Qualcomm Snapdragon 205 | HiSilicon Kirin 650 | |
Comparación de CPUQualcomm Snapdragon 205 o HiSilicon Kirin 650 - ¿Qué procesador es más rápido? En esta comparativa nos fijamos en las diferencias y analizamos cuál de estas dos CPU es mejor. Comparamos los datos técnicos y los resultados de referencia.
El Qualcomm Snapdragon 205 tiene 2 núcleos con 2 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 1,10 GHz. Se admiten hasta 4 GB de memoria en 1 canales de memoria. El Qualcomm Snapdragon 205 se publicó en 2017. El HiSilicon Kirin 650 tiene 8 núcleos con 8 hilos y relojes con una frecuencia máxima de 2,00 GHz. La CPU admite hasta GB de memoria en 2 canales de memoria. El HiSilicon Kirin 650 se publicó en Q2/2016. |
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Qualcomm Snapdragon (102) | Familia | HiSilicon Kirin (29) |
Qualcomm Snapdragon 205-212 (4) | Grupo de CPU | HiSilicon Kirin 650 (4) |
2 | Generacion | 4 |
Cortex-A7 | Arquitectura | Cortex-A53 / Cortex-A53 |
Mobile | Segmento | Mobile |
-- | Predecesor | -- |
-- | Sucesor | -- |
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CPU Núcleos y frecuencia de baseEl Qualcomm Snapdragon 205 tiene 2 núcleos de CPU y puede calcular 2 subprocesos en paralelo. La frecuencia de reloj de Qualcomm Snapdragon 205 es 1,10 GHz mientras que HiSilicon Kirin 650 tiene 8 núcleos de CPU y 8 hilos pueden calcularse simultáneamente. La frecuencia de reloj de HiSilicon Kirin 650 está en 2,00 GHz. |
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Qualcomm Snapdragon 205 | Característica | HiSilicon Kirin 650 |
2 | Nùcleos | 8 |
2 | Threads | 8 |
normal | Arquitectura central | hybrid (big.LITTLE) |
No | Hyperthreading | No |
No | Overclocking ? | No |
1,10 GHz 2x Cortex-A7 |
A-Nùcleo | 2,00 GHz 4x Cortex-A53 |
-- | B-Nùcleo | 1,70 GHz 4x Cortex-A53 |
Grafica internaEl Qualcomm Snapdragon 205 o HiSilicon Kirin 650 tiene gráficos integrados, llamados iGPU para abreviar. La iGPU usa la memoria principal del sistema como memoria gráfica y se ubica en la matriz del procesador. |
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Qualcomm Adreno 304 | GPU | ARM Mali-T830 MP2 |
0,40 GHz | Frecuencia GPU | 0,90 GHz |
0,40 GHz | GPU (Turbo) | -- |
3 | GPU Generation | Midgard 4 |
28 nm | Tecnologia | 28nm |
0 | Max. visualizaciones | 2 |
-- | Unidades de ejecución | 2 |
24 | Shader | 32 |
No | Hardware Raytracing | No |
No | Frame Generation | No |
-- | Max. GPU Memoria | -- |
11 | DirectX Version | 11 |
Hardware codec supportUn códec de foto o video acelerado en hardware puede acelerar en gran medida la velocidad de trabajo de un procesador y prolongar la duración de la batería de las computadoras portátiles o los teléfonos inteligentes al reproducir videos. |
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Qualcomm Adreno 304 | GPU | ARM Mali-T830 MP2 |
Decodificar | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Decodificar / Codificar |
No | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Decodificar |
Decodificar / Codificar | Codec h264 | Decodificar / Codificar |
No | Codec VP9 | No |
No | Codec VP8 | Decodificar / Codificar |
No | Codec AV1 | No |
No | Codec AVC | No |
Decodificar | Codec VC-1 | No |
Decodificar / Codificar | Codec JPEG | Decodificar / Codificar |
Memoria & PCIeEl Qualcomm Snapdragon 205 puede usar hasta 4 GB de memoria en 1 canales de memoria. El ancho de banda de memoria máximo es 3,2 GB/s. El HiSilicon Kirin 650 admite hasta GB de memoria en 2 canales de memoria y logra un ancho de banda de memoria de hasta --. |
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Qualcomm Snapdragon 205 | Característica | HiSilicon Kirin 650 |
LPDDR3-800, LPDDR2-800 | Memoria | LPDDR3-933 |
4 GB | Max. Memoria | |
1 (Single Channel) | Canales de memoria | 2 (Dual Channel) |
3,2 GB/s | Max. Banda ancha | -- |
No | ECC | No |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
-- | Versión PCIe | -- |
-- | Lineas PCIe | -- |
-- | PCIe Banda ancha | -- |
Gestión térmicaLa potencia de diseño térmico (TDP para abreviar) del Qualcomm Snapdragon 205 es --, mientras que el HiSilicon Kirin 650 tiene un TDP de --. El TDP especifica la solución de enfriamiento necesaria que se requiere para enfriar el procesador lo suficiente. |
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Qualcomm Snapdragon 205 | Característica | HiSilicon Kirin 650 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Detalles tecnicosEl Qualcomm Snapdragon 205 está fabricado en 28 nm y tiene 0,00 MB de caché. El HiSilicon Kirin 650 está fabricado en 16 nm y tiene una caché de 0,00 MB. |
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Qualcomm Snapdragon 205 | Característica | HiSilicon Kirin 650 |
28 nm | Tecnologia | 16 nm |
Chiplet | Diseño de chips | Chiplet |
Armv7-A (32 bit) | Conjunto de instrucciones (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | Extensiones ISA | -- |
-- | Enchufe | -- |
Ninguno | Virtualización | Ninguno |
No | AES-NI | No |
Android | Sistemas operativos | Android |
2017 | Fecha de lanzamiento | Q2/2016 |
-- | Precio de lanzamiento | -- |
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Qualcomm Snapdragon 205
Qualcomm Adreno 304 @ 0,40 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0,90 GHz |
Qualcomm Snapdragon 205
2C 2T @ 1,10 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
Qualcomm Snapdragon 205
2C 2T @ 1,10 GHz |
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HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2,00 GHz |
Dispositivos que usan este procesador |
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Qualcomm Snapdragon 205 | HiSilicon Kirin 650 |
Desconocido | Desconocido |