HiSilicon Kirin 650 vs Qualcomm Snapdragon 450

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ベンチマークとの比較


HiSilicon Kirin 650 CPU1 vs CPU2 Qualcomm Snapdragon 450
HiSilicon Kirin 650 Qualcomm Snapdragon 450

CPU比較

HiSilicon Kirin 650 または Qualcomm Snapdragon 450 - どちらのプロセッサが高速ですか? この比較では、違いを見て、これら 2 つの CPU のどちらが優れているかを分析します。 技術データとベンチマーク結果を比較します。

HiSilicon Kirin 650 には、8 のスレッドと最大周波数 2.00 GHz のクロックを備えた 8 のコアがあります。 2 メモリ チャネルでは、最大 GB のメモリがサポートされています。 HiSilicon Kirin 650 は Q2/2016 でリリースされました。

Qualcomm Snapdragon 450 には、8 のスレッドと最大周波数 1.80 GHz のクロックを備えた 8 のコアがあります。 CPU は、2 メモリ チャネルで最大 6 GB のメモリをサポートします。 Qualcomm Snapdragon 450 は Q3/2017 でリリースされました。
HiSilicon Kirin (29) 家族 Qualcomm Snapdragon (102)
HiSilicon Kirin 650 (4) CPUグループ Qualcomm Snapdragon 450 (1)
4 世代 4
Cortex-A53 / Cortex-A53 アーキテクチャ Cortex-A53
Mobile セグメント Mobile
-- 前任者 --
-- 後継 --

CPU コアとクロック周波数

HiSilicon Kirin 650 には 8 の CPU コアがあり、8 のスレッドを並列で計算できます。 HiSilicon Kirin 650 のクロック周波数は 2.00 GHz ですが、Qualcomm Snapdragon 450 には 8 の CPU コアがあり、8 のスレッドが同時に計算できます。 Qualcomm Snapdragon 450 のクロック周波数は 1.80 GHz です。

HiSilicon Kirin 650 特性 Qualcomm Snapdragon 450
8 コア 8
8 Threads 8
hybrid (big.LITTLE) コアアーキテクチャ normal
いいえ ハイパースレッディング いいえ
いいえ オーバークロック可能 ? いいえ
2.00 GHz
4x Cortex-A53
A-コア 1.80 GHz
8x Cortex-A53
1.70 GHz
4x Cortex-A53
B-コア --

人工知能と機械学習

人工知能 (AI) と機械学習 (ML) をサポートするプロセッサーは、多くの計算、特に音声、画像、ビデオの処理を従来のプロセッサーよりもはるかに高速に処理できます。 ML のアルゴリズムは、ソフトウェア経由で収集したデータが増えるほどパフォーマンスが向上します。 ML タスクは、従来のプロセッサよりも最大 10,000 倍高速に処理できます。

HiSilicon Kirin 650 特性 Qualcomm Snapdragon 450
-- AIハードウェア Qualcomm AI engine
-- AIの仕様 Hexagon 546

内部グラフィック

HiSilicon Kirin 650 また Qualcomm Snapdragon 450 には、略して iGPU と呼ばれる統合グラフィックスが搭載されています。 iGPU は、システムのメイン メモリをグラフィックス メモリとして使用し、プロセッサのダイ上に配置されます。

ARM Mali-T830 MP2 GPU Qualcomm Adreno 506
0.90 GHz グラフィック クロック周波数 0.60 GHz
-- GPU (ターボ) 0.60 GHz
Midgard 4 GPU Generation 5
28nm 技術 14 nm
2 最大画面サイズ 0
2 ユニット --
32 Shader 96
いいえ Hardware Raytracing いいえ
いいえ Frame Generation いいえ
-- 最大メモリ容量 --
11 DirectX Version 11

ハードウェア コーデック サポート

ハードウェアで高速化された写真またはビデオ コーデックは、ビデオの再生時にプロセッサの動作速度を大幅に高速化し、ノートブックまたはスマートフォンのバッテリ寿命を延ばすことができます。

ARM Mali-T830 MP2 GPU Qualcomm Adreno 506
復号化/符号化 Codec h265 / HEVC (8 bit) 復号化
復号化 Codec h265 / HEVC (10 bit) いいえ
復号化/符号化 Codec h264 復号化/符号化
いいえ Codec VP9 いいえ
復号化/符号化 Codec VP8 いいえ
いいえ Codec AV1 いいえ
いいえ Codec AVC いいえ
いいえ Codec VC-1 復号化
復号化/符号化 Codec JPEG 復号化/符号化

RAM & PCIe

HiSilicon Kirin 650 は、2 メモリ チャネルで最大 GB のメモリを使用できます。 最大メモリ帯域幅は -- です。 Qualcomm Snapdragon 450 は、2 メモリ チャネルで最大 6 GB のメモリをサポートし、最大 7.5 GB/s のメモリ帯域幅を実現します。

HiSilicon Kirin 650 特性 Qualcomm Snapdragon 450
LPDDR3-933 RAM LPDDR3-1866
最大メモリ容量 6 GB
2 (Dual Channel) メモリ チャンネル 2 (Dual Channel)
-- Max. 帯域幅 7.5 GB/s
いいえ ECC いいえ
-- L2 キャッシュ --
-- L3 キャッシュ --
-- PCIe バージョン --
-- PCIe 配線 --
-- PCIe 帯域幅 --

