HiSilicon Kirin 620 vs Qualcomm Snapdragon 808

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借助基準測試比較CPU


HiSilicon Kirin 620 CPU1 vs CPU2 Qualcomm Snapdragon 808
HiSilicon Kirin 620 Qualcomm Snapdragon 808

CPU比較

HiSilicon Kirin 620 還是 Qualcomm Snapdragon 808 ? 在這個比較中,我們檢查這兩個 CPU 中哪個更好。 我們比較技術數據和基準測試結果。

HiSilicon Kirin 620 具有 4 內核,具有 4 線程和最大頻率為 1.20 GHz 的時鐘。 1 內存通道支持高達 GB 的內存。 HiSilicon Kirin 620 已在 Q1/2015 中發布。

Qualcomm Snapdragon 808 具有 6 內核,具有 6 線程和最大頻率為 1.82 GHz 的時鐘。 CPU 在 2 個內存通道中支持高達 8 GB 的內存。 Qualcomm Snapdragon 808 在 Q3/2014 中發布。
HiSilicon Kirin (29) 家庭 Qualcomm Snapdragon (102)
HiSilicon Kirin 620 (1) CPU組 Qualcomm Snapdragon 808/810 (3)
3 一代 2
Cortex-A53 架構 Cortex-A57 / Cortex-A53
Mobile 部分 Mobile
-- 前任 --
-- 接班人 --

CPU核心數與基礎頻率

HiSilicon Kirin 620 或者 Qualcomm Snapdragon 808 有 %%kerne%% 個 CPU 內核,可以並行計算 %%threads%% 個線程。 HiSilicon Kirin 620 或者 Qualcomm Snapdragon 808 的時鐘頻率是 %%core_freq_1%%。 CPU核心數極大地影響處理器的速度,是一項重要的性能指標。

HiSilicon Kirin 620 特徵 Qualcomm Snapdragon 808
4 核心 6
4 Threads 6
normal 核心架構 hybrid (big.LITTLE)
超執行緒技術
超頻 ?
1.20 GHz
4x Cortex-A53
A-核心 1.82 GHz
2x Cortex-A57
-- B-核心 1.44 GHz
4x Cortex-A53

人工智能和機器學習

在人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 支持下的處理器可以處理許多計算,尤其是音頻、圖像和視頻處理,比傳統處理器快得多。 通過軟件收集的數據越多,機器學習算法的性能就會提高。 ML 任務的處理速度比傳統處理器快 10,000 倍。

HiSilicon Kirin 620 特徵 Qualcomm Snapdragon 808
-- AI-硬件 Qualcomm AI engine
-- 人工智能規範 Hexagon QDSP V56

内建顯示晶片

HiSilicon Kirin 620 或者 Qualcomm Snapdragon 808集成顯卡,簡稱iGPU。 iGPU 使用系統的主內存作為圖形內存,並位於處理器的芯片上。

ARM Mali-450 MP4 GPU Qualcomm Adreno 418
0.53 GHz GPU頻率 0.60 GHz
0.53 GHz GPU (加速頻率) 0.60 GHz
Utgard GPU Generation 4
28nm 製程 20 nm
1 最大加速頻率 0
4 運算單元 --
64 Shader 128
Hardware Raytracing
Frame Generation
-- 最大顯存 --
0 DirectX Version 11

硬體解碼支援

在硬件中加速的照片或視頻編解碼器可以大大加快處理器的工作速度,並在播放視頻時延長筆記本電腦或智能手機的電池壽命。

ARM Mali-450 MP4 GPU Qualcomm Adreno 418
Codec h265 / HEVC (8 bit) 解碼
Codec h265 / HEVC (10 bit)
Codec h264 解碼 / 編碼
Codec VP9
Codec VP8
Codec AV1
Codec AVC
Codec VC-1 解碼
Codec JPEG 解碼 / 編碼

