HiSilicon Kirin 650 vs Samsung Exynos 4415
Ultimo aggiornamento:
Confronto con benchmark
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| HiSilicon Kirin 650 | Samsung Exynos 4415 | |
Confronto CPUHiSilicon Kirin 650 o Samsung Exynos 4415 - quale processore è più veloce? In questo confronto guardiamo le differenze e analizziamo quale di queste due CPU è migliore. Confrontiamo i dati tecnici e i risultati dei benchmark.
Il HiSilicon Kirin 650 ha 8 core con 8 thread e clock con una frequenza massima di 2,00 GHz. Fino a GB di memoria sono supportati in 2 canali di memoria. Il HiSilicon Kirin 650 è stato rilasciato in Q2/2016. Il Samsung Exynos 4415 ha 4 core con 4 thread e clock con una frequenza massima di 1,50 GHz. La CPU supporta fino a GB di memoria in 0 canali di memoria. Il Samsung Exynos 4415 è stato rilasciato in 2014. |
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| HiSilicon Kirin (29) | Famiglia | Samsung Exynos (47) |
| HiSilicon Kirin 650 (4) | Gruppo CPU | Samsung Exynos 4415 (1) |
| 4 | Generazione | 2 |
| Cortex-A53 / Cortex-A53 | Architettura | Cortex-A9 |
| Mobile | Segmento | Mobile |
| -- | Predecessore | -- |
| -- | Successore | -- |
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CPU Cores e frequenza di baseHiSilicon Kirin 650 ha 8 core CPU e può calcolare 8 thread in parallelo. La frequenza di clock di HiSilicon Kirin 650 è 2,00 GHz mentre Samsung Exynos 4415 ha 4 core CPU e 4 thread possono calcolare simultaneamente. La frequenza di clock di Samsung Exynos 4415 è al 1,50 GHz. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Caratteristica | Samsung Exynos 4415 |
| 8 | Cores | 4 |
| 8 | Threads | 4 |
| hybrid (big.LITTLE) | Architettura principale | normal |
| No | Hyperthreading | No |
| No | Overclocking ? | No |
| 2,00 GHz 4x Cortex-A53 |
A-Core | 1,50 GHz 4x Cortex-A9 |
| 1,70 GHz 4x Cortex-A53 |
B-Core | -- |
Grafica internaHiSilicon Kirin 650 o Samsung Exynos 4415 ha una grafica integrata, chiamata iGPU in breve. L'iGPU utilizza la memoria principale del sistema come memoria grafica e si trova sul die del processore. |
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| ARM Mali-T830 MP2 | GPU | ARM Mali-400 MP4 |
| 0,90 GHz | Frequenza GPU | 0,53 GHz |
| -- | GPU (Turbo ) | -- |
| Midgard 4 | GPU Generation | Utgard |
| 28nm | Tecnologia | 28nm |
| 2 | Max. visualizzazioni | 1 |
| 2 | Unità di esecuzione | 4 |
| 32 | Shader | 64 |
| No | Hardware Raytracing | No |
| No | Frame Generation | No |
| -- | Max. GPU Memoria | -- |
| 11 | DirectX Version | 0 |
Hardware codec supportUn codec fotografico o video accelerato nell'hardware può accelerare notevolmente la velocità di lavoro di un processore e prolungare la durata della batteria di notebook o smartphone durante la riproduzione di video. |
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| ARM Mali-T830 MP2 | GPU | ARM Mali-400 MP4 |
| Decodificare / Codificare | Codec h265 / HEVC (8 bit) | No |
| Decodificare | Codec h265 / HEVC (10 bit) | No |
| Decodificare / Codificare | Codec h264 | No |
| No | Codec VP9 | No |
| Decodificare / Codificare | Codec VP8 | No |
| No | Codec AV1 | No |
| No | Codec AVC | No |
| No | Codec VC-1 | No |
| Decodificare / Codificare | Codec JPEG | No |
Memoria & PCIeHiSilicon Kirin 650 può utilizzare fino a GB di memoria in 2 canali di memoria. La larghezza di banda massima della memoria è --. Samsung Exynos 4415 supporta fino a GB di memoria in 0 canali di memoria e raggiunge una larghezza di banda di memoria fino a --. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Caratteristica | Samsung Exynos 4415 |
| LPDDR3-933 | Memoria | LPDDR2-400 |
| Max. Memoria | ||
| 2 (Dual Channel) | Canali di memoria | 0 |
| -- | Max. Larghezza di banda | -- |
| No | ECC | No |
| -- | L2 Cache | 1,00 MB |
| -- | L3 Cache | -- |
| -- | Versione PCIe | -- |
| -- | Linee PCIe | -- |
| -- | PCIe Larghezza di banda | -- |
Gestione termicaLa potenza di progettazione termica (TDP in breve) di HiSilicon Kirin 650 è --, mentre Samsung Exynos 4415 ha un TDP di --. Il TDP specifica la soluzione di raffreddamento necessaria per raffreddare sufficientemente il processore. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Caratteristica | Samsung Exynos 4415 |
| -- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
| -- | TDP (PL2) | -- |
| -- | TDP up | -- |
| -- | TDP down | -- |
| -- | Tjunction max. | -- |
Dettagli tecniciHiSilicon Kirin 650 è prodotto in 16 nm e ha 0,00 MB di cache. Il Samsung Exynos 4415 è prodotto in 28 nm e ha una cache di 1,00 MB. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Caratteristica | Samsung Exynos 4415 |
| 16 nm | Tecnologia | 28 nm |
| Chiplet | Design a chip | Sconosciuto |
| Armv8-A (64 bit) | Set di istruzioni (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
| -- | Estensioni ISA | -- |
| -- | Presa | -- |
| Nessuno | Virtualizzazione | Nessuno |
| No | AES-NI | No |
| Android | Sistemi operativi | Android |
| Q2/2016 | Data di lancio | 2014 |
| -- | Prezzo di rilascio | -- |
| mostra più dati | mostra più dati | |
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Valuta questi processori
iGPU - Prestazioni FP32 (GFLOPS a precisione singola)
Le prestazioni di calcolo teoriche dell'unità grafica interna del processore con precisione semplice (32 bit) in GFLOPS. GFLOPS indica quanti miliardi di operazioni in virgola mobile che l'iPPU può eseguire al secondo.
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HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0,90 GHz |
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Samsung Exynos 4415
ARM Mali-400 MP4 @ 0,53 GHz |
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5 è un benchmark multi-piattaforma che usa in modo intensivo la memoria del sistema.Il test single-core utilizza solo un nucleo elaborativo della CPU. A tal fine, il numero di nuclei elaborativi o la capacità di hyperthreading non sono rilevanti.
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
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Samsung Exynos 4415
4C 4T @ 1,50 GHz |
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Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5 è un benchmark multi-piattaforma che usa in modo intensivo la memoria del sistema.Il test multi-core coinvolge tutti i nuclei elaborativi della CPU e si avvale del hyperthreading.
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
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Samsung Exynos 4415
4C 4T @ 1,50 GHz |
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Dispositivi che utilizzano questo processore |
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| HiSilicon Kirin 650 | Samsung Exynos 4415 |
| Sconosciuto | Sconosciuto |
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