熱管理

HiSilicon Kirin 650 の熱設計電力 (略して TDP) は -- ですが、Qualcomm Snapdragon 450 の TDP は -- です。 TDP は、プロセッサを十分に冷却するために必要な冷却ソリューションを指定します。

HiSilicon Kirin 650 特性 Qualcomm Snapdragon 450
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

技術データ

HiSilicon Kirin 650 は 16 nm で製造され、0.00 MB キャッシュを備えています。 Qualcomm Snapdragon 450 は 14 nm で製造され、0.00 MB キャッシュを備えています。

HiSilicon Kirin 650 特性 Qualcomm Snapdragon 450
16 nm 技術 14 nm
チップレット チップ設計 チップレット
Armv8-A (64 bit) 指図書 (ISA) Armv8-A (64 bit)
-- ISA拡張機能 --
-- ソケット --
なし 仮想化 なし
いいえ AES-NI いいえ
Android オペレーティングシステム Android
Q2/2016 リリース日 Q3/2017
-- 発売価格 --
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これらのプロセッサを評価してください

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ベンチマークの平均パフォーマンス

⌀ シングルコアのパフォーマンス 1 CPUベンチマーク
HiSilicon Kirin 650 (100%)
Qualcomm Snapdragon 450 (93%)
⌀ マルチコアのパフォーマンス 1 CPUベンチマーク
HiSilicon Kirin 650 (81%)
Qualcomm Snapdragon 450 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5ベンチマークはプロセッサの性能を測定するものであり、それには RAM も含まれます。より高速なメモリの場合、結果が大幅に改善されます。シングルコア試験では CPU コアが一つのみ使用され、コアの数やハイパースレッディングが結果に影響することはありません。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
163 (100%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
8C 8T @ 1.80 GHz
151 (93%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5ベンチマークはプロセッサの性能を測定するものであり、それには RAM も含まれます。より高速なメモリの場合、結果が大幅に改善されます。マルチコア試験は全ての CPU コアを含み、ハイパースレッディングから多くの恩恵を受けます。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
763 (81%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
8C 8T @ 1.80 GHz
941 (100%)

iGPU-FP32パフォーマンス(単精度GFLOPS)

GFLOPSの単純な精度(32ビット)でのプロセッサーの内部グラフィックスユニットの理論上の計算パフォーマンス。 GFLOPSは、iGPUが1秒間に実行できる浮動小数点演算の数を示します。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
ARM Mali-T830 MP2 @ 0.90 GHz
61 (53%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
Qualcomm Adreno 506 @ 0.60 GHz
115 (100%)

Geekbench 6 (Single-Core)

Geekbench 6 は、最新のコンピューター、ノートブック、スマートフォンのベンチマークです。 新しいのは、たとえば big.LITTLE コンセプトに基づいてさまざまなサイズの CPU コアを組み合わせるなど、新しい CPU アーキテクチャの最適化された利用です。 シングルコア ベンチマークは、最速の CPU コアのパフォーマンスのみを評価します。ここでは、プロセッサ内の CPU コアの数は関係ありません。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
0 (0%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
8C 8T @ 1.80 GHz
166 (100%)

Geekbench 6 (Multi-Core)

Geekbench 6 は、最新のコンピューター、ノートブック、スマートフォンのベンチマークです。 新しいのは、たとえば big.LITTLE コンセプトに基づいてさまざまなサイズの CPU コアを組み合わせるなど、新しい CPU アーキテクチャの最適化された利用です。 マルチコア ベンチマークは、プロセッサのすべての CPU コアのパフォーマンスを評価します。 AMD SMT や Intel のハイパースレッディングなどの仮想スレッドの改善は、ベンチマークの結果にプラスの影響を与えます。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
0 (0%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
8C 8T @ 1.80 GHz
770 (100%)

AnTuTu 8 Benchmark

AnTuTu 8ベンチマークは、SoCのパフォーマンスを測定します。 AnTuTuは、ブラウザーとアプリの使用状況をシミュレートすることにより、CPU、GPU、メモリ、およびUX(ユーザーエクスペリエンス)のベンチマークを行います。 AnTuTuは、AndroidまたはiOSで実行される任意のARMCPUのベンチマークを実行できます。ベンチマークが異なるオペレーティングシステムで実行された場合、デバイスを直接比較できない場合があります。

AnTuTu 8ベンチマークでは、プロセッサのシングルコアパフォーマンスはわずかに重み付けされています。評価は、プロセッサのマルチコアパフォーマンス、RAMの速度、および内部グラフィックスのパフォーマンスで構成されます。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
0 (0%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
8C 8T @ 1.80 GHz
87906 (100%)

PassMark CPU Markの期待される結果

弊社ではここで掲載されている全てのプロセッサを試験してはいません。結果の一部には定式により独自に算出されたものもあり、PassMark 社により提供されている CPU マークの結果とは異なる場合もあり、PassMark Software Pty Ltd に依存するものではありません。PassMark CPUマークは、プロセッサの速度を測定するための素数を生成するものです。ここでは、全ての CPU コアおよびハイパースレッディングが使用されます。
HiSilicon Kirin 650 HiSilicon Kirin 650
8C 8T @ 2.00 GHz
0 (0%)
Qualcomm Snapdragon 450 Qualcomm Snapdragon 450
8C 8T @ 1.80 GHz
1281 (100%)

このプロセッサを搭載した装置

HiSilicon Kirin 650 Qualcomm Snapdragon 450
不明 不明

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