Samsung Exynos 7885は、さまざまなデバイスにとって不可欠な構成要素でした。サムスン自身が製造したこのプロセッサは、信頼性の高い処理能力を提供しました。その設計には、強力なCortex-A73コアとエネルギー効率の高いCortex-A53コアが含まれていました。このアーキテクチャにより、パワーとバッテリー寿命のバランスが取れました。14ナノメートルの製造プロセスは、チップの効率に大きく貢献しました。もう1つの強みは、統合されたグラフィックス、ARM Mali-G71 MP2でした。日常的なアプリケーションやメディアに魅力的な視覚的表現を提供しました。Samsung Exynos 7885は、ブラウジング、ソーシャルメディア、ビデオの再生など、多くの一般的なタスクをスムーズに実行することがわかりました。2MBのL2キャッシュにより、データの高速処理をサポートしました。セグメント内で応答性の高いユーザーエクスペリエンスのための確固たる基盤を提供しました。テクノロジーは進化しましたが、このチップは、よく考えられた設計の例であり続けます。多くのモバイルデバイスで常にその目的を確実に果たしました。
  • バランスの取れたプロセッサアーキテクチャ
  • 効率的な14ナノメートル製造プロセス
  • 統合ARM Mali-G71 MP2グラフィックス
  • 日常的なタスクのための堅実なパフォーマンス

パフォーマンス概要 (Pafōmansu Gaiyō)
複数のベンチマークにおける平均パフォーマンス

シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)
順位 (Jun’i) 144 / 176
セグメント内で (Segumento-nai de) Smartphone / Tablet
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)
順位 (Jun’i) 144 / 177
セグメント内で (Segumento-nai de) Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)

Qualcomm Snapdragon 662
8C / 8T · 2.00 GHz
334
Qualcomm Snapdragon 665
8C / 8T · 2.00 GHz
334
Samsung Exynos 7885
8C / 8T · 2.20 GHz
330
HiSilicon Kirin 710A
8C / 8T · 2.00 GHz
323
MediaTek MT8183
8C / 8T · 2.00 GHz
320
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)

Qualcomm Snapdragon 632
8C / 8T · 1.80 GHz
1,053
Samsung Exynos 8890
8C / 8T · 2.60 GHz
1,034
Samsung Exynos 7885
8C / 8T · 2.20 GHz
970
Apple A8X
Apple A8X 99 %
3C / 3T · 1.50 GHz
959
MediaTek Helio X20
10C / 10T · 2.10 GHz
958
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
シングルコア性能 (Shinguru koa seinō)

HiSilicon Kirin 710A
8C / 8T · 2.00 GHz
302
MediaTek Kompanio 500
8C / 8T · 2.00 GHz
301
Samsung Exynos 7885
8C / 8T · 2.20 GHz
297
MediaTek MT8183
8C / 8T · 2.00 GHz
294
Qualcomm Snapdragon 617
8C / 8T · 1.50 GHz
287
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
マルチコア性能 (Maruchi koa seinō)

Qualcomm Snapdragon 632
8C / 8T · 1.80 GHz
1,127
Apple A8X
Apple A8X 104 %
3C / 3T · 1.50 GHz
1,075
Samsung Exynos 7885
8C / 8T · 2.20 GHz
1,032
Samsung Exynos 850
8C / 8T · 2.00 GHz
1,027
Qualcomm Snapdragon 653
8C / 8T · 1.95 GHz
1,026
iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

HiSilicon Kirin 930
ARM Mali-T628 MP4
77
Samsung Exynos 5260
ARM Mali-T624 MP4
77
Samsung Exynos 7885
ARM Mali-G71 MP2
76
MediaTek Helio P25
ARM Mali-T880 MP2
68
Apple A6
Apple A6 89 %
PowerVR SGX543MP3 (3 Cores)
68
AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8 Benchmark

Qualcomm Snapdragon 636
8C / 8T · 1.80 GHz
149,536 pts
Qualcomm Snapdragon 460
8C / 8T · 1.80 GHz
146,389 pts
Samsung Exynos 7885
8C / 8T · 2.20 GHz
138,400 pts
Samsung Exynos 850
8C / 8T · 2.00 GHz
124,055 pts
Qualcomm Snapdragon 632
8C / 8T · 1.80 GHz
123,650 pts

他のベンチマーク (Hoka no Benchimāku)

一目でわかる

項目
家族Samsung Exynos (49)
CPUグループSamsung Exynos 7872/7884/7885/7904 (4)
アーキテクチャCortex-A73 / Cortex-A53
技術14 nm
セグメントSmartphone / Tablet
ソケット
世代2
前任者
後継

CPU コアとクロック周波数

項目
CPU コア / Threads8 / 8
ハイパースレッディング / SMT
コアアーキテクチャhybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 2x Cortex-A73
2.20 GHz
Core Cluster 2: 6x Cortex-A53
1.60 GHz
L2-Cache2.00 MB
L3-Cache
オーバークロック可能いいえ

内部グラフィック

項目
グラフィックARM Mali-G71 MP2
グラフィック クロック周波数1.10 GHz
CUs / Shader2 / 32
Raytracing
最大画面サイズ1
最大メモリ容量2 GB
技術16 nm
リリース日Q2/2016

RAM & PCIe

メモリ種別メモリ帯域幅
LPDDR4-1866
--
項目
最大メモリ容量6 GB
メモリ チャンネル2
ECC
PCIe
PCIe 帯域幅

熱管理

項目
TDP
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

技術データ

項目
チップ設計
AES-NI
オペレーティングシステムAndroid
指図書Armv8-A (64 bit)
ISA拡張機能
リリース日Q1/2018
発売価格
ドキュメントテクニカルデータシート
Samsung Exynos 7885
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