記憶體 & PCIe

內存類型和內存量會極大地影響處理器的速度。 內存帶寬取決於幾個因素,以每秒千兆字節為單位。

HiSilicon Kirin 620 特徵 Qualcomm Snapdragon 808
LPDDR3 記憶體 LPDDR3-1866
最大記憶體 8 GB
1 (Single Channel) 記憶體通道 2 (Dual Channel)
-- Max. 帶寬 14.9 GB/s
ECC
-- L2 緩存 --
-- L3 緩存 --
-- PCIe版本 --
-- PCIe通道 --
-- PCIe 帶寬 --

散熱管理

熱設計功率(簡稱 TDP)指定了充分冷卻處理器所需的冷卻解決方案。 TDP 通常只給出一個 CPU 實際消耗的粗略概念。

HiSilicon Kirin 620 特徵 Qualcomm Snapdragon 808
-- TDP (PL1 / PBP) --
-- TDP (PL2) --
-- TDP up --
-- TDP down --
-- Tjunction max. --

技術細節

在這裡,您將找到有關 HiSilicon Kirin 620 或者 Qualcomm Snapdragon 808 的 2 級和 3 級緩存大小的信息以及處理器的 ISA 擴展列表。 我們已經為您記錄了架構和製造技術以及發布日期。

HiSilicon Kirin 620 特徵 Qualcomm Snapdragon 808
28 nm 製程 20 nm
小芯片 芯片設計 小芯片
Armv8-A (64 bit) 指令集 (ISA) Armv8-A (64 bit)
-- ISA擴展 --
-- 針腳 --
虛擬化
AES-NI
Android 操作系統 Android
Q1/2015 發售日期 Q3/2014
-- 發布價格 --
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評價這些處理器

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基準測試中的平均效能

⌀ 單核心性能 1 CPU 基準測試
HiSilicon Kirin 620 (43%)
Qualcomm Snapdragon 808 (100%)
⌀ 多核心性能 1 CPU 基準測試
HiSilicon Kirin 620 (75%)
Qualcomm Snapdragon 808 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Single-Core)

Geekbench 5是一個大量使用系統記憶體的跨平臺基準測試。高速的系統記憶體將極大地提升測試成績。單核測試僅使用一個CPU核心,CPU核心的數量以及超執行緒技術將不會影響該項測試成績。
HiSilicon Kirin 620 HiSilicon Kirin 620
4C 4T @ 1.20 GHz
102 (43%)
Qualcomm Snapdragon 808 Qualcomm Snapdragon 808
6C 6T @ 1.82 GHz
237 (100%)

Geekbench 5, 64bit (Multi-Core)

Geekbench 5是一個大量使用系統記憶體的跨平臺基準測試。高速的系統記憶體將極大地提升測試成績。多核測試涉及所有CPU核心,並且能充分利用超執行緒技術。
HiSilicon Kirin 620 HiSilicon Kirin 620
4C 4T @ 1.20 GHz
505 (75%)
Qualcomm Snapdragon 808 Qualcomm Snapdragon 808
6C 6T @ 1.82 GHz
675 (100%)

內建顯卡FP32性能(單精確度GFLOPS)

處理器內建顯卡的理論計算性能(32bit,以GFLOPS為單位)。GFLOPS表示內建顯卡每秒可以執行多少億個浮點操作。
HiSilicon Kirin 620 HiSilicon Kirin 620
ARM Mali-450 MP4 @ 0.53 GHz
32 (21%)
Qualcomm Snapdragon 808 Qualcomm Snapdragon 808
Qualcomm Adreno 418 @ 0.60 GHz
154 (100%)

PassMark CPU Mark的估計結果

以下列出的CPU中,有一部分基準測試是由CPU-panda團隊完成的。但是,大部分的CPU並沒有被實際測試,其成績由CPU-monkey團隊的“秘密配方”估計得到。因此,這些分數不能準確反映實際的Passmark CPU基準測試,並且不受到PassMark Software私人有限公司的認可。
HiSilicon Kirin 620 HiSilicon Kirin 620
4C 4T @ 1.20 GHz
0 (0%)
Qualcomm Snapdragon 808 Qualcomm Snapdragon 808
6C 6T @ 1.82 GHz
1234 (100%)

使用該處理器的設備

HiSilicon Kirin 620 Qualcomm Snapdragon 808
未知 未知

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