HiSilicon Kirin 9000 | Samsung Exynos 2100 | |
Comparaison CPUHiSilicon Kirin 9000 ou Samsung Exynos 2100 - quel processeur est le plus rapide ? Dans cette comparaison, nous examinons les différences et analysons lequel de ces deux processeurs est le meilleur. Nous comparons les données techniques et les résultats de référence.
Le HiSilicon Kirin 9000 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 3.13 GHz. Jusqu'à Go de mémoire est pris en charge dans 4 canaux de mémoire. Le HiSilicon Kirin 9000 a été publié en Q4/2020. Le Samsung Exynos 2100 a 8 cœurs avec 8 threads et horloges avec une fréquence maximale de 2.90 GHz. Le processeur prend en charge jusqu'à 12 Go de mémoire dans 4 canaux de mémoire. Le Samsung Exynos 2100 a été publié en Q1/2021. |
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HiSilicon Kirin (29) | Famille | Samsung Exynos (49) |
HiSilicon Kirin 9000 (2) | Groupe de processeurs | Samsung Exynos 2100 (1) |
9 | Génération | 5 |
Cortex-A77 / Cortex-A55 | Architecture | Cortex-X1/-A78/-A55 |
Smartphone / Tablet | Segment | Smartphone / Tablet |
-- | Prédécesseur | -- |
-- | Successeur | Samsung Exynos 2200 |
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Cœurs de processeur et fréquence de baseLe HiSilicon Kirin 9000 a 8 cœurs de processeur et peut calculer 8 threads en parallèle. La fréquence d'horloge du HiSilicon Kirin 9000 est 3.13 GHz tandis que le Samsung Exynos 2100 a 8 cœurs de processeur et 8 threads peuvent calculer simultanément. La fréquence d'horloge de Samsung Exynos 2100 est à 2.90 GHz. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Caractéristique | Samsung Exynos 2100 |
8 | Cores | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (Prime / big.LITTLE) | Architecture de base | hybrid (Prime / big.LITTLE) |
Non | Hyperthreading | Non |
Non | Overclocking ? | Non |
3.13 GHz 1x Cortex-A77 |
A-Core | 2.90 GHz 1x Cortex-X1 |
2.54 GHz 3x Cortex-A77 |
B-Core | 2.80 GHz 3x Cortex-A78 |
2.05 GHz 4x Cortex-A55 |
C-Core | 2.20 GHz 4x Cortex-A55 |
Graphiques internesLe HiSilicon Kirin 9000 ou Samsung Exynos 2100 a des graphiques intégrés, appelés iGPU en abrégé. L'iGPU utilise la mémoire principale du système comme mémoire graphique et repose sur la matrice du processeur. |
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ARM Mali-G78 MP24 | GPU | ARM Mali-G78 MP14 |
0.76 GHz | Fréquence GPU | 0.76 GHz |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Vallhall 2 | GPU Generation | Vallhall 2 |
5 nm | La technologie | 5 nm |
1 | Max. affiche | 1 |
24 | Unités d'exécution | 14 |
384 | Shader | 224 |
Non | Hardware Raytracing | Non |
Non | Frame Generation | Non |
-- | Max. GPU Mémoire | -- |
12 | DirectX Version | 12 |
Prise en charge du codec matérielUn codec photo ou vidéo accéléré dans le matériel peut considérablement accélérer la vitesse de travail d'un processeur et prolonger la durée de vie de la batterie des ordinateurs portables ou des smartphones lors de la lecture de vidéos. |
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ARM Mali-G78 MP24 | GPU | ARM Mali-G78 MP14 |
Décoder / Encoder | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec h264 | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec VP9 | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec VP8 | Décoder / Encoder |
Décoder | Codec AV1 | Décoder |
Décoder / Encoder | Codec AVC | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec VC-1 | Décoder / Encoder |
Décoder / Encoder | Codec JPEG | Décoder / Encoder |
Mémoire & PCIeLe HiSilicon Kirin 9000 peut utiliser jusqu'à Go de mémoire dans 4 canaux de mémoire. La bande passante mémoire maximale est de --. Le Samsung Exynos 2100 prend en charge jusqu'à 12 Go de mémoire dans 4 canaux de mémoire et atteint une bande passante mémoire allant jusqu'à 51.2 Go/s. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Caractéristique | Samsung Exynos 2100 |
LPDDR5-2750, LPDDR4X-2133 | Mémoire | LPDDR5-6400 |
Max. Mémoire | 12 Go | |
4 (Quad Channel) | Canaux de mémoire | 4 (Quad Channel) |
-- | Max. Bande passante | 51.2 Go/s |
Non | ECC | Non |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
-- | Version PCIe | -- |
-- | PCIe lanes | -- |
-- | PCIe Bande passante | -- |
Gestion thermaleLa puissance thermique nominale (TDP en abrégé) du HiSilicon Kirin 9000 est de --, tandis que le Samsung Exynos 2100 a un TDP de --. Le TDP spécifie la solution de refroidissement nécessaire pour refroidir suffisamment le processeur. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Caractéristique | Samsung Exynos 2100 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Détails techniquesLe HiSilicon Kirin 9000 est fabriqué en 5 nm et a 0.00 cache de Mo. Le Samsung Exynos 2100 est fabriqué en 5 nm et dispose d'un cache 0.00 Mo. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Caractéristique | Samsung Exynos 2100 |
5 nm | La technologie | 5 nm |
Chiplet | Conception de puce | Inconnu |
Armv8-A (64 bit) | Jeu d'instructions (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | Extensions ISA | -- |
-- | Socket | -- |
Aucun | La virtualisation | Aucun |
Non | AES-NI | Non |
Android | Systèmes d'exploitation | Android |
Q4/2020 | Date de sortie | Q1/2021 |
-- | Prix de sortie | -- |
afficher plus de données | afficher plus de données | |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
ARM Mali-G78 MP24 @ 0.76 GHz |
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Samsung Exynos 2100
ARM Mali-G78 MP14 @ 0.76 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3.13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2.90 GHz |
Périphériques utilisant ce processeur |
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HiSilicon Kirin 9000 | Samsung Exynos 2100 |
Inconnu | Samsung Galaxy S21 Samsung Galaxy S21 Plus Samsung Galaxy S21 Ultra |