Qualcomm Snapdragon 205 vs HiSilicon Kirin 650

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Comparaison avec des benchmarks


Qualcomm Snapdragon 205 CPU1 vs CPU2 HiSilicon Kirin 650
Qualcomm Snapdragon 205 HiSilicon Kirin 650

Comparaison CPU

Qualcomm Snapdragon 205 ou HiSilicon Kirin 650 - quel processeur est le plus rapide ? Dans cette comparaison, nous examinons les différences et analysons lequel de ces deux processeurs est le meilleur. Nous comparons les données techniques et les résultats de référence.

Le Qualcomm Snapdragon 205 a 2 cœurs avec 2 threads et horloges avec une fréquence maximale de 1.10 GHz. Jusqu'à 4 Go de mémoire est pris en charge dans 1 canaux de mémoire. Le Qualcomm Snapdragon 205 a été publié en 2017.

Le HiSilicon Kirin 650 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 2.00 GHz. Le processeur prend en charge jusqu'à Go de mémoire dans 2 canaux de mémoire. Le HiSilicon Kirin 650 a été publié en Q2/2016.
Qualcomm Snapdragon (102) Famille HiSilicon Kirin (29)
Qualcomm Snapdragon 205-212 (4) Groupe de processeurs HiSilicon Kirin 650 (4)
2 Génération 4
Cortex-A7 Architecture Cortex-A53 / Cortex-A53
Mobile Segment Mobile
-- Prédécesseur --
-- Successeur --

Cœurs de processeur et fréquence de base

Le Qualcomm Snapdragon 205 a 2 cœurs de processeur et peut calculer 2 threads en parallèle. La fréquence d'horloge du Qualcomm Snapdragon 205 est 1.10 GHz tandis que le HiSilicon Kirin 650 a 8 cœurs de processeur et 8 threads peuvent calculer simultanément. La fréquence d'horloge de HiSilicon Kirin 650 est à 2.00 GHz.
Qualcomm Snapdragon 205 Caractéristique HiSilicon Kirin 650
2 Cores 8
2 Threads 8
normal Architecture de base hybrid (big.LITTLE)
Non Hyperthreading Non
Non Overclocking ? Non
1.10 GHz
2x Cortex-A7		 A-Core 2.00 GHz
4x Cortex-A53
-- B-Core 1.70 GHz
4x Cortex-A53

Intelligence artificielle et apprentissage automatique

Les processeurs prenant en charge l'intelligence artificielle (IA) et l'apprentissage automatique (ML) peuvent traiter de nombreux calculs, en particulier le traitement audio, image et vidéo, beaucoup plus rapidement que les processeurs classiques. Les algorithmes de ML améliorent leurs performances au fur et à mesure qu'ils collectent des données via un logiciel. Les tâches de ML peuvent être traitées jusqu'à 10 000 fois plus rapidement qu'avec un processeur classique.
Qualcomm Snapdragon 205 Caractéristique HiSilicon Kirin 650
-- Matériel AI --
-- Spécifications de l'IA --

Graphiques internes

Le Qualcomm Snapdragon 205 ou HiSilicon Kirin 650 a des graphiques intégrés, appelés iGPU en abrégé. L'iGPU utilise la mémoire principale du système comme mémoire graphique et repose sur la matrice du processeur.
Qualcomm Adreno 304 GPU ARM Mali-T830 MP2
0.40 GHz Fréquence GPU 0.90 GHz
0.40 GHz GPU (Turbo) --
3 GPU Generation Midgard 4
28 nm La technologie 28nm
0 Max. affiche 2
-- Unités d'exécution 2
24 Shader 32
Non Hardware Raytracing Non
Non Frame Generation Non
-- Max. GPU Mémoire --
11 DirectX Version 11

Prise en charge du codec matériel

Un codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos.
Qualcomm Adreno 304 GPU ARM Mali-T830 MP2
Décoder Codec h265 / HEVC (8 bit) Décoder / Encoder
Non Codec h265 / HEVC (10 bit) Décoder
Décoder / Encoder Codec h264 Décoder / Encoder
Non Codec VP9 Non
Non Codec VP8 Décoder / Encoder
Non Codec AV1 Non
Non Codec AVC Non
Décoder Codec VC-1 Non
Décoder / Encoder Codec JPEG Décoder / Encoder

Mémoire & PCIe

Le Qualcomm Snapdragon 205 peut utiliser jusqu'à 4 Go de mémoire dans 1 canaux de mémoire. La bande passante mémoire maximale est de 3.2 Go/s. Le HiSilicon Kirin 650 prend en charge jusqu'à Go de mémoire dans 2 canaux de mémoire et atteint une bande passante mémoire allant jusqu'à --.
Qualcomm Snapdragon 205 Caractéristique HiSilicon Kirin 650
LPDDR3-800, LPDDR2-800 Mémoire LPDDR3-933
4 Go Max. Mémoire
1 (Single Channel) Canaux de mémoire 2 (Dual Channel)
3.2 Go/s Max. Bande passante --
Non ECC Non
-- L2 Cache --
-- L3 Cache --
-- Version PCIe --
-- PCIe lanes --
-- PCIe Bande passante --

Gestion thermale

La puissance thermique nominale (TDP en abrégé) du Qualcomm Snapdragon 205 est de --, tandis que le HiSilicon Kirin 650 a un TDP de --. Le TDP spécifie la solution de refroidissement nécessaire pour refroidir suffisamment le processeur.
Qualcomm Snapdragon 205 Caractéristique HiSilicon Kirin 650
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

Détails techniques

Le Qualcomm Snapdragon 205 est fabriqué en 28 nm et a 0.00 cache de Mo. Le HiSilicon Kirin 650 est fabriqué en 16 nm et dispose d'un cache 0.00 Mo.
Qualcomm Snapdragon 205 Caractéristique HiSilicon Kirin 650
28 nm La technologie 16 nm
Chiplet Conception de puce Chiplet
Armv7-A (32 bit) Jeu d'instructions (ISA) Armv8-A (64 bit)
-- Extensions ISA --
-- Socket --
Aucun La virtualisation Aucun
Non AES-NI Non
Android Systèmes d'exploitation Android
2017 Date de sortie Q2/2016
-- Prix de sortie --
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iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)

Les performances de calcul théoriques de l'unité graphique interne du processeur avec une précision simple (32 bits) dans GFLOPS. GFLOPS indique combien de milliards d'opérations en virgule flottante l'iGPU peut effectuer par seconde.
Qualcomm Snapdragon 205 Qualcomm Snapdragon 205
Qualcomm Adreno 304 @ 0.40 GHz
19 (31%)
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0.90 GHz
61 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5 est un benchmark multi-plateformes qui utilise beaucoup la mémoire système. Une mémoire rapide va beaucoup pousser le résultat. Le test monocœur utilise un seul cœur de processeur, la quantité de cœurs ou la capacité d’hyperthreading ne comptent pas.
Qualcomm Snapdragon 205 Qualcomm Snapdragon 205
2C 2T @ 1.10 GHz
0 (0%)
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
163 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5 est un benchmark multi-plateformes qui utilise beaucoup la mémoire système. Une mémoire rapide va beaucoup pousser le résultat. Le test multicœur concerne tous les cœurs de processeur et procure un avantage considérable de l'hyperthreading.
Qualcomm Snapdragon 205 Qualcomm Snapdragon 205
2C 2T @ 1.10 GHz
0 (0%)
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
763 (100%)

Périphériques utilisant ce processeur
Qualcomm Snapdragon 205 HiSilicon Kirin 650
Inconnu Inconnu

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