグラフィックスのスムーズな表示をサポートしていました。 そのため、要求の厳しいアプリやゲームを問題なく使用できました。 2 MBのレベル2キャッシュにより、データを迅速に処理できました。 Samsung Exynos 5433は、全体として堅牢な基盤を提供しました。 当時のモバイルデバイスのニーズに合わせて調整されていました。
- 高度な20nm製造プロセス
- バランスの取れたパフォーマンスのためのBig.LITTLEアーキテクチャ
- 統合ARM Mali-T760 MP6グラフィックス
- 2 MBレベル2キャッシュ
ベンチマーク (Benchimāku)
パフォーマンス概要 (Pafōmansu Gaiyō)
複数のベンチマークにおける平均パフォーマンス
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)
Geekbench 5, 64bit Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)
Qualcomm Snapdragon 632
106 %
8C / 8T · 1.80 GHz
MediaTek Helio X27
102 %
10C / 10T · 2.60 GHz
Samsung Exynos 5433
100 %
8C / 8T · 1.90 GHz
Qualcomm Snapdragon 460
100 %
8C / 8T · 1.80 GHz
6C / 6T · 1.80 GHz
Geekbench 5, 64bit Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)
HiSilicon Kirin 658
102 %
8C / 8T · 2.35 GHz
Qualcomm Snapdragon 650
101 %
6C / 6T · 1.80 GHz
Samsung Exynos 5433
100 %
8C / 8T · 1.90 GHz
HiSilicon Kirin 655
99 %
8C / 8T · 2.12 GHz
MediaTek Helio G80
98 %
8C / 8T · 2.00 GHz
iGPU-FP32パフォーマンス（単精度GFLOPS）
Qualcomm Adreno 512
Qualcomm Snapdragon 808
107 %
Qualcomm Adreno 418
Samsung Exynos 5433
100 %
ARM Mali-T760 MP6
Apple A8
95 %
Apple A8
Qualcomm Adreno 420
他のベンチマーク (Hoka no Benchimāku)
仕様 (Shiyō)
一目でわかる
| 項目 | 値 |
|---|---|
| 家族 | Samsung Exynos (49) |
| CPUグループ | Samsung Exynos 5433 (1) |
| アーキテクチャ | Cortex-A57 / Cortex-A53 |
| 技術 | 20 nm |
| セグメント | Smartphone / Tablet |
| ソケット | |
| 世代 | 1 |
| 前任者 | |
| 後継 |
CPU コアとクロック周波数
| 項目 | 値 |
|---|---|
| CPU コア / Threads | 8 / 8 |
| ハイパースレッディング / SMT | ✗ |
| コアアーキテクチャ | hybrid (big.LITTLE) |
| Core Cluster 1: | 4x Cortex-A57 1.90 GHz |
| Core Cluster 2: | 4x Cortex-A53 1.30 GHz |
| L2-Cache | 2.25 MB |
| L3-Cache | |
| オーバークロック可能 | いいえ |
内部グラフィック
| 項目 | 値 |
|---|---|
| グラフィック | ARM Mali-T760 MP6 |
| グラフィック クロック周波数 | 0.70 - 0.70 GHz |
| CUs / Shader | 6 / 96 |
| Raytracing | ✗ |
| 最大画面サイズ | 2 |
| 最大メモリ容量 | |
| 技術 | 28nm |
| リリース日 | Q4/2013 |
RAM & PCIe
| メモリ種別 | メモリ帯域幅 |
|---|---|
| LPDDR3e-1066 | -- |
| 項目 | 値 |
| 最大メモリ容量 | |
| メモリ チャンネル | 0 |
| ECC | ✗ |
| PCIe | |
| PCIe 帯域幅 |
熱管理
| 項目 | 値 |
|---|---|
| TDP | |
| TDP (PL2) | |
| TDP up | |
| TDP down | |
| T. junction max. |
技術データ
| 項目 | 値 |
|---|---|
| チップ設計 | |
| AES-NI | ✗ |
| オペレーティングシステム | Android |
| 指図書 | Armv8-A (64 bit) |
| ISA拡張機能 | |
| リリース日 | Q3/2014 |
| 発売価格 | |
| ドキュメント | テクニカルデータシート |
ユーザーレビュー (Yūzā Rebyū)
カテゴリ別の人気CPU (Kategoribetsu no ninki CPU) Smartphone / Tablet
1
Samsung Exynos 5433
8C / 8T · 0.00 GHz
2
MediaTek Dimensity 8300
8C / 8T · 0.00 GHz
3
Qualcomm Snapdragon 8 Elite for Galaxy
8C / 8T · 0.00 GHz
4
MediaTek Dimensity 9300
8C / 8T · 0.00 GHz
5
Qualcomm Snapdragon 8s Gen 3
8C / 8T · 0.00 GHz
6
MediaTek Dimensity 9300+
8C / 8T · 0.00 GHz
7
Apple A15 Bionic (4-GPU)
6C / 6T · 0.00 GHz
8
MediaTek Dimensity 9400
8C / 8T · 0.00 GHz
9
Qualcomm Snapdragon 8+ Gen 1
8C / 8T · 0.00 GHz
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