Qualcomm Snapdragon 210 | HiSilicon Kirin 925 | |
CPU比較Qualcomm Snapdragon 210 還是 HiSilicon Kirin 925 ? 在這個比較中,我們檢查這兩個 CPU 中哪個更好。 我們比較技術數據和基準測試結果。
Qualcomm Snapdragon 210 具有 4 內核,具有 4 線程和最大頻率為 1.10 GHz 的時鐘。 2 內存通道支持高達 4 GB 的內存。 Qualcomm Snapdragon 210 已在 2014 中發布。 HiSilicon Kirin 925 具有 8 內核,具有 8 線程和最大頻率為 1.80 GHz 的時鐘。 CPU 在 2 個內存通道中支持高達 GB 的內存。 HiSilicon Kirin 925 在 Q3/2014 中發布。 |
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Qualcomm Snapdragon (103) | 家庭 | HiSilicon Kirin (29) |
Qualcomm Snapdragon 205-212 (4) | CPU組 | HiSilicon Kirin 920 (3) |
2 | 一代 | 2 |
Cortex-A7 | 架構 | Cortex-A15 / Cortex-A7 |
Mobile | 部分 | Mobile |
-- | 前任 | -- |
-- | 接班人 | -- |
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CPU核心數與基礎頻率Qualcomm Snapdragon 210 是一個 4 核心處理器,時鐘頻率為 1.10 GHz。 HiSilicon Kirin 925 具有 8 個 CPU 核心,時鐘頻率為 1.80 GHz。 |
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Qualcomm Snapdragon 210 | 特徵 | HiSilicon Kirin 925 |
4 | 核心 | 8 |
4 | Threads | 8 |
normal | 核心架構 | hybrid (big.LITTLE) |
否 | 超執行緒技術 | 否 |
否 | 超頻 ? | 否 |
1.10 GHz 4x Cortex-A7 |
A-核心 | 1.80 GHz 4x Cortex-A15 |
-- | B-核心 | 1.30 GHz 4x Cortex-A7 |
人工智能和機器學習在人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 支持下的處理器可以處理許多計算,尤其是音頻、圖像和視頻處理,比傳統處理器快得多。 通過軟件收集的數據越多,機器學習算法的性能就會提高。 ML 任務的處理速度比傳統處理器快 10,000 倍。 |
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Qualcomm Snapdragon 210 | 特徵 | HiSilicon Kirin 925 |
Qualcomm AI engine | AI-硬件 | -- |
QDSP6 DSP | 人工智能規範 | -- |
-- | NPU + CPU + iGPU | -- |
内建顯示晶片處理器的集成圖形單元不僅負責系統上的純圖像輸出,而且在現代視頻編解碼器的支持下還可以顯著提高系統的效率。 |
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Qualcomm Adreno 304 | GPU | ARM Mali-T628 MP4 |
0.40 GHz | GPU頻率 | 0.60 GHz |
0.40 GHz | GPU (加速頻率) | 0.60 GHz |
3 | GPU Generation | Midgard 2 |
28 nm | 製程 | 32nm |
0 | 最大加速頻率 | 1 |
-- | 運算單元 | 4 |
24 | Shader | 64 |
否 | Hardware Raytracing | 否 |
否 | Frame Generation | 否 |
-- | 最大顯存 | -- |
11 | DirectX Version | 11 |
硬體解碼支援在硬件中加速的照片或視頻編解碼器可以大大加快處理器的工作速度,並在播放視頻時延長筆記本電腦或智能手機的電池壽命。 |
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Qualcomm Adreno 304 | GPU | ARM Mali-T628 MP4 |
解碼 | Codec h265 / HEVC (8 bit) | 否 |
否 | Codec h265 / HEVC (10 bit) | 否 |
解碼 / 編碼 | Codec h264 | 解碼 / 編碼 |
否 | Codec VP9 | 否 |
否 | Codec VP8 | 解碼 / 編碼 |
否 | Codec AV1 | 否 |
否 | Codec AVC | 否 |
解碼 | Codec VC-1 | 否 |
解碼 / 編碼 | Codec JPEG | 否 |
記憶體 & PCIeQualcomm Snapdragon 210 在 2 內存通道中最多支持 4 GB 內存。 HiSilicon Kirin 925 最多可以在 2 個內存通道中連接 GB 內存。 |
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Qualcomm Snapdragon 210 | 特徵 | HiSilicon Kirin 925 |
LPDDR3-1066, LPDDR2-1066 | 記憶體 | LPDDR3-1600 |
4 GB | 最大記憶體 | |
2 (Dual Channel) | 記憶體通道 | 2 (Dual Channel) |
8.5 GB/s | Max. 帶寬 | -- |
否 | ECC | 否 |
-- | L2 緩存 | -- |
-- | L3 緩存 | -- |
-- | PCIe版本 | -- |
-- | PCIe通道 | -- |
-- | PCIe 帶寬 | -- |
散熱管理處理器的 TDP(熱設計功率)指定了所需的冷卻解決方案。 Qualcomm Snapdragon 210 的 TDP 為 --,HiSilicon Kirin 925 的 TDP 為 --。 |
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Qualcomm Snapdragon 210 | 特徵 | HiSilicon Kirin 925 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
技術細節Qualcomm Snapdragon 210 具有 0.00 MB 緩存,而 HiSilicon Kirin 925 緩存總共具有 0.00 MB。 |
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Qualcomm Snapdragon 210 | 特徵 | HiSilicon Kirin 925 |
28 nm | 製程 | 28 nm |
小芯片 | 芯片設計 | 小芯片 |
Armv7-A (32 bit) | 指令集 (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | ISA擴展 | -- |
-- | 針腳 | -- |
無 | 虛擬化 | 無 |
否 | AES-NI | 否 |
Android | 操作系統 | Android |
2014 | 發售日期 | Q3/2014 |
-- | 發布價格 | -- |
展示更多 | 展示更多 | |
Qualcomm Snapdragon 210
Qualcomm Adreno 304 @ 0.40 GHz |
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HiSilicon Kirin 925
ARM Mali-T628 MP4 @ 0.60 GHz |
Qualcomm Snapdragon 210
4C 4T @ 1.10 GHz |
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HiSilicon Kirin 925
8C 8T @ 1.80 GHz |
Qualcomm Snapdragon 210
4C 4T @ 1.10 GHz |
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HiSilicon Kirin 925
8C 8T @ 1.80 GHz |
Qualcomm Snapdragon 210
4C 4T @ 1.10 GHz |
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HiSilicon Kirin 925
8C 8T @ 1.80 GHz |
使用該處理器的設備 |
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Qualcomm Snapdragon 210 | HiSilicon Kirin 925 |
未知 | 未知 |