Samsung Exynos 8895

Samsung Exynos 8895
Benchmarks y especificaciones

Última actualización:
El Samsung Exynos 8895 representó en su momento un paso importante en el mundo de los procesadores móviles. Este chip se fabricó utilizando el entonces moderno proceso de 10 nanómetros, lo que le confirió una notable eficiencia energética. En su interior trabajaba una combinación de núcleos Exynos M2 desarrollados internamente y núcleos Cortex-A53 de bajo consumo.

Esta arquitectura híbrida fue diseñada para ofrecer un rendimiento equilibrado tanto para tareas cotidianas como para tareas más exigentes. Muchos usuarios apreciaron el diseño bien pensado de este procesador. Para aplicaciones gráficas y multimedia, la unidad gráfica integrada ARM Mali-G71 MP20 era una verdadera ventaja.

Con 20 núcleos, permitía una experiencia fluida al jugar o al ver contenido de alta resolución. El Samsung Exynos 8895 gestionó sus tareas de forma fiable. Era una solución bastante competente y robusta para los dispositivos móviles de su época. Se podía confiar en sus capacidades, incluso con un uso más intensivo.

Realizó su trabajo con una fiabilidad que convenció a muchos usuarios.
  • Fabricación de 10 nanómetros
  • Núcleos Exynos M2 propios
  • Gráficos ARM Mali-G71 MP20

Resumen del rendimiento
Rendimiento promedio en varios benchmarks

Rendimiento de un solo núcleo
Puesto 120 / 176
En el segmento Smartphone / Tablet
Rendimiento multinúcleo
Puesto 119 / 177
En el segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

MediaTek Helio G85
8C / 8T · 2,00 GHz
424
MediaTek Helio P65
8C / 8T · 2,00 GHz
422
Samsung Exynos 8895
8C / 8T · 2,30 GHz
421
UNISOC T700
8C / 8T · 1,80 GHz
417
Samsung Exynos 9810
8C / 8T · 2,90 GHz
417
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

UNISOC T700
UNISOC T700 102 %
8C / 8T · 1,80 GHz
1.392
Qualcomm Snapdragon 710
8C / 8T · 2,20 GHz
1.376
Samsung Exynos 8895
8C / 8T · 2,30 GHz
1.367
MediaTek Helio G80
8C / 8T · 2,00 GHz
1.350
UNISOC T610
8C / 8T · 1,80 GHz
1.342
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Samsung Exynos W1000
5C / 5T · 1,60 GHz
373
MediaTek Helio G70
8C / 8T · 2,00 GHz
368
Samsung Exynos 8895
8C / 8T · 2,30 GHz
362
MediaTek Helio G85
8C / 8T · 2,00 GHz
359
MediaTek Helio G88
8C / 8T · 2,00 GHz
359
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

Apple A10 Fusion
4C / 4T · 2,34 GHz
1.422
UNISOC T618
UNISOC T618 101 %
8C / 8T · 2,00 GHz
1.418
Samsung Exynos 8895
8C / 8T · 2,30 GHz
1.407
HiSilicon Kirin 710
8C / 8T · 2,20 GHz
1.384
Qualcomm Snapdragon 636
8C / 8T · 1,80 GHz
1.369
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

MediaTek Dimensity 1000L
ARM Mali-G77 MP7
622
Qualcomm Snapdragon 768G
Qualcomm Adreno 620
620
Samsung Exynos 8895
ARM Mali-G71 MP20
612
MediaTek Dimensity 1000C
ARM Mali-G57 MP5
608
Samsung Exynos 1380
ARM Mali-G68 MP5
608
AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8 Benchmark

Qualcomm Snapdragon 662
8C / 8T · 2,00 GHz
176.983 pts
Qualcomm Snapdragon 670
8C / 8T · 2,00 GHz
175.698 pts
Samsung Exynos 8895
8C / 8T · 2,30 GHz
175.045 pts
Apple A9
Apple A9 98 %
2C / 2T · 1,85 GHz
172.160 pts
Qualcomm Snapdragon 665
8C / 8T · 2,00 GHz
171.683 pts

Más benchmarks

De un vistazo

ParámetroValor
FamiliaSamsung Exynos (49)
Grupo de CPUSamsung Exynos 8895 (1)
Arquitectura Exynos M2 / Cortex-A53
Tecnologia10 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Enchufe
Generacion2
Predecesor
Sucesor

CPU Núcleos y frecuencia de base

ParámetroValor
CPU Nùcleos / Threads8 / 8
Hyperthreading / SMT
Arquitectura centralhybrid (big.LITTLE)
Core Cluster 1: 4x Exynos M2 (Mongoose)
2,30 GHz
Core Cluster 2: 4x Cortex-A53
1,70 GHz
L2-Cache2,00 MB
L3-Cache
OverclockingNo

Grafica interna

ParámetroValor
nombre GPU ARM Mali-G71 MP20
Frecuencia GPU0,90 - 0,90 GHz
CUs / Shader20 / 320
Raytracing
Max. visualizaciones2
Max. GPU Memoria2 GB
Tecnologia16 nm
Fecha de lanzamientoQ2/2016

Memoria & PCIe

tipos de memoriaAncho de banda de memoria
LPDDR4-1866
--
ParámetroValor
Max. Memoria
Canales de memoria0
ECC
PCIe
PCIe Banda ancha

Gestión térmica

ParámetroValor
TDP
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Detalles tecnicos

ParámetroValor
Diseño de chips
AES-NI
Sistemas operativosAndroid
Conjunto de instruccionesArmv8-A (64 bit)
Extensiones ISA
Fecha de lanzamientoQ2/2017
Precio de lanzamiento
DocumentosFicha técnica
Samsung Exynos 8895
Samsung Exynos 8895
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