HiSilicon Kirin 810 | Qualcomm Snapdragon 845 | |
Comparaison CPUHiSilicon Kirin 810 ou Qualcomm Snapdragon 845 - quel processeur est le plus rapide ? Dans cette comparaison, nous examinons les différences et analysons lequel de ces deux processeurs est le meilleur. Nous comparons les données techniques et les résultats de référence.
Le HiSilicon Kirin 810 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 2.20 GHz. Jusqu'à 6 Go de mémoire est pris en charge dans 4 canaux de mémoire. Le HiSilicon Kirin 810 a été publié en Q2/2019. Le Qualcomm Snapdragon 845 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 2.80 GHz. Le processeur prend en charge jusqu'à 10 Go de mémoire dans 4 canaux de mémoire. Le Qualcomm Snapdragon 845 a été publié en Q1/2018. |
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HiSilicon Kirin (29) | Famille | Qualcomm Snapdragon (102) |
HiSilicon Kirin 810/820 (3) | Groupe de processeurs | Qualcomm Snapdragon 845/850 (2) |
6 | Génération | 5 |
Cortex-A76 / Cortex-A55 | Architecture | Kryo 385 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Prédécesseur | Qualcomm Snapdragon 835 |
-- | Successeur | Qualcomm Snapdragon 855 |
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Cœurs de processeur et fréquence de baseLe HiSilicon Kirin 810 a 8 cœurs de processeur et peut calculer 8 threads en parallèle. La fréquence d'horloge du HiSilicon Kirin 810 est 2.20 GHz tandis que le Qualcomm Snapdragon 845 a 8 cœurs de processeur et 8 threads peuvent calculer simultanément. La fréquence d'horloge de Qualcomm Snapdragon 845 est à 2.80 GHz. |
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HiSilicon Kirin 810 | Caractéristique | Qualcomm Snapdragon 845 |
8 | Cores | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (big.LITTLE) | Architecture de base | hybrid (big.LITTLE) |
Non | Hyperthreading | Non |
Non | Overclocking ? | Non |
2.20 GHz 2x Cortex-A76 |
A-Core | 2.80 GHz 4x Kryo 385 Gold |
1.90 GHz 6x Cortex-A55 |
B-Core | 1.80 GHz 4x Kryo 385 Silver |
Graphiques internesLe HiSilicon Kirin 810 ou Qualcomm Snapdragon 845 a des graphiques intégrés, appelés iGPU en abrégé. L'iGPU utilise la mémoire principale du système comme mémoire graphique et repose sur la matrice du processeur. |
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ARM Mali-G52 MP6 | GPU | Qualcomm Adreno 630 |
0.85 GHz | Fréquence GPU | 0.70 GHz |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Bifrost 2 | GPU Generation | 4 |
12 nm | La technologie | 10 nm |
2 | Max. affiche | 2 |
16 | Unités d'exécution | -- |
288 | Shader | 256 |
Non | Hardware Raytracing | Non |
Non | Frame Generation | Non |
4 Go | Max. GPU Mémoire | 8 Go |
12 | DirectX Version | 11 |
Prise en charge du codec matérielUn codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos. |
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ARM Mali-G52 MP6 | GPU | Qualcomm Adreno 630 |
Décoder / Encoder | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Décoder |
Décoder / Encoder | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Décoder |
Décoder / Encoder | Codec h264 | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec VP9 | Décoder |
Décoder / Encoder | Codec VP8 | Décoder |
Non | Codec AV1 | Non |
Décoder / Encoder | Codec AVC | Décoder |
Décoder / Encoder | Codec VC-1 | Décoder |
Décoder / Encoder | Codec JPEG | Décoder / Encoder |
Mémoire & PCIeLe HiSilicon Kirin 810 peut utiliser jusqu'à 6 Go de mémoire dans 4 canaux de mémoire. La bande passante mémoire maximale est de --. Le Qualcomm Snapdragon 845 prend en charge jusqu'à 10 Go de mémoire dans 4 canaux de mémoire et atteint une bande passante mémoire allant jusqu'à 52.0 Go/s. |
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HiSilicon Kirin 810 | Caractéristique | Qualcomm Snapdragon 845 |
LPDDR4X-2133 | Mémoire | LPDDR4X-3733 |
6 Go | Max. Mémoire | 10 Go |
4 (Quad Channel) | Canaux de mémoire | 4 (Quad Channel) |
-- | Max. Bande passante | 52.0 Go/s |
Non | ECC | Non |
-- | L2 Cache | 1.50 MB |
1.00 MB | L3 Cache | 2.00 MB |
-- | Version PCIe | -- |
-- | PCIe lanes | -- |
-- | PCIe Bande passante | -- |
Gestion thermaleLa puissance thermique nominale (TDP en abrégé) du HiSilicon Kirin 810 est de 5 W, tandis que le Qualcomm Snapdragon 845 a un TDP de --. Le TDP spécifie la solution de refroidissement nécessaire pour refroidir suffisamment le processeur. |
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HiSilicon Kirin 810 | Caractéristique | Qualcomm Snapdragon 845 |
5 W | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Détails techniquesLe HiSilicon Kirin 810 est fabriqué en 7 nm et a 1.00 cache de Mo. Le Qualcomm Snapdragon 845 est fabriqué en 10 nm et dispose d'un cache 3.50 Mo. |
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HiSilicon Kirin 810 | Caractéristique | Qualcomm Snapdragon 845 |
7 nm | La technologie | 10 nm |
Chiplet | Conception de puce | Chiplet |
Armv8-A (64 bit) | Jeu d'instructions (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | Extensions ISA | -- |
-- | Socket | -- |
Aucun | La virtualisation | Aucun |
Non | AES-NI | Non |
Android | Systèmes d'exploitation | Android |
Q2/2019 | Date de sortie | Q1/2018 |
-- | Prix de sortie | -- |
afficher plus de données | afficher plus de données | |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 810
ARM Mali-G52 MP6 @ 0.85 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
Qualcomm Adreno 630 @ 0.70 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
HiSilicon Kirin 810
8C 8T @ 2.20 GHz |
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Qualcomm Snapdragon 845
8C 8T @ 2.80 GHz |
Périphériques utilisant ce processeur |
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HiSilicon Kirin 810 | Qualcomm Snapdragon 845 |
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