Qualcomm Snapdragon 870
Benchmarks y especificaciones

El Qualcomm Snapdragon 870 es un procesador para teléfonos inteligentes de gama alta de Qualcomm basado en la arquitectura Kryo 585. El diseño central proviene de ARM y se utiliza bajo licencia de Qualcomm.

Con 8 núcleos de CPU en una estructura híbrida y el uso de un núcleo Prime de alta frecuencia, el Qualcomm Snapdragon 870 es lo suficientemente rápido para todas las tareas que desea realizar con su teléfono inteligente. El núcleo Prime alcanza una velocidad de hasta 3,2 GHz. Se complementa con tres núcleos P adicionales (Kryo 585 Gold) con una frecuencia de reloj máxima de 2,42 GHz.

Hay 4 núcleos de CPU Kryo 585 Silver disponibles para tareas en segundo plano o tareas con poca potencia informática. Aunque sólo funcionan a 1,8 GHz, son especialmente eficientes energéticamente. El Qualcomm Snapdragon 870 también cuenta con el acelerador Qualcomm Hexagon 698 AI, que alcanza 15 TOPS y acelera significativamente ciertos escenarios como el procesamiento de video e imágenes.

La Adreno 650 se utiliza como gráfica en el Qualcomm Snapdragon 870. Con 512 sombreadores de texturas y una potencia informática FP32 teórica de 1,4 TFLOPS, es lo suficientemente rápido como para jugar sin problemas a juegos de teléfonos inteligentes modernos.

Los dispositivos con Qualcomm Snapdragon 870 pueden equiparse con hasta 16 GB de RAM. La CPU admite tanto la memoria LPDDR4X-4266 más antigua con un ancho de banda de memoria de 34,1 GB/s como la memoria LPDDR5-5500 más nueva, que tiene un máximo de 44 GB/s.

El fabricante no especifica el TDP y, por tanto, el consumo máximo de energía del Qualcomm Snapdragon 870, pero esto se puede estimar bastante bien con un software especial. Para el Qualcomm Snapdragon 870 asumimos un TDP de 10 vatios, que es idéntico al de otros procesadores de smartphones de gama alta de otros fabricantes.

El Qualcomm Snapdragon 870 se fabrica mediante un proceso de 7 nm, que ahorra relativamente energía.

• Rendimiento sólido para el uso diario
• Gráficos integrados capaces
• Fabricación eficiente de 7 nm
• Tamaños de caché suficientes