HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 | |
Comparación de CPUHiSilicon Kirin 9000E o Samsung Exynos 5420 - ¿Qué procesador es más rápido? En esta comparativa nos fijamos en las diferencias y analizamos cuál de estas dos CPU es mejor. Comparamos los datos técnicos y los resultados de referencia.
El HiSilicon Kirin 9000E tiene 8 núcleos con 8 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 3,13 GHz. Se admiten hasta GB de memoria en 4 canales de memoria. El HiSilicon Kirin 9000E se publicó en Q4/2020. El Samsung Exynos 5420 tiene 8 núcleos con 8 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 1,90 GHz. La CPU admite hasta GB de memoria en 0 canales de memoria. El Samsung Exynos 5420 se publicó en Q3/2013. |
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HiSilicon Kirin (29) | Familia | Samsung Exynos (46) |
HiSilicon Kirin 9000 (2) | Grupo de CPU | Samsung Exynos 5260/5410/5420/5422/5800 (5) |
9 | Generacion | 3 |
Cortex-A77 / Cortex-A55 | Arquitectura | Cortex-A15 / Cortex-A7 |
Mobile | Segmento | Mobile |
-- | Predecesor | -- |
-- | Sucesor | -- |
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CPU Núcleos y frecuencia de baseEl HiSilicon Kirin 9000E tiene 8 núcleos de CPU y puede calcular 8 subprocesos en paralelo. La frecuencia de reloj de HiSilicon Kirin 9000E es 3,13 GHz mientras que Samsung Exynos 5420 tiene 8 núcleos de CPU y 8 hilos pueden calcularse simultáneamente. La frecuencia de reloj de Samsung Exynos 5420 está en 1,90 GHz. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Característica | Samsung Exynos 5420 |
8 | Nùcleos | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (Prime / big.LITTLE) | Arquitectura central | hybrid (big.LITTLE) |
No | Hyperthreading | No |
No | Overclocking ? | No |
3,13 GHz 1x Cortex-A77 |
A-Nùcleo | 1,90 GHz 4x Cortex-A15 |
2,54 GHz 3x Cortex-A77 |
B-Nùcleo | 1,30 GHz 4x Cortex-A7 |
2,05 GHz 4x Cortex-A55 |
C-Nùcleo | -- |
Grafica internaEl HiSilicon Kirin 9000E o Samsung Exynos 5420 tiene gráficos integrados, llamados iGPU para abreviar. La iGPU usa la memoria principal del sistema como memoria gráfica y se ubica en la matriz del procesador. |
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ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
0,76 GHz | Frecuencia GPU | 0,53 GHz |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Vallhall 2 | GPU Generation | Midgard 2 |
5 nm | Tecnologia | 32nm |
1 | Max. visualizaciones | 1 |
22 | Unidades de ejecución | 6 |
352 | Shader | 96 |
No | Hardware Raytracing | No |
No | Frame Generation | No |
-- | Max. GPU Memoria | -- |
12 | DirectX Version | 11 |
Hardware codec supportUn códec de foto o video acelerado en hardware puede acelerar en gran medida la velocidad de trabajo de un procesador y prolongar la duración de la batería de las computadoras portátiles o los teléfonos inteligentes al reproducir videos. |
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ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
Decodificar / Codificar | Codec h265 / HEVC (8 bit) | No |
Decodificar / Codificar | Codec h265 / HEVC (10 bit) | No |
Decodificar / Codificar | Codec h264 | Decodificar / Codificar |
Decodificar / Codificar | Codec VP9 | No |
Decodificar / Codificar | Codec VP8 | Decodificar / Codificar |
Decodificar | Codec AV1 | No |
Decodificar / Codificar | Codec AVC | No |
Decodificar / Codificar | Codec VC-1 | No |
Decodificar / Codificar | Codec JPEG | No |
Memoria & PCIeEl HiSilicon Kirin 9000E puede usar hasta GB de memoria en 4 canales de memoria. El ancho de banda de memoria máximo es --. El Samsung Exynos 5420 admite hasta GB de memoria en 0 canales de memoria y logra un ancho de banda de memoria de hasta --. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Característica | Samsung Exynos 5420 |
LPDDR5-2750, LPDDR4X-2133 | Memoria | LPDDR3e-933 |
Max. Memoria | ||
4 (Quad Channel) | Canales de memoria | 0 |
-- | Max. Banda ancha | -- |
No | ECC | No |
-- | L2 Cache | 2,50 MB |
-- | L3 Cache | -- |
-- | Versión PCIe | -- |
-- | Lineas PCIe | -- |
-- | PCIe Banda ancha | -- |
Gestión térmicaLa potencia de diseño térmico (TDP para abreviar) del HiSilicon Kirin 9000E es --, mientras que el Samsung Exynos 5420 tiene un TDP de --. El TDP especifica la solución de enfriamiento necesaria que se requiere para enfriar el procesador lo suficiente. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Característica | Samsung Exynos 5420 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Detalles tecnicosEl HiSilicon Kirin 9000E está fabricado en 5 nm y tiene 0,00 MB de caché. El Samsung Exynos 5420 está fabricado en 28 nm y tiene una caché de 2,50 MB. |
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HiSilicon Kirin 9000E | Característica | Samsung Exynos 5420 |
5 nm | Tecnologia | 28 nm |
Chiplet | Diseño de chips | Desconocido |
Armv8-A (64 bit) | Conjunto de instrucciones (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | Extensiones ISA | -- |
-- | Enchufe | -- |
Ninguno | Virtualización | Ninguno |
No | AES-NI | No |
Android | Sistemas operativos | Android |
Q4/2020 | Fecha de lanzamiento | Q3/2013 |
-- | Precio de lanzamiento | -- |
mostrar más datos | mostrar más datos | |
HiSilicon Kirin 9000E
ARM Mali-G78 MP22 @ 0,76 GHz |
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Samsung Exynos 5420
ARM Mali-T628 MP6 @ 0,53 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1,90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1,90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1,90 GHz |
Dispositivos que usan este procesador |
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HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 |
Desconocido | Desconocido |