HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 | |
CPU比较HiSilicon Kirin 9000E 还是 Samsung Exynos 5420 ? 在这个比较中,我们检查这两个 CPU 中哪个更好。 我们比较技术数据和基准测试结果。
HiSilicon Kirin 9000E 具有 8 内核,具有 8 线程和最大频率为 3.13 GHz 的时钟。 4 内存通道支持高达 GB 的内存。 HiSilicon Kirin 9000E 已在 Q4/2020 中发布。 Samsung Exynos 5420 具有 8 内核,具有 8 个线程和最大频率为 1.90 GHz 的时钟。 CPU 在 0 个内存通道中支持高达 GB 的内存。 Samsung Exynos 5420 在 Q3/2013 中发布。 |
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HiSilicon Kirin (29) | 家族 | Samsung Exynos (46) |
HiSilicon Kirin 9000 (2) | CPU系列 | Samsung Exynos 5260/5410/5420/5422/5800 (5) |
9 | 代次 | 3 |
Cortex-A77 / Cortex-A55 | 架构 | Cortex-A15 / Cortex-A7 |
Mobile | 垂直市场 | Mobile |
-- | 先代产品 | -- |
-- | 后代产品 | -- |
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CPU核心数与基础频率HiSilicon Kirin 9000E 或者 Samsung Exynos 5420 有 %%kerne%% 个 CPU 内核,可以并行计算 %%threads%% 个线程。 HiSilicon Kirin 9000E 或者 Samsung Exynos 5420 的时钟频率是 %%core_freq_1%%。 CPU核心数极大地影响处理器的速度,是一项重要的性能指标。 |
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HiSilicon Kirin 9000E | 特征 | Samsung Exynos 5420 |
8 | 核心 | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (Prime / big.LITTLE) | 核心架构 | hybrid (big.LITTLE) |
否 | 超线程技术 | 否 |
否 | 超频 ? | 否 |
3.13 GHz 1x Cortex-A77 |
A-核心 | 1.90 GHz 4x Cortex-A15 |
2.54 GHz 3x Cortex-A77 |
B-核心 | 1.30 GHz 4x Cortex-A7 |
2.05 GHz 4x Cortex-A55 |
C-核心 | -- |
核芯显卡HiSilicon Kirin 9000E 或者 Samsung Exynos 5420集成显卡,简称iGPU。 iGPU 使用系统的主内存作为图形内存,并位于处理器的芯片上。 |
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ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
0.76 GHz | GPU频率 | 0.53 GHz |
-- | GPU (加速频率) | -- |
Vallhall 2 | GPU Generation | Midgard 2 |
5 nm | 工艺 | 32nm |
1 | 最大显示器数量 | 1 |
22 | 运算单元 | 6 |
352 | Shader | 96 |
否 | Hardware Raytracing | 否 |
否 | Frame Generation | 否 |
-- | 最大显存 | -- |
12 | DirectX Version | 11 |
硬件解码支持在硬件中加速的照片或视频编解码器可以大大加快处理器的工作速度,并在播放视频时延长笔记本电脑或智能手机的电池寿命。 |
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ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
解码 / 编码 | Codec h265 / HEVC (8 bit) | 否 |
解码 / 编码 | Codec h265 / HEVC (10 bit) | 否 |
解码 / 编码 | Codec h264 | 解码 / 编码 |
解码 / 编码 | Codec VP9 | 否 |
解码 / 编码 | Codec VP8 | 解码 / 编码 |
解码 | Codec AV1 | 否 |
解码 / 编码 | Codec AVC | 否 |
解码 / 编码 | Codec VC-1 | 否 |
解码 / 编码 | Codec JPEG | 否 |
内存 & PCIe内存类型和内存量会极大地影响处理器的速度。 内存带宽取决于几个因素,以每秒千兆字节为单位。 |
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HiSilicon Kirin 9000E | 特征 | Samsung Exynos 5420 |
LPDDR5-2750, LPDDR4X-2133 | 内存 | LPDDR3e-933 |
最大内存 | ||
4 (Quad Channel) | 内存通道 | 0 |
-- | Max. 带宽 | -- |
否 | ECC | 否 |
-- | L2 缓存 | 2.50 MB |
-- | L3 缓存 | -- |
-- | PCIe版本 | -- |
-- | PCIe通道 | -- |
-- | PCIe 带宽 | -- |
散热管理热设计功率(简称 TDP)指定了充分冷却处理器所需的冷却解决方案。 TDP 通常只给出一个 CPU 实际消耗的粗略概念。 |
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HiSilicon Kirin 9000E | 特征 | Samsung Exynos 5420 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
技术细节在这里,您将找到有关 HiSilicon Kirin 9000E 或者 Samsung Exynos 5420 的 2 级和 3 级缓存大小的信息以及处理器的 ISA 扩展列表。 我们已经为您记录了架构和制造技术以及发布日期。 |
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HiSilicon Kirin 9000E | 特征 | Samsung Exynos 5420 |
5 nm | 工艺 | 28 nm |
小芯片 | 芯片设计 | 未知 |
Armv8-A (64 bit) | 指令集 (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | 指令集扩展 | -- |
-- | 插槽 | -- |
无 | 虚拟化 | 无 |
否 | AES-NI | 否 |
Android | 操作系统 | Android |
Q4/2020 | 发售日期 | Q3/2013 |
-- | 发布价格 | -- |
展示更多 | 展示更多 | |
HiSilicon Kirin 9000E
ARM Mali-G78 MP22 @ 0.76 GHz |
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Samsung Exynos 5420
ARM Mali-T628 MP6 @ 0.53 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1.90 GHz |
使用该处理器的设备 |
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HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 |
未知 | 未知 |