HiSilicon Kirin 650 vs Samsung Exynos 4415
Última actualización:
Comparación con puntos de referencia
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| HiSilicon Kirin 650 | Samsung Exynos 4415 | |
Comparación de CPUHiSilicon Kirin 650 o Samsung Exynos 4415 - ¿Qué procesador es más rápido? En esta comparativa nos fijamos en las diferencias y analizamos cuál de estas dos CPU es mejor. Comparamos los datos técnicos y los resultados de referencia.
El HiSilicon Kirin 650 tiene 8 núcleos con 8 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 2,00 GHz. Se admiten hasta GB de memoria en 2 canales de memoria. El HiSilicon Kirin 650 se publicó en Q2/2016. El Samsung Exynos 4415 tiene 4 núcleos con 4 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 1,50 GHz. La CPU admite hasta GB de memoria en 0 canales de memoria. El Samsung Exynos 4415 se publicó en 2014. |
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| HiSilicon Kirin (29) | Familia | Samsung Exynos (47) |
| HiSilicon Kirin 650 (4) | Grupo de CPU | Samsung Exynos 4415 (1) |
| 4 | Generacion | 2 |
| Cortex-A53 / Cortex-A53 | Arquitectura | Cortex-A9 |
| Mobile | Segmento | Mobile |
| -- | Predecesor | -- |
| -- | Sucesor | -- |
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CPU Núcleos y frecuencia de baseEl HiSilicon Kirin 650 tiene 8 núcleos de CPU y puede calcular 8 subprocesos en paralelo. La frecuencia de reloj de HiSilicon Kirin 650 es 2,00 GHz mientras que Samsung Exynos 4415 tiene 4 núcleos de CPU y 4 hilos pueden calcularse simultáneamente. La frecuencia de reloj de Samsung Exynos 4415 está en 1,50 GHz. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Característica | Samsung Exynos 4415 |
| 8 | Nùcleos | 4 |
| 8 | Threads | 4 |
| hybrid (big.LITTLE) | Arquitectura central | normal |
| No | Hyperthreading | No |
| No | Overclocking ? | No |
| 2,00 GHz 4x Cortex-A53 |
A-Nùcleo | 1,50 GHz 4x Cortex-A9 |
| 1,70 GHz 4x Cortex-A53 |
B-Nùcleo | -- |
Grafica internaEl HiSilicon Kirin 650 o Samsung Exynos 4415 tiene gráficos integrados, llamados iGPU para abreviar. La iGPU usa la memoria principal del sistema como memoria gráfica y se ubica en la matriz del procesador. |
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| ARM Mali-T830 MP2 | GPU | ARM Mali-400 MP4 |
| 0,90 GHz | Frecuencia GPU | 0,53 GHz |
| -- | GPU (Turbo) | -- |
| Midgard 4 | GPU Generation | Utgard |
| 28nm | Tecnologia | 28nm |
| 2 | Max. visualizaciones | 1 |
| 2 | Unidades de ejecución | 4 |
| 32 | Shader | 64 |
| No | Hardware Raytracing | No |
| No | Frame Generation | No |
| -- | Max. GPU Memoria | -- |
| 11 | DirectX Version | 0 |
Hardware codec supportUn códec de foto o video acelerado en hardware puede acelerar en gran medida la velocidad de trabajo de un procesador y prolongar la duración de la batería de las computadoras portátiles o los teléfonos inteligentes al reproducir videos. |
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| ARM Mali-T830 MP2 | GPU | ARM Mali-400 MP4 |
| Decodificar / Codificar | Codec h265 / HEVC (8 bit) | No |
| Decodificar | Codec h265 / HEVC (10 bit) | No |
| Decodificar / Codificar | Codec h264 | No |
| No | Codec VP9 | No |
| Decodificar / Codificar | Codec VP8 | No |
| No | Codec AV1 | No |
| No | Codec AVC | No |
| No | Codec VC-1 | No |
| Decodificar / Codificar | Codec JPEG | No |
Memoria & PCIeEl HiSilicon Kirin 650 puede usar hasta GB de memoria en 2 canales de memoria. El ancho de banda de memoria máximo es --. El Samsung Exynos 4415 admite hasta GB de memoria en 0 canales de memoria y logra un ancho de banda de memoria de hasta --. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Característica | Samsung Exynos 4415 |
| LPDDR3-933 | Memoria | LPDDR2-400 |
| Max. Memoria | ||
| 2 (Dual Channel) | Canales de memoria | 0 |
| -- | Max. Banda ancha | -- |
| No | ECC | No |
| -- | L2 Cache | 1,00 MB |
| -- | L3 Cache | -- |
| -- | Versión PCIe | -- |
| -- | Lineas PCIe | -- |
| -- | PCIe Banda ancha | -- |
Gestión térmicaLa potencia de diseño térmico (TDP para abreviar) del HiSilicon Kirin 650 es --, mientras que el Samsung Exynos 4415 tiene un TDP de --. El TDP especifica la solución de enfriamiento necesaria que se requiere para enfriar el procesador lo suficiente. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Característica | Samsung Exynos 4415 |
| -- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
| -- | TDP (PL2) | -- |
| -- | TDP up | -- |
| -- | TDP down | -- |
| -- | Tjunction max. | -- |
Detalles tecnicosEl HiSilicon Kirin 650 está fabricado en 16 nm y tiene 0,00 MB de caché. El Samsung Exynos 4415 está fabricado en 28 nm y tiene una caché de 1,00 MB. |
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| HiSilicon Kirin 650 | Característica | Samsung Exynos 4415 |
| 16 nm | Tecnologia | 28 nm |
| Chiplet | Diseño de chips | Desconocido |
| Armv8-A (64 bit) | Conjunto de instrucciones (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
| -- | Extensiones ISA | -- |
| -- | Enchufe | -- |
| Ninguno | Virtualización | Ninguno |
| No | AES-NI | No |
| Android | Sistemas operativos | Android |
| Q2/2016 | Fecha de lanzamiento | 2014 |
| -- | Precio de lanzamiento | -- |
| mostrar más datos | mostrar más datos | |
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Califica estos procesadores
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)
El rendimiento informático teórico de la unidad gráfica interna del procesador con precisión simple (32 bits) en GFLOPS. GFLOPS indica cuántos mil millones de operaciones de punto flotante puede realizar el iGPU por segundo.
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HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0,90 GHz |
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Samsung Exynos 4415
ARM Mali-400 MP4 @ 0,53 GHz |
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Geekbench 5, 64bit (Single-Core)
Geekbench 5 es un benchmark multi-plataforma que utiliza intensivamente la memoria del sistema. Una memoria rapida mejorará mucho el resultado. La prueba single-core sólo utiliza un núcleo de la CPU, la cantidad de núcleos o la capacidad de hyperthreading no cuenta.
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
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Samsung Exynos 4415
4C 4T @ 1,50 GHz |
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Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)
Geekbench 5 es un benchmark multi-plataforma que utiliza intensivamente la memoria del sistema. Una memoria rapida mejorará mucho el resultado. La prueba multi-core involucra todos los núcleos de la CPU y hace uso de hyperthreading.
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
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Samsung Exynos 4415
4C 4T @ 1,50 GHz |
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Dispositivos que usan este procesador |
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| HiSilicon Kirin 650 | Samsung Exynos 4415 |
| Desconocido | Desconocido |
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