Qualcomm Snapdragon 205 vs HiSilicon Kirin 650

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Comparación con puntos de referencia


Qualcomm Snapdragon 205 CPU1 vs CPU2 HiSilicon Kirin 650
Qualcomm Snapdragon 205 HiSilicon Kirin 650

Comparación de CPU

Qualcomm Snapdragon 205 o HiSilicon Kirin 650 - ¿Qué procesador es más rápido? En esta comparativa nos fijamos en las diferencias y analizamos cuál de estas dos CPU es mejor. Comparamos los datos técnicos y los resultados de referencia.

El Qualcomm Snapdragon 205 tiene 2 núcleos con 2 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 1,10 GHz. Se admiten hasta 4 GB de memoria en 1 canales de memoria. El Qualcomm Snapdragon 205 se publicó en 2017.

El HiSilicon Kirin 650 tiene 8 núcleos con 8 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 2,00 GHz. La CPU admite hasta GB de memoria en 2 canales de memoria. El HiSilicon Kirin 650 se publicó en Q2/2016.
Qualcomm Snapdragon (102) Familia HiSilicon Kirin (29)
Qualcomm Snapdragon 205-212 (4) Grupo de CPU HiSilicon Kirin 650 (4)
2 Generacion 4
Cortex-A7 Arquitectura Cortex-A53 / Cortex-A53
Mobile Segmento Mobile
-- Predecesor --
-- Sucesor --

CPU Núcleos y frecuencia de base

El Qualcomm Snapdragon 205 tiene 2 núcleos de CPU y puede calcular 2 subprocesos en paralelo. La frecuencia de reloj de Qualcomm Snapdragon 205 es 1,10 GHz mientras que HiSilicon Kirin 650 tiene 8 núcleos de CPU y 8 hilos pueden calcularse simultáneamente. La frecuencia de reloj de HiSilicon Kirin 650 está en 2,00 GHz.

Qualcomm Snapdragon 205 Característica HiSilicon Kirin 650
2 Nùcleos 8
2 Threads 8
normal Arquitectura central hybrid (big.LITTLE)
No Hyperthreading No
No Overclocking ? No
1,10 GHz
2x Cortex-A7
A-Nùcleo 2,00 GHz
4x Cortex-A53
-- B-Nùcleo 1,70 GHz
4x Cortex-A53

Inteligencia artificial y aprendizaje automático

Los procesadores con el apoyo de la inteligencia artificial (AI) y el aprendizaje automático (ML) pueden procesar muchos cálculos, especialmente el procesamiento de audio, imagen y video, mucho más rápido que los procesadores clásicos. Los algoritmos para ML mejoran su rendimiento cuantos más datos hayan recopilado a través del software. Las tareas de ML se pueden procesar hasta 10 000 veces más rápido que con un procesador clásico.

Qualcomm Snapdragon 205 Característica HiSilicon Kirin 650
-- Hardware de IA --
-- especificaciones de IA --

Grafica interna

El Qualcomm Snapdragon 205 o HiSilicon Kirin 650 tiene gráficos integrados, llamados iGPU para abreviar. La iGPU usa la memoria principal del sistema como memoria gráfica y se ubica en la matriz del procesador.

Qualcomm Adreno 304 GPU ARM Mali-T830 MP2
0,40 GHz Frecuencia GPU 0,90 GHz
0,40 GHz GPU (Turbo) --
3 GPU Generation Midgard 4
28 nm Tecnologia 28nm
0 Max. visualizaciones 2
-- Unidades de ejecución 2
24 Shader 32
No Hardware Raytracing No
No Frame Generation No
-- Max. GPU Memoria --
11 DirectX Version 11

Hardware codec support

Un códec de foto o video acelerado en hardware puede acelerar en gran medida la velocidad de trabajo de un procesador y prolongar la duración de la batería de las computadoras portátiles o los teléfonos inteligentes al reproducir videos.

Qualcomm Adreno 304 GPU ARM Mali-T830 MP2
Decodificar Codec h265 / HEVC (8 bit) Decodificar / Codificar
No Codec h265 / HEVC (10 bit) Decodificar
Decodificar / Codificar Codec h264 Decodificar / Codificar
No Codec VP9 No
No Codec VP8 Decodificar / Codificar
No Codec AV1 No
No Codec AVC No
Decodificar Codec VC-1 No
Decodificar / Codificar Codec JPEG Decodificar / Codificar

Memoria & PCIe

El Qualcomm Snapdragon 205 puede usar hasta 4 GB de memoria en 1 canales de memoria. El ancho de banda de memoria máximo es 3,2 GB/s. El HiSilicon Kirin 650 admite hasta GB de memoria en 2 canales de memoria y logra un ancho de banda de memoria de hasta --.

Qualcomm Snapdragon 205 Característica HiSilicon Kirin 650
LPDDR3-800, LPDDR2-800 Memoria LPDDR3-933
4 GB Max. Memoria
1 (Single Channel) Canales de memoria 2 (Dual Channel)
3,2 GB/s Max. Banda ancha --
No ECC No
-- L2 Cache --
-- L3 Cache --
-- Versión PCIe --
-- Lineas PCIe --
-- PCIe Banda ancha --

Gestión térmica

La potencia de diseño térmico (TDP para abreviar) del Qualcomm Snapdragon 205 es --, mientras que el HiSilicon Kirin 650 tiene un TDP de --. El TDP especifica la solución de enfriamiento necesaria que se requiere para enfriar el procesador lo suficiente.

Qualcomm Snapdragon 205 Característica HiSilicon Kirin 650
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

Detalles tecnicos

El Qualcomm Snapdragon 205 está fabricado en 28 nm y tiene 0,00 MB de caché. El HiSilicon Kirin 650 está fabricado en 16 nm y tiene una caché de 0,00 MB.

Qualcomm Snapdragon 205 Característica HiSilicon Kirin 650
28 nm Tecnologia 16 nm
Chiplet Diseño de chips Chiplet
Armv7-A (32 bit) Conjunto de instrucciones (ISA) Armv8-A (64 bit)
-- Extensiones ISA --
-- Enchufe --
Ninguno Virtualización Ninguno
No AES-NI No
Android Sistemas operativos Android
2017 Fecha de lanzamiento Q2/2016
-- Precio de lanzamiento --
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iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

El rendimiento informático teórico de la unidad gráfica interna del procesador con precisión simple (32 bits) en GFLOPS. GFLOPS indica cuántos mil millones de operaciones de punto flotante puede realizar el iGPU por segundo.
Qualcomm Snapdragon 205 Qualcomm Snapdragon 205
Qualcomm Adreno 304 @ 0,40 GHz
19 (31%)
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0,90 GHz
61 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5 es un benchmark multi-plataforma que utiliza intensivamente la memoria del sistema. Una memoria rapida mejorará mucho el resultado. La prueba single-core sólo utiliza un núcleo de la CPU, la cantidad de núcleos o la capacidad de hyperthreading no cuenta.
Qualcomm Snapdragon 205 Qualcomm Snapdragon 205
2C 2T @ 1,10 GHz
0 (0%)
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz
163 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5 es un benchmark multi-plataforma que utiliza intensivamente la memoria del sistema. Una memoria rapida mejorará mucho el resultado. La prueba multi-core involucra todos los núcleos de la CPU y hace uso de hyperthreading.
Qualcomm Snapdragon 205 Qualcomm Snapdragon 205
2C 2T @ 1,10 GHz
0 (0%)
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz
763 (100%)

Dispositivos que usan este procesador

Qualcomm Snapdragon 205 HiSilicon Kirin 650
Desconocido Desconocido

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