HiSilicon Kirin 655 | Qualcomm Snapdragon 845 | |
CPU比较在此 CPU 比较中,我们比较 HiSilicon Kirin 655 和 Qualcomm Snapdragon 845 并使用基准测试来检查哪个处理器更快。
我们将 Q2/2016 中发布的 HiSilicon Kirin 655 8 核心处理器与具有 8 的 Qualcomm Snapdragon 845 进行比较 CPU 内核并在 Q1/2018 中引入。 |
||
HiSilicon Kirin (29) | 家族 | Qualcomm Snapdragon (102) |
HiSilicon Kirin 650 (4) | CPU系列 | Qualcomm Snapdragon 845/850 (2) |
4 | 代次 | 5 |
Cortex-A53 / Cortex-A53 | 架构 | Kryo 385 |
Mobile | 垂直市场 | Mobile |
-- | 先代产品 | Qualcomm Snapdragon 835 |
-- | 后代产品 | Qualcomm Snapdragon 855 |
|
||
CPU核心数与基础频率HiSilicon Kirin 655 是一个 8 核心处理器,时钟频率为 2.12 GHz。 处理器可以同时计算 8 个线程。 Qualcomm Snapdragon 845 时钟具有 2.80 GHz,具有 8 个 CPU 核心,并且可以并行计算 8 个线程。 |
||
HiSilicon Kirin 655 | 特征 | Qualcomm Snapdragon 845 |
8 | 核心 | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (big.LITTLE) | 核心架构 | hybrid (big.LITTLE) |
否 | 超线程技术 | 否 |
否 | 超频 ? | 否 |
2.12 GHz 4x Cortex-A53 |
A-核心 | 2.80 GHz 4x Kryo 385 Gold |
1.70 GHz 4x Cortex-A53 |
B-核心 | 1.80 GHz 4x Kryo 385 Silver |
核芯显卡处理器中集成的显卡(iGPU)不仅可以实现图像输出而无需依赖专用图形解决方案,还可以有效加速视频播放。 |
||
ARM Mali-T830 MP2 | GPU | Qualcomm Adreno 630 |
0.90 GHz | GPU频率 | 0.70 GHz |
-- | GPU (加速频率) | -- |
Midgard 4 | GPU Generation | 4 |
28nm | 工艺 | 10 nm |
2 | 最大显示器数量 | 2 |
2 | 运算单元 | -- |
32 | Shader | 256 |
否 | Hardware Raytracing | 否 |
否 | Frame Generation | 否 |
-- | 最大显存 | 8 GB |
11 | DirectX Version | 11 |
硬件解码支持在硬件中加速的照片或视频编解码器可以大大加快处理器的工作速度,并在播放视频时延长笔记本电脑或智能手机的电池寿命。 |
||
ARM Mali-T830 MP2 | GPU | Qualcomm Adreno 630 |
解码 / 编码 | Codec h265 / HEVC (8 bit) | 解码 |
解码 | Codec h265 / HEVC (10 bit) | 解码 |
解码 / 编码 | Codec h264 | 解码 / 编码 |
否 | Codec VP9 | 解码 |
解码 / 编码 | Codec VP8 | 解码 |
否 | Codec AV1 | 否 |
否 | Codec AVC | 解码 |
否 | Codec VC-1 | 解码 |
解码 / 编码 | Codec JPEG | 解码 / 编码 |
内存 & PCIeHiSilicon Kirin 655 支持最多 GB 内存(最多 2 个内存通道),而 Qualcomm Snapdragon 845 支持最多 10 GB 内存启用最大内存带宽 52.0 GB/s。 |
||
HiSilicon Kirin 655 | 特征 | Qualcomm Snapdragon 845 |
LPDDR3-933 | 内存 | LPDDR4X-3733 |
最大内存 | 10 GB | |
2 (Dual Channel) | 内存通道 | 4 (Quad Channel) |
-- | Max. 带宽 | 52.0 GB/s |
否 | ECC | 否 |
-- | L2 缓存 | 1.50 MB |
-- | L3 缓存 | 2.00 MB |
-- | PCIe版本 | -- |
-- | PCIe通道 | -- |
-- | PCIe 带宽 | -- |
散热管理HiSilicon Kirin 655 的 TDP 为 --。 Qualcomm Snapdragon 845 的 TDP 是 --。 系统集成商在确定冷却解决方案尺寸时使用处理器的 TDP 作为指导。 |
||
HiSilicon Kirin 655 | 特征 | Qualcomm Snapdragon 845 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
技术细节HiSilicon Kirin 655 具有 0.00 MB 缓存,并以 16 nm 制造。 Qualcomm Snapdragon 845 的缓存位于 3.50 MB。 该处理器采用 10 nm 制造。 |
||
HiSilicon Kirin 655 | 特征 | Qualcomm Snapdragon 845 |
16 nm | 工艺 | 10 nm |
小芯片 | 芯片设计 | 小芯片 |
Armv8-A (64 bit) | 指令集 (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | 指令集扩展 | -- |
-- | 插槽 | -- |
无 | 虚拟化 | 无 |
否 | AES-NI | 否 |
Android | 操作系统 | Android |
Q2/2016 | 发售日期 | Q1/2018 |
-- | 发布价格 | -- |
展示更多 | 展示更多 | |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 655
ARM Mali-T830 MP2 @ 0.90 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
Qualcomm Adreno 630 @ 0.70 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 655
8C 8T @ 2.12 GHz |
|||
Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
使用该处理器的设备 |
|
HiSilicon Kirin 655 | Qualcomm Snapdragon 845 |
未知 | OnePlus 6 OnePlus 6T Vivo NEX S Asus Zenfone 5z Razer Phone 2 Asus ROG Phone Sony Xperia XZ2 |