HiSilicon Kirin 935 vs Samsung Exynos 5410

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Comparaison avec des benchmarks


HiSilicon Kirin 935 CPU1 vs CPU2 Samsung Exynos 5410
HiSilicon Kirin 935 Samsung Exynos 5410

Comparaison CPU

HiSilicon Kirin 935 ou Samsung Exynos 5410 - quel processeur est le plus rapide ? Dans cette comparaison, nous examinons les différences et analysons lequel de ces deux processeurs est le meilleur. Nous comparons les données techniques et les résultats de référence.

Le HiSilicon Kirin 935 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 2.20 GHz. Jusqu'à Go de mémoire est pris en charge dans 2 canaux de mémoire. Le HiSilicon Kirin 935 a été publié en Q1/2015.

Le Samsung Exynos 5410 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 1.60 GHz. Le processeur prend en charge jusqu'à Go de mémoire dans 0 canaux de mémoire. Le Samsung Exynos 5410 a été publié en Q2/2013.
HiSilicon Kirin (29) Famille Samsung Exynos (47)
HiSilicon Kirin 930 (2) Groupe de processeurs Samsung Exynos 5260/5410/5420/5422/5800 (5)
3 Génération 3
Cortex-A53 / Cortex-A53 Architecture Cortex-A15 / Cortex-A7
Mobile Segment Mobile
-- Prédécesseur --
-- Successeur --

Cœurs de processeur et fréquence de base

Le HiSilicon Kirin 935 a 8 cœurs de processeur et peut calculer 8 threads en parallèle. La fréquence d'horloge du HiSilicon Kirin 935 est 2.20 GHz tandis que le Samsung Exynos 5410 a 8 cœurs de processeur et 8 threads peuvent calculer simultanément. La fréquence d'horloge de Samsung Exynos 5410 est à 1.60 GHz.

HiSilicon Kirin 935 Caractéristique Samsung Exynos 5410
8 Cores 8
8 Threads 8
hybrid (big.LITTLE) Architecture de base hybrid (big.LITTLE)
Non Hyperthreading Non
Non Overclocking ? Non
2.20 GHz
4x Cortex-A53
A-Core 1.60 GHz
4x Cortex-A15
1.50 GHz
4x Cortex-A53
B-Core 1.20 GHz
4x Cortex-A7

Intelligence artificielle et apprentissage automatique

Les processeurs prenant en charge l'intelligence artificielle (IA) et l'apprentissage automatique (ML) peuvent traiter de nombreux calculs, en particulier le traitement audio, image et vidéo, beaucoup plus rapidement que les processeurs classiques. Les algorithmes de ML améliorent leurs performances au fur et à mesure qu'ils collectent des données via un logiciel. Les tâches de ML peuvent être traitées jusqu'à 10 000 fois plus rapidement qu'avec un processeur classique.

HiSilicon Kirin 935 Caractéristique Samsung Exynos 5410
-- Matériel AI --
-- Spécifications de l'IA --

Graphiques internes

Le HiSilicon Kirin 935 ou Samsung Exynos 5410 a des graphiques intégrés, appelés iGPU en abrégé. L'iGPU utilise la mémoire principale du système comme mémoire graphique et repose sur la matrice du processeur.

ARM Mali-T628 MP4 GPU PowerVR SGX544 MP3
0.68 GHz Fréquence GPU 0.53 GHz
0.68 GHz GPU (Turbo) 0.53 GHz
Midgard 2 GPU Generation --
32nm La technologie 45nm
1 Max. affiche 1
4 Unités d'exécution 6
64 Shader 12
Non Hardware Raytracing Non
Non Frame Generation Non
-- Max. GPU Mémoire --
11 DirectX Version 10.1

Prise en charge du codec matériel

Un codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos.

ARM Mali-T628 MP4 GPU PowerVR SGX544 MP3
Non Codec h265 / HEVC (8 bit) Non
Non Codec h265 / HEVC (10 bit) Non
Décoder / Encoder Codec h264 Décoder / Encoder
Non Codec VP9 Non
Décoder / Encoder Codec VP8 Décoder
Non Codec AV1 Non
Non Codec AVC Non
Non Codec VC-1 Non
Non Codec JPEG Non

Mémoire & PCIe

Le HiSilicon Kirin 935 peut utiliser jusqu'à Go de mémoire dans 2 canaux de mémoire. La bande passante mémoire maximale est de --. Le Samsung Exynos 5410 prend en charge jusqu'à Go de mémoire dans 0 canaux de mémoire et atteint une bande passante mémoire allant jusqu'à --.

HiSilicon Kirin 935 Caractéristique Samsung Exynos 5410
LPDDR3-1600 Mémoire LPDDR3-800
Max. Mémoire
2 (Dual Channel) Canaux de mémoire 0
-- Max. Bande passante --
Non ECC Non
-- L2 Cache 2.50 MB
-- L3 Cache --
-- Version PCIe --
-- PCIe lanes --
-- PCIe Bande passante --

Gestion thermale

La puissance thermique nominale (TDP en abrégé) du HiSilicon Kirin 935 est de --, tandis que le Samsung Exynos 5410 a un TDP de --. Le TDP spécifie la solution de refroidissement nécessaire pour refroidir suffisamment le processeur.

HiSilicon Kirin 935 Caractéristique Samsung Exynos 5410
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

Détails techniques

Le HiSilicon Kirin 935 est fabriqué en 28 nm et a 0.00 cache de Mo. Le Samsung Exynos 5410 est fabriqué en 28 nm et dispose d'un cache 2.50 Mo.

HiSilicon Kirin 935 Caractéristique Samsung Exynos 5410
28 nm La technologie 28 nm
Chiplet Conception de puce Inconnu
Armv8-A (64 bit) Jeu d'instructions (ISA) Armv7-A (32 bit)
-- Extensions ISA --
-- Socket AM1
Aucun La virtualisation Aucun
Non AES-NI Non
Android Systèmes d'exploitation Android
Q1/2015 Date de sortie Q2/2013
-- Prix de sortie --
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iGPU - FP32 Performance (GFLOPS simple précision)

Les performances de calcul théoriques de l'unité graphique interne du processeur avec une précision simple (32 bits) dans GFLOPS. GFLOPS indique combien de milliards d'opérations en virgule flottante l'iGPU peut effectuer par seconde.
HiSilicon Kirin 935 HiSilicon Kirin 935
ARM Mali-T628 MP4 @ 0.68 GHz
87 (100%)
Samsung Exynos 5410 Samsung Exynos 5410
PowerVR SGX544 MP3 @ 0.53 GHz
51 (59%)

Périphériques utilisant ce processeur

HiSilicon Kirin 935 Samsung Exynos 5410
Inconnu Inconnu

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