HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 | |
CPU VergleichHiSilicon Kirin 9000E oder Samsung Exynos 5420 - welcher Prozessor ist schneller ? In diesem Vergleich betrachten wir die Unterschiede und analysieren welche dieser beiden CPUs besser ist. Dabei vergleichen wir die technischen Daten und Benchmark-Ergebnisse.
Der HiSilicon Kirin 9000E besitzt 8 Kerne mit 8 Threads und taktet mit maximal 3,13 GHz. Es werden bis zu GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen unterstützt. Erschienen ist der HiSilicon Kirin 9000E im Q4/2020. Der Samsung Exynos 5420 besitzt 8 Kerne mit 8 Threads und taktet mit maximal 1,90 GHz. Die CPU unterstützt bis zu GB Arbeitsspeicher in 0 Speicherkanälen. Erschienen ist der Samsung Exynos 5420 im Q3/2013. |
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HiSilicon Kirin (29) | Familie | Samsung Exynos (46) |
HiSilicon Kirin 9000 (2) | CPU Gruppe | Samsung Exynos 5260/5410/5420/5422/5800 (5) |
9 | Generation | 3 |
Cortex-A77 / Cortex-A55 | Architektur | Cortex-A15 / Cortex-A7 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Vorgänger | -- |
-- | Nachfolger | -- |
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CPU Kerne und TaktfrequenzDer HiSilicon Kirin 9000E besitzt 8 CPU-Kerne und kann 8 Threads parallel berechnen. Die Taktfrequenz des HiSilicon Kirin 9000E liegt bei 3,13 GHz während der Samsung Exynos 5420 8 CPU-Kerne besitzt und 8 Threads gleichzeitig berechnen kann. Die Taktfrequenz des Samsung Exynos 5420 liegt bei 1,90 GHz. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Eigenschaft | Samsung Exynos 5420 |
8 | Kerne | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (Prime / big.LITTLE) | Kernarchitektur | hybrid (big.LITTLE) |
Nein | Hyperthreading | Nein |
Nein | Übertaktbar ? | Nein |
3,13 GHz 1x Cortex-A77 |
A-Kern | 1,90 GHz 4x Cortex-A15 |
2,54 GHz 3x Cortex-A77 |
B-Kern | 1,30 GHz 4x Cortex-A7 |
2,05 GHz 4x Cortex-A55 |
C-Kern | -- |
Interne GrafikDer HiSilicon Kirin 9000E oder Samsung Exynos 5420 verfügt über eine integrierte Grafik, kurz iGPU genannt. Die iGPU nutzt den Arbeitsspeicher des Systems als Grafikspeicher und sitzt auf dem Die des Prozessors. |
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ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
0,76 GHz | Grafik-Taktfrequenz | 0,53 GHz |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Vallhall 2 | GPU Generation | Midgard 2 |
5 nm | Technologie | 32nm |
1 | Max. Bildschirme | 1 |
22 | Ausführungseinheiten | 6 |
352 | Shader | 96 |
Nein | Hardware Raytracing | Nein |
Nein | Frame Generation | Nein |
-- | Max. GPU Speicher | -- |
12 | DirectX Version | 11 |
Codec-Unterstützung in HardwareEin in Hardware beschleunigter Foto- oder Videocodec kann die Arbeitsgeschwindigkeit eines Prozessors stark beschleunigen und die Akkulaufzeit von Notebooks oder Smartphones bei der Wiedergabe von Videos verlängern. |
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ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h264 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP9 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP8 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren | Codec AV1 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec AVC | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VC-1 | Nein |
Dekodieren / Enkodieren | Codec JPEG | Nein |
Arbeitsspeicher & PCIeDer HiSilicon Kirin 9000E kann bis zu GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen nutzen. Die maximale Speicherbandbreite liegt bei --. Bis zu GB Arbeitsspeicher unterstützt der Samsung Exynos 5420 in 0 Speicherkanälen und erreicht eine Speicherbandbreite von bis zu --. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Eigenschaft | Samsung Exynos 5420 |
LPDDR5-2750, LPDDR4X-2133 | Arbeitsspeicher | LPDDR3e-933 |
Max. Speicher | ||
4 (Quad Channel) | Speicherkanäle | 0 |
-- | Max. Bandbreite | -- |
Nein | ECC | Nein |
-- | L2 Cache | 2,50 MB |
-- | L3 Cache | -- |
-- | PCIe Version | -- |
-- | PCIe Leitungen | -- |
-- | PCIe Bandbreite | -- |
LeistungsaufnahmeDie Thermal Design Power (kurz TDP) des HiSilicon Kirin 9000E liegt bei --, während der Samsung Exynos 5420 eine TDP von -- besitzt. Die TDP gibt die notwendige Kühllösung vor, die benötigt wird um den Prozessor ausreichend zu kühlen. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Eigenschaft | Samsung Exynos 5420 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Technische DatenDer HiSilicon Kirin 9000E wird in 5 nm gefertigt und verfügt über 0,00 MB Cache. Der Samsung Exynos 5420 wird in 28 nm gefertigt und verfügt über einen 2,50 MB großen Cache. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Eigenschaft | Samsung Exynos 5420 |
5 nm | Technologie | 28 nm |
Chiplet | Chip-Design | Unbekannt |
Armv8-A (64 bit) | Befehlssatz (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | ISA Erweiterungen | -- |
-- | Sockel | -- |
Keine | Virtualisierung | Keine |
Nein | AES-NI | Nein |
Android | Betriebssysteme | Android |
Q4/2020 | Erscheinungsdatum | Q3/2013 |
-- | Erscheinungspreis | -- |
weitere Daten anzeigen | weitere Daten anzeigen | |
HiSilicon Kirin 9000E
ARM Mali-G78 MP22 @ 0,76 GHz |
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Samsung Exynos 5420
ARM Mali-T628 MP6 @ 0,53 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1,90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1,90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1,90 GHz |
Geräte mit diesem Prozessor |
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HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 |
Unbekannt | Unbekannt |