HiSilicon Kirin 910T | Qualcomm Snapdragon 205 | |
CPU比較HiSilicon Kirin 910T 還是 Qualcomm Snapdragon 205 ? 在這個比較中,我們檢查這兩個 CPU 中哪個更好。 我們比較技術數據和基準測試結果。
HiSilicon Kirin 910T 具有 4 內核,具有 4 線程和最大頻率為 1.80 GHz 的時鐘。 1 內存通道支持高達 GB 的內存。 HiSilicon Kirin 910T 已在 Q1/2014 中發布。 Qualcomm Snapdragon 205 具有 2 內核,具有 2 線程和最大頻率為 1.10 GHz 的時鐘。 CPU 在 1 個內存通道中支持高達 4 GB 的內存。 Qualcomm Snapdragon 205 在 2017 中發布。 |
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HiSilicon Kirin (29) | 家庭 | Qualcomm Snapdragon (102) |
HiSilicon Kirin 910 (2) | CPU組 | Qualcomm Snapdragon 205-212 (4) |
1 | 一代 | 2 |
Cortex-A9 | 架構 | Cortex-A7 |
Mobile | 部分 | Mobile |
-- | 前任 | -- |
-- | 接班人 | -- |
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CPU核心數與基礎頻率HiSilicon Kirin 910T 是一個 4 核心處理器,時鐘頻率為 1.80 GHz。 Qualcomm Snapdragon 205 具有 2 個 CPU 核心,時鐘頻率為 1.10 GHz。 |
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HiSilicon Kirin 910T | 特徵 | Qualcomm Snapdragon 205 |
4 | 核心 | 2 |
4 | Threads | 2 |
normal | 核心架構 | normal |
否 | 超執行緒技術 | 否 |
否 | 超頻 ? | 否 |
1.80 GHz | 頻率 | 1.10 GHz |
-- | 加速頻率 頻率 (1 核心) | -- |
-- | 加速頻率 頻率 (全部 核心) | -- |
内建顯示晶片處理器的集成圖形單元不僅負責系統上的純圖像輸出,而且在現代視頻編解碼器的支持下還可以顯著提高系統的效率。 |
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ARM Mali-450 MP4 | GPU | Qualcomm Adreno 304 |
0.70 GHz | GPU頻率 | 0.40 GHz |
0.70 GHz | GPU (加速頻率) | 0.40 GHz |
Utgard | GPU Generation | 3 |
28nm | 製程 | 28 nm |
1 | 最大加速頻率 | 0 |
4 | 運算單元 | -- |
64 | Shader | 24 |
否 | Hardware Raytracing | 否 |
否 | Frame Generation | 否 |
-- | 最大顯存 | -- |
0 | DirectX Version | 11 |
硬體解碼支援在硬件中加速的照片或視頻編解碼器可以大大加快處理器的工作速度,並在播放視頻時延長筆記本電腦或智能手機的電池壽命。 |
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ARM Mali-450 MP4 | GPU | Qualcomm Adreno 304 |
否 | Codec h265 / HEVC (8 bit) | 解碼 |
否 | Codec h265 / HEVC (10 bit) | 否 |
否 | Codec h264 | 解碼 / 編碼 |
否 | Codec VP9 | 否 |
否 | Codec VP8 | 否 |
否 | Codec AV1 | 否 |
否 | Codec AVC | 否 |
否 | Codec VC-1 | 解碼 |
否 | Codec JPEG | 解碼 / 編碼 |
記憶體 & PCIeHiSilicon Kirin 910T 在 1 內存通道中最多支持 GB 內存。 Qualcomm Snapdragon 205 最多可以在 1 個內存通道中連接 4 GB 內存。 |
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HiSilicon Kirin 910T | 特徵 | Qualcomm Snapdragon 205 |
LPDDR3 | 記憶體 | LPDDR3-800, LPDDR2-800 |
最大記憶體 | 4 GB | |
1 (Single Channel) | 記憶體通道 | 1 (Single Channel) |
-- | Max. 帶寬 | 3.2 GB/s |
否 | ECC | 否 |
-- | L2 緩存 | -- |
-- | L3 緩存 | -- |
-- | PCIe版本 | -- |
-- | PCIe通道 | -- |
-- | PCIe 帶寬 | -- |
散熱管理處理器的 TDP(熱設計功率)指定了所需的冷卻解決方案。 HiSilicon Kirin 910T 的 TDP 為 --,Qualcomm Snapdragon 205 的 TDP 為 --。 |
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HiSilicon Kirin 910T | 特徵 | Qualcomm Snapdragon 205 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
技術細節HiSilicon Kirin 910T 具有 0.00 MB 緩存,而 Qualcomm Snapdragon 205 緩存總共具有 0.00 MB。 |
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HiSilicon Kirin 910T | 特徵 | Qualcomm Snapdragon 205 |
28 nm | 製程 | 28 nm |
小芯片 | 芯片設計 | 小芯片 |
Armv7-A (32 bit) | 指令集 (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | ISA擴展 | -- |
-- | 針腳 | -- |
無 | 虛擬化 | 無 |
否 | AES-NI | 否 |
Android | 操作系統 | Android |
Q1/2014 | 發售日期 | 2017 |
-- | 發布價格 | -- |
展示更多 | 展示更多 | |
HiSilicon Kirin 910T
ARM Mali-450 MP4 @ 0.70 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 205
Qualcomm Adreno 304 @ 0.40 GHz |
使用該處理器的設備 |
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HiSilicon Kirin 910T | Qualcomm Snapdragon 205 |
未知 | 未知 |