HiSilicon Kirin 930 vs Qualcomm Snapdragon 215

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Comparaison avec des benchmarks


HiSilicon Kirin 930 CPU1 vs CPU2 Qualcomm Snapdragon 215
HiSilicon Kirin 930 Qualcomm Snapdragon 215

Comparaison CPU

HiSilicon Kirin 930 ou Qualcomm Snapdragon 215 - quel processeur est le plus rapide ? Dans cette comparaison, nous examinons les différences et analysons lequel de ces deux processeurs est le meilleur. Nous comparons les données techniques et les résultats de référence.

Le HiSilicon Kirin 930 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 2.00 GHz. Jusqu'à Go de mémoire est pris en charge dans 2 canaux de mémoire. Le HiSilicon Kirin 930 a été publié en Q1/2015.

Le Qualcomm Snapdragon 215 a 4 cœurs avec 4 threads et horloges avec une fréquence maximale de 1.30 GHz. Le processeur prend en charge jusqu'à 3 Go de mémoire dans 1 canaux de mémoire. Le Qualcomm Snapdragon 215 a été publié en Q3/2019.
HiSilicon Kirin (29) Famille Qualcomm Snapdragon (102)
HiSilicon Kirin 930 (2) Groupe de processeurs Qualcomm Snapdragon QM215 (1)
3 Génération 3
Cortex-A53 / Cortex-A53 Architecture Cortex-A53
Mobile Segment Mobile
-- Prédécesseur --
-- Successeur --

Cœurs de processeur et fréquence de base

Le HiSilicon Kirin 930 a 8 cœurs de processeur et peut calculer 8 threads en parallèle. La fréquence d'horloge du HiSilicon Kirin 930 est 2.00 GHz tandis que le Qualcomm Snapdragon 215 a 4 cœurs de processeur et 4 threads peuvent calculer simultanément. La fréquence d'horloge de Qualcomm Snapdragon 215 est à 1.30 GHz.
HiSilicon Kirin 930 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 215
8 Cores 4
8 Threads 4
hybrid (big.LITTLE) Architecture de base normal
Non Hyperthreading Non
Non Overclocking ? Non
2.00 GHz
4x Cortex-A53		 A-Core 1.30 GHz
4x Cortex-A53
1.50 GHz
4x Cortex-A53		 B-Core --

Intelligence artificielle et apprentissage automatique

Les processeurs prenant en charge l'intelligence artificielle (IA) et l'apprentissage automatique (ML) peuvent traiter de nombreux calculs, en particulier le traitement audio, image et vidéo, beaucoup plus rapidement que les processeurs classiques. Les algorithmes de ML améliorent leurs performances au fur et à mesure qu'ils collectent des données via un logiciel. Les tâches de ML peuvent être traitées jusqu'à 10 000 fois plus rapidement qu'avec un processeur classique.
HiSilicon Kirin 930 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 215
-- Matériel AI Qualcomm AI engine
-- Spécifications de l'IA Hexagon

Graphiques internes

Le HiSilicon Kirin 930 ou Qualcomm Snapdragon 215 a des graphiques intégrés, appelés iGPU en abrégé. L'iGPU utilise la mémoire principale du système comme mémoire graphique et repose sur la matrice du processeur.
ARM Mali-T628 MP4 GPU Qualcomm Adreno 308
0.60 GHz Fréquence GPU 0.50 GHz
0.60 GHz GPU (Turbo) 0.50 GHz
Midgard 2 GPU Generation 3
32nm La technologie 28 nm
1 Max. affiche 0
4 Unités d'exécution --
64 Shader 24
Non Hardware Raytracing Non
Non Frame Generation Non
-- Max. GPU Mémoire --
11 DirectX Version 11

Prise en charge du codec matériel

Un codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos.
ARM Mali-T628 MP4 GPU Qualcomm Adreno 308
Non Codec h265 / HEVC (8 bit) Décoder
Non Codec h265 / HEVC (10 bit) Non
Décoder / Encoder Codec h264 Décoder / Encoder
Non Codec VP9 Non
Décoder / Encoder Codec VP8 Non
Non Codec AV1 Non
Non Codec AVC Non
Non Codec VC-1 Décoder
Non Codec JPEG Décoder / Encoder

Mémoire & PCIe

Le HiSilicon Kirin 930 peut utiliser jusqu'à Go de mémoire dans 2 canaux de mémoire. La bande passante mémoire maximale est de --. Le Qualcomm Snapdragon 215 prend en charge jusqu'à 3 Go de mémoire dans 1 canaux de mémoire et atteint une bande passante mémoire allant jusqu'à 4.3 Go/s.
HiSilicon Kirin 930 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 215
LPDDR3-1600 Mémoire LPDDR3-1066
Max. Mémoire 3 Go
2 (Dual Channel) Canaux de mémoire 1 (Single Channel)
-- Max. Bande passante 4.3 Go/s
Non ECC Non
-- L2 Cache --
-- L3 Cache --
-- Version PCIe --
-- PCIe lanes --
-- PCIe Bande passante --

Gestion thermale

La puissance thermique nominale (TDP en abrégé) du HiSilicon Kirin 930 est de --, tandis que le Qualcomm Snapdragon 215 a un TDP de --. Le TDP spécifie la solution de refroidissement nécessaire pour refroidir suffisamment le processeur.
HiSilicon Kirin 930 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 215
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

Détails techniques

Le HiSilicon Kirin 930 est fabriqué en 28 nm et a 0.00 cache de Mo. Le Qualcomm Snapdragon 215 est fabriqué en 28 nm et dispose d'un cache 0.00 Mo.
HiSilicon Kirin 930 Caractéristique Qualcomm Snapdragon 215
28 nm La technologie 28 nm
Chiplet Conception de puce Chiplet
Armv8-A (64 bit) Jeu d'instructions (ISA) Armv8-A (64 bit)
-- Extensions ISA --
-- Socket --
Aucun La virtualisation Aucun
Non AES-NI Non
Android Systèmes d'exploitation Android
Q1/2015 Date de sortie Q3/2019
-- Prix de sortie --
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iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)

Les performances de calcul théoriques de l'unité graphique interne du processeur avec une précision simple (32 bits) dans GFLOPS. GFLOPS indique combien de milliards d'opérations en virgule flottante l'iGPU peut effectuer par seconde.
HiSilicon Kirin 930 HiSilicon Kirin 930
ARM Mali-T628 MP4 @ 0.60 GHz
77 (100%)
Qualcomm Snapdragon 215 Qualcomm Snapdragon 215
Qualcomm Adreno 308 @ 0.50 GHz
24 (31%)

Périphériques utilisant ce processeur
HiSilicon Kirin 930 Qualcomm Snapdragon 215
Inconnu Inconnu

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