Samsung Exynos 4415 | HiSilicon Kirin 658 | |
CPU比較Samsung Exynos 4415 還是 HiSilicon Kirin 658 ? 在這個比較中,我們檢查這兩個 CPU 中哪個更好。 我們比較技術數據和基準測試結果。
Samsung Exynos 4415 具有 4 內核,具有 4 線程和最大頻率為 1.50 GHz 的時鐘。 0 內存通道支持高達 GB 的內存。 Samsung Exynos 4415 已在 2014 中發布。 HiSilicon Kirin 658 具有 8 內核,具有 8 線程和最大頻率為 2.35 GHz 的時鐘。 CPU 在 2 個內存通道中支持高達 GB 的內存。 HiSilicon Kirin 658 在 Q2/2016 中發布。 |
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Samsung Exynos (46) | 家庭 | HiSilicon Kirin (29) |
Samsung Exynos 4415 (1) | CPU組 | HiSilicon Kirin 650 (4) |
2 | 一代 | 4 |
Cortex-A9 | 架構 | Cortex-A53 / Cortex-A53 |
Mobile | 部分 | Mobile |
-- | 前任 | -- |
-- | 接班人 | -- |
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CPU核心數與基礎頻率Samsung Exynos 4415 或者 HiSilicon Kirin 658 有 %%kerne%% 個 CPU 內核,可以並行計算 %%threads%% 個線程。 Samsung Exynos 4415 或者 HiSilicon Kirin 658 的時鐘頻率是 %%core_freq_1%%。 CPU核心數極大地影響處理器的速度,是一項重要的性能指標。 |
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Samsung Exynos 4415 | 特徵 | HiSilicon Kirin 658 |
4 | 核心 | 8 |
4 | Threads | 8 |
normal | 核心架構 | hybrid (big.LITTLE) |
否 | 超執行緒技術 | 否 |
否 | 超頻 ? | 否 |
1.50 GHz 4x Cortex-A9 |
A-核心 | 2.35 GHz 4x Cortex-A53 |
-- | B-核心 | 1.70 GHz 4x Cortex-A53 |
内建顯示晶片Samsung Exynos 4415 或者 HiSilicon Kirin 658集成顯卡,簡稱iGPU。 iGPU 使用系統的主內存作為圖形內存,並位於處理器的芯片上。 |
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ARM Mali-400 MP4 | GPU | ARM Mali-T830 MP2 |
0.53 GHz | GPU頻率 | 0.90 GHz |
-- | GPU (加速頻率) | -- |
Utgard | GPU Generation | Midgard 4 |
28nm | 製程 | 28nm |
1 | 最大加速頻率 | 2 |
4 | 運算單元 | 2 |
64 | Shader | 32 |
否 | Hardware Raytracing | 否 |
否 | Frame Generation | 否 |
-- | 最大顯存 | -- |
0 | DirectX Version | 11 |
硬體解碼支援在硬件中加速的照片或視頻編解碼器可以大大加快處理器的工作速度,並在播放視頻時延長筆記本電腦或智能手機的電池壽命。 |
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ARM Mali-400 MP4 | GPU | ARM Mali-T830 MP2 |
否 | Codec h265 / HEVC (8 bit) | 解碼 / 編碼 |
否 | Codec h265 / HEVC (10 bit) | 解碼 |
否 | Codec h264 | 解碼 / 編碼 |
否 | Codec VP9 | 否 |
否 | Codec VP8 | 解碼 / 編碼 |
否 | Codec AV1 | 否 |
否 | Codec AVC | 否 |
否 | Codec VC-1 | 否 |
否 | Codec JPEG | 解碼 / 編碼 |
記憶體 & PCIe內存類型和內存量會極大地影響處理器的速度。 內存帶寬取決於幾個因素,以每秒千兆字節為單位。 |
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Samsung Exynos 4415 | 特徵 | HiSilicon Kirin 658 |
LPDDR2-400 | 記憶體 | LPDDR3-933 |
最大記憶體 | ||
0 | 記憶體通道 | 2 (Dual Channel) |
-- | Max. 帶寬 | -- |
否 | ECC | 否 |
1.00 MB | L2 緩存 | -- |
-- | L3 緩存 | -- |
-- | PCIe版本 | -- |
-- | PCIe通道 | -- |
-- | PCIe 帶寬 | -- |
散熱管理熱設計功率(簡稱 TDP)指定了充分冷卻處理器所需的冷卻解決方案。 TDP 通常只給出一個 CPU 實際消耗的粗略概念。 |
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Samsung Exynos 4415 | 特徵 | HiSilicon Kirin 658 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
技術細節在這裡,您將找到有關 Samsung Exynos 4415 或者 HiSilicon Kirin 658 的 2 級和 3 級緩存大小的信息以及處理器的 ISA 擴展列表。 我們已經為您記錄了架構和製造技術以及發布日期。 |
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Samsung Exynos 4415 | 特徵 | HiSilicon Kirin 658 |
28 nm | 製程 | 16 nm |
未知 | 芯片設計 | 小芯片 |
Armv7-A (32 bit) | 指令集 (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | ISA擴展 | -- |
-- | 針腳 | -- |
無 | 虛擬化 | 無 |
否 | AES-NI | 否 |
Android | 操作系統 | Android |
2014 | 發售日期 | Q2/2016 |
-- | 發布價格 | -- |
展示更多 | 展示更多 | |
Samsung Exynos 4415
ARM Mali-400 MP4 @ 0.53 GHz |
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HiSilicon Kirin 658
ARM Mali-T830 MP2 @ 0.90 GHz |
Samsung Exynos 4415
4C 4T @ 1.50 GHz |
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HiSilicon Kirin 658
8C 8T @ 2.35 GHz |
Samsung Exynos 4415
4C 4T @ 1.50 GHz |
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HiSilicon Kirin 658
8C 8T @ 2.35 GHz |
使用該處理器的設備 |
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Samsung Exynos 4415 | HiSilicon Kirin 658 |
未知 | 未知 |