Qualcomm Snapdragon 425

Qualcomm Snapdragon 425
Benchmarks y especificaciones

Última actualización:
El Qualcomm Snapdragon 425 es un procesador que impulsó numerosos teléfonos inteligentes. Se basa en la eficiente arquitectura Cortex-A53. Fabricado utilizando el proceso de 28 nm, puso un énfasis particular en la eficiencia energética. Esto a menudo permitía que los dispositivos tuvieran una duración de batería notablemente larga.

La unidad gráfica integrada Qualcomm Adreno 308 fue diseñada específicamente para tareas cotidianas. Siempre admitía aplicaciones multimedia básicas y la reproducción de video simple sin problemas. Los juegos sencillos generalmente también se podían jugar sin problemas. Recordamos cuántos teléfonos inteligentes asequibles estaban equipados con él.

Ofrecieron a los usuarios una base sólida para el uso diario. El ancho de banda máximo de la memoria era de 11 GB/s. Esta velocidad era perfectamente adecuada para los requisitos de la época. El Qualcomm Snapdragon 425 representó una solución extremadamente confiable. Manejó la comunicación, la navegación y las redes sociales sin dificultad.

En su segmento, demostró ser extremadamente resistente. A menudo se veía en dispositivos que ofrecían un rendimiento equilibrado. Su enfoque estaba claramente en la fiabilidad y la eficiencia para el mercado masivo.
  • Eficiencia energética
  • Gráficos integrados para tareas cotidianas
  • Fiabilidad para el uso diario
  • Rendimiento equilibrado

Resumen del rendimiento
Rendimiento promedio en varios benchmarks

Rendimiento de un solo núcleo
Puesto 175 / 176
En el segmento Smartphone / Tablet
Rendimiento multinúcleo
Puesto 176 / 177
En el segmento Smartphone / Tablet
Geekbench 6 Single-Core

Geekbench 6 Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Samsung Exynos 7880
8C / 8T · 1,90 GHz
168
Qualcomm Snapdragon 450
8C / 8T · 1,80 GHz
166
MediaTek Helio P22
8C / 8T · 2,00 GHz
164
Qualcomm Snapdragon 425
4C / 4T · 1,40 GHz
144
MediaTek MT6750
8C / 8T · 1,50 GHz
140
Geekbench 6 Multi-Core

Geekbench 6 Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

MediaTek MT8168
4C / 4T · 2,00 GHz
520
MediaTek MT8766B
8C / 8T · 2,00 GHz
508
MediaTek Helio A20
4C / 4T · 1,80 GHz
476
Qualcomm Snapdragon 425
4C / 4T · 1,40 GHz
396
Apple A5
Apple A5 67 %
2C / 2T · 1,00 GHz
267
Geekbench 5, 64bit Single-Core

Geekbench 5, 64bit Single-Core
Rendimiento de un solo núcleo

Qualcomm Snapdragon 435
8C / 8T · 1,40 GHz
127
Qualcomm Snapdragon 616
8C / 8T · 1,70 GHz
127
Qualcomm Snapdragon 425
4C / 4T · 1,40 GHz
126
MediaTek MT6750T
8C / 8T · 1,50 GHz
124
MediaTek MT6750N
8C / 8T · 1,50 GHz
124
Geekbench 5, 64bit Multi-Core

Geekbench 5, 64bit Multi-Core
Rendimiento multinúcleo

MediaTek MT6738
4C / 4T · 1,50 GHz
408
Samsung Exynos 7580
8C / 8T · 1,60 GHz
399
Qualcomm Snapdragon 425
4C / 4T · 1,40 GHz
394
MediaTek MT6735
4C / 4T · 1,30 GHz
389
Qualcomm Snapdragon 615
8C / 8T · 1,50 GHz
387
iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

iGPU - Rendimiento FP32 (GFLOPS de precisión simple)

Samsung Exynos 850
ARM Mali-G52 MP1
26
Apple A5X
Apple A5X 107 %
PowerVR SGX543MP4 (4 Cores)
26
Qualcomm Snapdragon 425
Qualcomm Adreno 308
24
MediaTek MT6738
ARM Mali-T860 MP2
24
Samsung Exynos 7578
ARM Mali-T720 MP2
22

Más benchmarks

De un vistazo

ParámetroValor
FamiliaQualcomm Snapdragon (105)
Grupo de CPUQualcomm Snapdragon 425/427 (2)
Arquitectura Cortex-A53
Tecnologia28 nm
SegmentoSmartphone / Tablet
Enchufe
Generacion3
Predecesor
Sucesor

CPU Núcleos y frecuencia de base

ParámetroValor
CPU Nùcleos / Threads4 / 4
Hyperthreading / SMT
Arquitectura centralnormal
Nùcleos: 4x Cortex-A53
Frecuencia : 1,40 GHz
Turbo Frecuencia (1 Nùcleo):
Turbo Frecuencia (4 Nùcleos):
L2-Cache
L3-Cache
OverclockingNo

Grafica interna

ParámetroValor
nombre GPU Qualcomm Adreno 308
Frecuencia GPU0,50 - 0,50 GHz
CUs / Shader / 24
Raytracing
Max. visualizaciones0
Max. GPU Memoria
Tecnologia28 nm
Fecha de lanzamientoQ1/2016

Rendimiento de la IA de la NPU

ParámetroValor
Hardware de IAQualcomm AI engine
especificaciones de IAHexagon 536
NPU + CPU + iGPU

Memoria & PCIe

tipos de memoriaAncho de banda de memoria
LPDDR3-1333
10,7 GB/s
ParámetroValor
Max. Memoria4 GB
Canales de memoria2
ECC
PCIe
PCIe Banda ancha

Gestión térmica

ParámetroValor
TDP
TDP (PL2)
TDP up
TDP down
T. junction max.

Detalles tecnicos

ParámetroValor
Diseño de chipsChiplet
AES-NI
Sistemas operativosAndroid
Conjunto de instruccionesArmv8-A (64 bit)
Extensiones ISA
Fecha de lanzamientoQ3/2016
Precio de lanzamiento
DocumentosFicha técnica
Qualcomm Snapdragon 425
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