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HiSilicon Kirin 9000 | Samsung Exynos 2100 | |
CPU VergleichHiSilicon Kirin 9000 oder Samsung Exynos 2100 - welcher Prozessor ist schneller ? In diesem Vergleich betrachten wir die Unterschiede und analysieren welche dieser beiden CPUs besser ist. Dabei vergleichen wir die technischen Daten und Benchmark-Ergebnisse.
Der HiSilicon Kirin 9000 besitzt 8 Kerne mit 8 Threads und taktet mit maximal 3,13 GHz. Es werden bis zu GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen unterstützt. Erschienen ist der HiSilicon Kirin 9000 im Q4/2020. Der Samsung Exynos 2100 besitzt 8 Kerne mit 8 Threads und taktet mit maximal 2,90 GHz. Die CPU unterstützt bis zu 12 GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen. Erschienen ist der Samsung Exynos 2100 im Q1/2021. |
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HiSilicon Kirin (29) | Familie | Samsung Exynos (49) |
HiSilicon Kirin 9000 (2) | CPU Gruppe | Samsung Exynos 2100 (1) |
9 | Generation | 5 |
Cortex-A77 / Cortex-A55 | Architektur | Cortex-X1/-A78/-A55 |
Smartphone / Tablet | Segment | Smartphone / Tablet |
-- | Vorgänger | -- |
-- | Nachfolger | Samsung Exynos 2200 |
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CPU Kerne und TaktfrequenzDer HiSilicon Kirin 9000 besitzt 8 CPU-Kerne und kann 8 Threads parallel berechnen. Die Taktfrequenz des HiSilicon Kirin 9000 liegt bei 3,13 GHz während der Samsung Exynos 2100 8 CPU-Kerne besitzt und 8 Threads gleichzeitig berechnen kann. Die Taktfrequenz des Samsung Exynos 2100 liegt bei 2,90 GHz. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Eigenschaft | Samsung Exynos 2100 |
8 | Kerne | 8 |
8 | Threads | 8 |
hybrid (Prime / big.LITTLE) | Kernarchitektur | hybrid (Prime / big.LITTLE) |
Nein | Hyperthreading | Nein |
Nein | Übertaktung ? | Nein |
3,13 GHz 1x Cortex-A77 |
A-Kern | 2,90 GHz 1x Cortex-X1 |
2,54 GHz 3x Cortex-A77 |
B-Kern | 2,80 GHz 3x Cortex-A78 |
2,05 GHz 4x Cortex-A55 |
C-Kern | 2,20 GHz 4x Cortex-A55 |
Interne Grafik (iGPU)Der HiSilicon Kirin 9000 oder Samsung Exynos 2100 verfügt über eine integrierte Grafik, kurz iGPU genannt. Die iGPU nutzt den Arbeitsspeicher des Systems als Grafikspeicher und sitzt auf dem Die des Prozessors. |
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ARM Mali-G78 MP24 | GPU | ARM Mali-G78 MP14 |
0,76 GHz | Grafik-Taktfrequenz | 0,76 GHz |
-- | GPU (Turbo) | -- |
Vallhall 2 | GPU Generation | Vallhall 2 |
5 nm | Technologie | 5 nm |
1 | Max. Bildschirme | 1 |
24 | Ausführungseinheiten | 14 |
384 | Shader | 224 |
Nein | Hardware Raytracing | Nein |
Nein | Frame Generation | Nein |
-- | Max. GPU Speicher | -- |
12 | DirectX Version | 12 |
Codec-Unterstützung in HardwareEin in Hardware beschleunigter Foto- oder Videocodec kann die Arbeitsgeschwindigkeit eines Prozessors stark beschleunigen und die Akkulaufzeit von Notebooks oder Smartphones bei der Wiedergabe von Videos verlängern. |
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ARM Mali-G78 MP24 | GPU | ARM Mali-G78 MP14 |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (8 bit) | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h265 / HEVC (10 bit) | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec h264 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP9 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VP8 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren | Codec AV1 | Dekodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec AVC | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec VC-1 | Dekodieren / Enkodieren |
Dekodieren / Enkodieren | Codec JPEG | Dekodieren / Enkodieren |
Arbeitsspeicher & PCIeDer HiSilicon Kirin 9000 kann bis zu GB Arbeitsspeicher in 4 Speicherkanälen nutzen. Die maximale Speicherbandbreite liegt bei --. Bis zu 12 GB Arbeitsspeicher unterstützt der Samsung Exynos 2100 in 4 Speicherkanälen und erreicht eine Speicherbandbreite von bis zu 51,2 GB/s. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Eigenschaft | Samsung Exynos 2100 |
LPDDR5-2750, LPDDR4X-2133 | Arbeitsspeicher | LPDDR5-6400 |
Max. Speicher | 12 GB | |
4 (Quad Channel) | Speicherkanäle | 4 (Quad Channel) |
-- | Max. Bandbreite | 51,2 GB/s |
Nein | ECC | Nein |
-- | L2 Cache | -- |
-- | L3 Cache | -- |
-- | PCIe Version | -- |
-- | PCIe Leitungen | -- |
-- | PCIe Bandbreite | -- |
LeistungsaufnahmeDie Thermal Design Power (kurz TDP) des HiSilicon Kirin 9000 liegt bei --, während der Samsung Exynos 2100 eine TDP von -- besitzt. Die TDP gibt die notwendige Kühllösung vor, die benötigt wird um den Prozessor ausreichend zu kühlen. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Eigenschaft | Samsung Exynos 2100 |
-- | TDP (PL1 / PBP) | -- |
-- | TDP (PL2) | -- |
-- | TDP up | -- |
-- | TDP down | -- |
-- | Tjunction max. | -- |
Technische DatenDer HiSilicon Kirin 9000 wird in 5 nm gefertigt und verfügt über 0,00 MB Cache. Der Samsung Exynos 2100 wird in 5 nm gefertigt und verfügt über einen 0,00 MB großen Cache. |
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HiSilicon Kirin 9000 | Eigenschaft | Samsung Exynos 2100 |
5 nm | Technologie | 5 nm |
Chiplet | Chip-Design | Unbekannt |
Armv8-A (64 bit) | Befehlssatz (ISA) | Armv8-A (64 bit) |
-- | ISA Erweiterungen | -- |
-- | Sockel | -- |
Keine | Virtualisierung | Keine |
Nein | AES-NI | Nein |
Android | Betriebssysteme | Android |
Q4/2020 | Erscheinungsdatum | Q1/2021 |
-- | Erscheinungspreis | -- |
weitere Daten anzeigen | weitere Daten anzeigen | |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
ARM Mali-G78 MP24 @ 0,76 GHz |
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Samsung Exynos 2100
ARM Mali-G78 MP14 @ 0,76 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
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HiSilicon Kirin 9000
8C 8T @ 3,13 GHz |
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Samsung Exynos 2100
8C 8T @ 2,90 GHz |
Geräte mit diesem Prozessor |
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HiSilicon Kirin 9000 | Samsung Exynos 2100 |
Unbekannt | Samsung Galaxy S21 Samsung Galaxy S21 Plus Samsung Galaxy S21 Ultra |