HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 | |
CPU karşılaştırmasıHiSilicon Kirin 9000E veya Samsung Exynos 5420 - hangi işlemci daha hızlı? Bu karşılaştırmada, farklılıklara bakıyoruz ve bu iki CPU'dan hangisinin daha iyi olduğunu analiz ediyoruz. Teknik verileri ve kıyaslama sonuçlarını karşılaştırıyoruz.
HiSilicon Kirin 9000E, 8 iş parçacığına ve maksimum 3.13 GHz frekansa sahip saatlere sahip 8 çekirdeğe sahiptir. 4 bellek kanallarında GB'a kadar bellek desteklenir. %%name_pure_1%, Q4/2020 içinde yayınlandı. Samsung Exynos 5420, 8 iş parçacığına sahip 8 çekirdeğe ve maksimum 1.90 GHz frekansa sahip saatlere sahiptir. CPU, 0 bellek kanallarında GB'a kadar belleği destekler. Samsung Exynos 5420, Q3/2013 içinde yayınlandı. |
||
HiSilicon Kirin (29) | Aile | Samsung Exynos (46) |
HiSilicon Kirin 9000 (2) | CPU grubu | Samsung Exynos 5260/5410/5420/5422/5800 (5) |
9 | Nesil | 3 |
Cortex-A77 / Cortex-A55 | Mimarî | Cortex-A15 / Cortex-A7 |
Mobile | Segment | Mobile |
-- | Selef | -- |
-- | Varis | -- |
|
||
CPU Çekirdekleri ve Baz Frekans HızlarıHiSilicon Kirin 9000E, 8 CPU çekirdeğine sahiptir ve paralel olarak 8 iş parçacığını hesaplayabilir. HiSilicon Kirin 9000E saat frekansı 3.13 GHz iken, Samsung Exynos 5420 %%kerne_2% CPU çekirdeğine sahiptir ve 8 iş parçacıkları aynı anda hesaplayabilir. Samsung Exynos 5420 saat frekansı 1.90 GHz konumunda. |
||
HiSilicon Kirin 9000E | karakteristik | Samsung Exynos 5420 |
8 | Çekirdekler | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (Prime / big.LITTLE) | Çekirdek mimari | hybrid (big.LITTLE) |
Hayır | Hyperthreading | Hayır |
Hayır | Hız aşırtma ? | Hayır |
3.13 GHz 1x Cortex-A77 |
A-Çekirdek | 1.90 GHz 4x Cortex-A15 |
2.54 GHz 3x Cortex-A77 |
B-Çekirdek | 1.30 GHz 4x Cortex-A7 |
2.05 GHz 4x Cortex-A55 |
C-Çekirdek | -- |
Dahili GPUHiSilicon Kirin 9000E veya Samsung Exynos 5420, kısaca iGPU olarak adlandırılan entegre grafiklere sahiptir. iGPU, sistemin ana belleğini grafik belleği olarak kullanır ve işlemcinin kalıbına oturur. |
||
ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
0.76 GHz | GPU frekansı | 0.53 GHz |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Vallhall 2 | GPU Generation | Midgard 2 |
5 nm | Teknoloji | 32nm |
1 | Max. ekran | 1 |
22 | Yürütme birimleri | 6 |
352 | Shader | 96 |
Hayır | Hardware Raytracing | Hayır |
Hayır | Frame Generation | Hayır |
-- | Maks. GPU Bellek | -- |
12 | DirectX Version | 11 |
Donanım codec desteğiDonanımda hızlandırılmış bir fotoğraf veya video codec bileşeni, bir işlemcinin çalışma hızını büyük ölçüde hızlandırabilir ve video oynatılırken dizüstü bilgisayarların veya akıllı telefonların pil ömrünü uzatabilir. |
||
ARM Mali-G78 MP22 | GPU | ARM Mali-T628 MP6 |
Kod Çözme / Kodlama | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Hayır |
Kod Çözme / Kodlama | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Hayır |
Kod Çözme / Kodlama | Codec h264 | Kod Çözme / Kodlama |
Kod Çözme / Kodlama | Codec VP9 | Hayır |
Kod Çözme / Kodlama | Codec VP8 | Kod Çözme / Kodlama |
Kod Çözme | Codec AV1 | Hayır |
Kod Çözme / Kodlama | Codec AVC | Hayır |
Kod Çözme / Kodlama | Codec VC-1 | Hayır |
Kod Çözme / Kodlama | Codec JPEG | Hayır |
Hafıza & PCIeHiSilicon Kirin 9000E, 4 bellek kanallarında en fazla GB bellek kullanabilir. Maksimum bellek bant genişliği -- şeklindedir. Samsung Exynos 5420, 0 bellek kanallarında GB'a kadar belleği destekler ve --'ye kadar bir bellek bant genişliğine ulaşır. |
||
HiSilicon Kirin 9000E | karakteristik | Samsung Exynos 5420 |
LPDDR5-2750, LPDDR4X-2133 | Hafıza | LPDDR3e-933 |
Maks. Bellek | ||
4 (Quad Channel) | Hafıza kanalları | 0 |
-- | Max. Bant genişliği | -- |
Hayır | ECC | Hayır |
-- | L2 Önbellek | 2.50 MB |
-- | L3 Önbellek | -- |
-- | PCIe versiyonu | -- |
-- | PCIe girişleri | -- |
-- | PCIe Bant genişliği | -- |
Termal YönetimHiSilicon Kirin 9000E'nin termal tasarım gücü (kısaca TDP) -- iken, Samsung Exynos 5420'nin TDP'si --'dir. TDP, işlemciyi yeterince soğutmak için gereken gerekli soğutma çözümünü belirtir. |
||
HiSilicon Kirin 9000E | karakteristik | Samsung Exynos 5420 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Teknik detaylarHiSilicon Kirin 9000E, 5 nm'de üretilmiştir ve 0.00 MB önbelleğe sahiptir. Samsung Exynos 5420, 28 nm'de üretilmiştir ve 2.50 MB önbelleğe sahiptir. |
||
HiSilicon Kirin 9000E | karakteristik | Samsung Exynos 5420 |
5 nm | Teknoloji | 28 nm |
yonga | çip tasarımı | Bilinmeyen |
Armv8-A (64 bit) | Komut seti (ISA) | Armv7-A (32 bit) |
-- | ISA uzantıları | -- |
-- | Soket | -- |
Hiçbiri | Sanallaştırma | Hiçbiri |
Hayır | AES-NI | Hayır |
Android | Işletim sistemleri | Android |
Q4/2020 | Yayın tarihi | Q3/2013 |
-- | Sürüm fiyatı | -- |
daha fazla veri göster | daha fazla veri göster | |
HiSilicon Kirin 9000E
ARM Mali-G78 MP22 @ 0.76 GHz |
|||
Samsung Exynos 5420
ARM Mali-T628 MP6 @ 0.53 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3.13 GHz |
|||
Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3.13 GHz |
|||
Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000E
8C 8T @ 3.13 GHz |
|||
Samsung Exynos 5420
8C 8T @ 1.90 GHz |
Bu işlemciyi kullanan cihazlar |
|
HiSilicon Kirin 9000E | Samsung Exynos 5420 |
Bilinmeyen | Bilinmeyen |